半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）

　　本卷主要介紹半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)與性能。本卷共11章。第1章至第4章主要闡述半導(dǎo)體中的能帶理論、光學(xué)性質(zhì)和電荷輸送，本征點(diǎn)缺陷及深中心；第5章至第8章敘述平衡、非平衡，擴(kuò)散"和淀積，位錯，半導(dǎo)體中的晶界及界面；第9章至第11章介紹量子線中的霍爾效應(yīng)，氫化無定形硅的材料特性，硅中3d過渡元素的高溫特性。本卷可供材料科學(xué)、物理、金屬學(xué)、電子、機(jī)械、航空、航天等研究、教學(xué)及生產(chǎn)的科學(xué)技術(shù)工作者閱讀、參考。

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