半導(dǎo)體器件電子學(xué)：英文版

　　全書(shū)分5章，內(nèi)容包括現(xiàn)代電子學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體體特性、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等半導(dǎo)體器件電子學(xué)中最基本、最經(jīng)典的內(nèi)容。從電荷、電場(chǎng)開(kāi)始，循序漸漸地講解半導(dǎo)體體特性、器件理論，最后深入分析兩類(lèi)最基本的晶體管（BJT和MOSFET）并對(duì)其性能作比較，本書(shū)還特別強(qiáng)調(diào)SPICE分析方法。這些內(nèi)容和講述方法在國(guó)內(nèi)同類(lèi)書(shū)籍中并不多見(jiàn)。本書(shū)在正式出版之間，作者已用它在美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)電機(jī)工程系講授多年。書(shū)中吸收了作者的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)及學(xué)生們的意見(jiàn)，內(nèi)容精心安排，文字?jǐn)⑹龊?jiǎn)潔，公式推導(dǎo)準(zhǔn)確易懂，圖例說(shuō)明清晰，并包含大量的習(xí)題解答，使本書(shū)非常適用于教學(xué)；每章后面的小結(jié)、復(fù)習(xí)要點(diǎn)與習(xí)題便于讀者更好地理解、掌握有關(guān)的基本概念，并能將其靈活運(yùn)用到工程實(shí)踐中。

暫缺《半導(dǎo)體器件電子學(xué)：英文版》作者簡(jiǎn)介