晶體管原理

第1章 半導體、物理與工藝概要
1.1 晶體結構和能帶結構
1.2 半導體中的載流子
1.3 載流子的運動
1.4 半導體中的基本控制方程組
1.5 PN結的電學特性
1.6 基本器件工藝
習題
參考文獻
第2章 晶體管的直流特性
2.1 晶體管的基本結構及其雜質分布
2.2 晶體管的放大機理
2.3 晶體管的直流伏安特性
2.4 直流電流增益
2.5 反向電流和擊穿電壓
2.7 特性曲線
2.8 晶體管模型
習題
參考文獻
第3章 晶體管的頻率特性
3.1 基本概念
3.2 電流增益的頻率變化關系——截止頻率和特征頻率
3.3 高頻功率增益和最高振頻率
3.4 雙極晶體管的噪聲特性
習題
參考文獻
第4章 雙極型晶體管的功率特性
4.1 基區(qū)大注入效應對電流放大系數(shù)的影響
4.2 基區(qū)擴展效應
4.3 發(fā)射極電流集邊效應
4.4 發(fā)射極極單位周長電流容量
4.5 晶體管最大耗散功率P
4.6 二次擊穿和安全工作區(qū)
習題
參考文獻
第5章 開關特性
5.1 晶體管的開關作用
5.2 晶體管的開關過程和開關時間
5.3 開關管正向壓降和飽和壓降
習題
參考文獻
第6章 結型場效應晶體管
6.1 結型場效應晶體管（JFET）的基本工作原理
6.2 JFET的直流參數(shù)和低頻小信號交流參數(shù)
6.3 結型場效應晶體管的頻率特性
6.4 結型場效應晶體管結構舉例
習題
參考文獻
第7章 MOS場效應晶體管
7.1 MOSEFT的基本工作原理和分類
7.2 MOSEFT的閾值電壓
7.3 MOSEFT的直流特性
7.4 MOSEFT的頻率特性
7.5 MOSEFT的擊穿特性
7.6 MOSEFT的功率特性和功率MOSEFT的結構
7.7 MOSEFT的開關特性
7.8 MOSEFT的溫度特性
7.9 MOSEFT的噪聲特性
7.10 MOSEFT的短溝道和窄溝道效應
習題
參考文獻