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半導體器件物理基礎（曾樹榮）

定　價：￥36.00

作　者：	曾樹榮編著
出版社：	北京大學出版社
叢編項：
標　簽：	半導體器件

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ISBN：	9787301054567	出版時間：	2002-02-01	包裝：	膠版紙
開本：	26cm	頁數(shù)：	241	字數(shù)：

內容簡介

　　本書內容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學習半導體器件必須的知識，包括半導體基本知識和pn結理論；其余各章為第二部分，闡述主要半導體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化合物半導體場效應晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應器件和光器件。每章末均有習題，書后附有習題參考解答。本書簡明扼要，討論深入，內容豐富，可作為大學有關專業(yè)半導體物理與器件方面課程的教材或參考書，分章節(jié)供本科生和研究生使用；也可供有關研究人員參考。

作者簡介

暫缺《半導體器件物理基礎（曾樹榮）》作者簡介

圖書目錄

主要符號表
第一章半導體基本知識
  半導體中的載流子
  晶格振動
  載流子輸運現(xiàn)象
  半導體的光學性質
第二章  p-n結
  熱平衡狀態(tài)
  耗盡區(qū)和耗盡層電容
  直流特性
  交流小信號特性；擴散電容
  電荷存儲和反向恢復時間
  結的擊穿
第三章雙極型晶體管
  基本原理
  雙極型晶體管的直流特性
  雙極型晶體管模型
  雙極型晶體管的頻率特性
  雙極型晶體管的開關特性
  異質結雙極晶體管
  多晶硅發(fā)射極晶體管
  p-n-p-n結構
第四章化合物半導體場效應晶體管
  肖特基勢壘和歐姆接觸
  GaAs MESFET
  高電子遷移率晶體管
第五章 MOS器件
  MOS結構的基本性質
  MOS場效應晶體管的基本理論
  短溝道MOSFET
  SOI MOSFET
  埋溝MOSFET
  電荷耦合器件
第六章有源微波二極管
  隧道二極管
  共振隧穿二極管
  IMPATT二極管
  轉移電子器件
第七章半導體激光器和光電二極管
  半導體激光器的基本結構和工作原理
  半導體激光器的工作特性
  雙異質結激光器
  量子阱激光器
  光電二極管
主要參考文獻