計(jì)算機(jī)專業(yè)英語（上計(jì)算機(jī)技術(shù)專業(yè)）

目〓〓錄第1章〓概論1.1〓可靠性歷史與發(fā)展1.1.冷兵器時(shí)期1.1.2〓熱兵器時(shí)期1.1.3〓高技術(shù)兵器時(shí)期1.1.4〓我國可靠性工作的歷史和現(xiàn)狀1.2〓當(dāng)代質(zhì)量觀與可靠性1.3〓可靠性基本概念1.3.1〓機(jī)環(huán)關(guān)系1.3.2〓人機(jī)關(guān)系1.4〓可靠性工作主要內(nèi)容1.5〓系統(tǒng)可靠性與元器件工程第2章〓系統(tǒng)研制與生產(chǎn)各階段中元器件工程項(xiàng)目2.1〓論證階段2.2〓方案階段2.3〓工程研制階段2.4〓設(shè)計(jì)定型階段2.5〓生產(chǎn)定型階段第3章〓電子元器件選用與控制3.1〓概述3.2〓電子元器件選擇和應(yīng)用3.2.1〓電子元器件選用準(zhǔn)則3.2.2〓半導(dǎo)體集成電路的選擇和應(yīng)用3.2.3〓半導(dǎo)體分立器件的選擇和應(yīng)用3.2.4〓電阻器選擇和應(yīng)用3.2.5〓電容器選擇和應(yīng)用3.3〓電子元器件控制3.3.1〓元器件選擇3.3.2〓元器件采購3.3.3〓元器件監(jiān)制3.3.4〓元器件驗(yàn)收3.3.5〓元器件篩選3.3.6〓元器件儲(chǔ)存與保管3.3.7〓元器件超期復(fù)驗(yàn)3.3.8〓元器件使用3.3.9〓元器件失效分析3.3.10〓元器件信息管理3.4〓電子元器件管理3.4.1〓電子元器件管理基本方法3.4.2〓優(yōu)選電子元器件生產(chǎn)廠家及動(dòng)態(tài)管理第4章〓電子元器件可靠性數(shù)學(xué)表征4.1〓可靠性的定義4.2〓可靠度4.3〓累積失效概率4.4〓失效分布密度4.5〓失效率4.6〓壽命4.6.1〓平均壽命4.6.2〓可靠壽命4.6.3〓中位壽命4.6.4〓特征壽命
4.7〓通用的失效分布函數(shù)4.7.1〓指數(shù)分布4.7.2〓正態(tài)分布4.7.3〓威布爾分布第5章〓電子元器件失效分析技術(shù)5.1〓光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)5.1.1〓明、暗場(chǎng)觀察5.1.2〓微分干涉相襯觀察5.1.3〓偏振光干涉法觀察5.2〓紅外顯微鏡分析技術(shù)5.3〓紅外熱像儀分析技術(shù)5.3.1〓基本測(cè)量結(jié)構(gòu)5.3.2〓主要技術(shù)指標(biāo)5.3.3〓顯微紅外熱像儀的應(yīng)用5.4〓聲學(xué)顯微鏡分析技術(shù)5.4.1〓SLAM的應(yīng)用5.4.2〓CSAM的應(yīng)用5.5〓液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)5.5.1〓液晶熱點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備5.5.2〓液晶的選擇5.5.3〓液晶熱點(diǎn)檢測(cè)的技術(shù)要點(diǎn)5.5.4〓液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用5.6〓光輻射顯微分析技術(shù)5.6.1〓光輻射顯微鏡5.6.2〓光輻射顯微分析技術(shù)在失效分析方面的應(yīng)用5.7〓掃描電子顯微鏡和X射線譜儀分析技術(shù)5.7.1〓掃描電鏡及其在半導(dǎo)體器件失效分析中的應(yīng)用5.7.2〓X射線譜儀及其在半導(dǎo)體器件失效分析中的應(yīng)用
5.8〓電子束測(cè)試系統(tǒng)5.8.1〓電子束測(cè)試技術(shù)在器件失效分析中的應(yīng)用5.8.2〓電子束測(cè)試系統(tǒng)中自動(dòng)導(dǎo)航技術(shù)5.8.3〓電子束探針的最佳探測(cè)原則5.9〓俄歇電子能譜分析技術(shù)5.10〓離子微探針分析技術(shù)5.10.1〓原理與性能特點(diǎn)5.10.2〓離子微探針在半導(dǎo)體器件失效分析中的應(yīng)用5.11〓其他分析技術(shù)5.11.1〓X射線光電子能譜(XPS)技術(shù)5.11.2〓紫外光電子能譜（UPS）技術(shù)5.11.3〓盧瑟福背散射及其離子束聯(lián)合分析技術(shù)5.11.4〓IDDQ測(cè)試技術(shù)第6章〓電子元器件的可靠性設(shè)計(jì)6.1〓半導(dǎo)體分立器件的可靠性設(shè)計(jì)6.1.1〓概述6.1.2〓抗惡劣環(huán)境的可靠性設(shè)計(jì)6.1.3〓熱學(xué)設(shè)計(jì)6.1.4〓完美晶體工藝設(shè)計(jì)6.1.5〓特殊使用條件可靠性設(shè)計(jì)6.1.6〓長壽命設(shè)計(jì)6.1.7〓器件穩(wěn)定性設(shè)計(jì)6.1.8〓冗余設(shè)計(jì)6.2〓半導(dǎo)體集成電路的可靠性設(shè)計(jì)6.2.1〓概述6.2.2〓集成電路的可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)6.2.3〓集成電路可靠性設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容6.2.4〓可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)6.2.5〓耐電應(yīng)力設(shè)計(jì)技術(shù)6.2.6〓耐環(huán)境應(yīng)力設(shè)計(jì)技術(shù)6.2.7〓穩(wěn)定性設(shè)計(jì)技術(shù)6.3〓電阻器與電位器的可靠性設(shè)計(jì)6.3.1〓概述6.3.2〓可靠性設(shè)計(jì)的基本程序6.3.3〓可靠性設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容6.3.4〓可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)6.4〓電容器的可靠性設(shè)計(jì)6.4.1〓電容器可靠性設(shè)計(jì)的一般要求6.4.2〓可靠性設(shè)計(jì)程序6.4.3〓電容器的可靠性設(shè)計(jì)6.4.4〓電容器可靠性設(shè)計(jì)評(píng)審6.5〓軍用連接器的可靠性設(shè)計(jì)6.5.1〓可靠性設(shè)計(jì)的基本原則6.5.2〓可靠性設(shè)計(jì)的依據(jù)與指標(biāo)6.5.3〓可靠性設(shè)計(jì)的基本程序6.5.4〓可靠性設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容6.5.5〓可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)6.6〓微特電機(jī)的可靠性設(shè)計(jì)6.6.1〓概述6.6.2〓可靠性設(shè)計(jì)的基本程序6.6.3〓可靠性設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容6.6.4〓可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)6.7〓化學(xué)物理電源的可靠性設(shè)計(jì)6.7.1〓概述6.7.2〓可靠性設(shè)計(jì)的基本程序6.7.3〓可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)第7章〓電子元器件可靠性保證7.1〓概述7.1.1〓質(zhì)量與可靠性7.1.2〓質(zhì)量與可靠性保證的特點(diǎn)7.1.3〓質(zhì)量與可靠性保證體系7.2〓可靠性控制技術(shù)7.2.1〓可靠性控制在可靠性保證中的重要作用7.2.2〓設(shè)計(jì)階段的控制技術(shù)要點(diǎn)7.2.3〓制造階段的控制技術(shù)7.3〓可靠性管理概要7.3.1〓可靠性管理的保證職能7.3.2〓可靠性組織管理7.3.3〓可靠性技術(shù)管理7.3.4〓可靠性教育管理7.3.5〓質(zhì)量與可靠性認(rèn)證7.3.6〓GB/T19000－ISO9000系列標(biāo)準(zhǔn)第8章〓電子元器件可靠性評(píng)價(jià)與試驗(yàn)8.1〓概述8.1.1〓可靠性評(píng)價(jià)8.1.2〓可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)的進(jìn)展8.2〓可靠性試驗(yàn)8.2.1〓可靠性試驗(yàn)的目的與內(nèi)容8.2.2〓可靠性試驗(yàn)的分類8.2.3〓失效判據(jù)8.2.4〓可靠性試驗(yàn)的抽樣檢查8.2.5〓用于可靠性試驗(yàn)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)8.3〓可靠性篩選8.3.1〓篩選的目的8.3.2〓失效模式與篩選方法的關(guān)系8.3.3〓篩選方法簡介8.4〓壽命試驗(yàn)8.5〓加速壽命試驗(yàn)8.5.1〓加速壽命試驗(yàn)的理論依據(jù)8.5.2〓加速壽命試驗(yàn)的種類8.5.3〓加速壽命試驗(yàn)的數(shù)據(jù)處理8.6〓快速評(píng)價(jià)技術(shù)8.6.1〓可靠性快速評(píng)價(jià)的發(fā)展8.6.2〓低頻噪聲快速評(píng)價(jià)方法8.6.3〓柵介質(zhì)擊穿快速評(píng)價(jià)方法8.6.4〓晶片級(jí)可靠性(WLR)評(píng)價(jià)方法8.7〓計(jì)算機(jī)輔助可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)8.7.1〓電遷移失效模擬8.7.2〓熱載流子退化模擬8.7.3〓氧化層擊穿失效模擬第9章〓電子元器件的應(yīng)用可靠性9.1〓電子元器件的防浪涌應(yīng)用9.1.1〓集成電路開關(guān)工作產(chǎn)生的浪涌電流9.1.2〓接通電容性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流9.1.3〓斷開電感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓9.1.4〓驅(qū)動(dòng)白熾燈時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流9.1.5〓供電電源引起的浪涌干擾9.1.6〓接地不當(dāng)導(dǎo)致器件損壞9.1.7〓TTL電路防浪涌干擾應(yīng)用9.2〓電子元器件的防靜電應(yīng)用9.2.1〓器件使用環(huán)境的防靜電措施9.2.2〓器件使用者的防靜電措施9.2.3〓器件包裝、運(yùn)送和儲(chǔ)存過程中的防靜電措施9.2.4〓器件使用時(shí)的防靜電管理9.3〓電子元器件的防噪聲應(yīng)用9.3.1〓接地不良引入的噪聲9.3.2〓靜電耦合和電磁耦合產(chǎn)生的噪聲9.3.3〓串?dāng)_引入的噪聲9.3.4〓反射引起的噪聲9.4〓電子元器件的抗輻射應(yīng)用9.4.1〓抗輻射加固電子系統(tǒng)的器件選擇9.4.2〓系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的抗輻射措施9.5〓防護(hù)元件9.5.1〓瞬變電壓抑制二極管9.5.2〓壓敏電阻9.5.3〓鐵氧體磁珠9.5.4〓PTC和NTC熱敏電阻9.5.5〓電花隙防護(hù)器9.6〓電子元器件電路布局的可靠性設(shè)計(jì)9.6.1〓電子線路的可靠性設(shè)計(jì)原則9.6.2〓常用集成電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)規(guī)則9.6.3〓印制電路板布線設(shè)計(jì)9.7〓電子元器件的可靠性安裝9.7.1〓引線成形與切斷9.7.2〓在印制電路板上安裝器件9.7.3〓焊接9.7.4〓器件在整機(jī)系統(tǒng)中的布局9.8〓電子元器件的運(yùn)輸、儲(chǔ)存和測(cè)量9.8.1〓運(yùn)輸9.8.2〓儲(chǔ)存9.8.3〓測(cè)量第10章〓電子元器件質(zhì)量與可靠性依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)10.1〓標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電子元器件質(zhì)量與可靠性的保證作用10.1.1〓標(biāo)準(zhǔn)化的作用10.1.2〓軍用電子元器件的標(biāo)準(zhǔn)化工作10.2〓電子元器件的質(zhì)量與可靠性軍用標(biāo)準(zhǔn)體系10.2.1〓質(zhì)量與可靠性軍用標(biāo)準(zhǔn)體系10.2.2〓質(zhì)量與可靠性標(biāo)準(zhǔn)體系構(gòu)成10.2.3〓國外質(zhì)量與可靠性標(biāo)準(zhǔn)簡介10.3〓質(zhì)量與可靠性標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范10.3.1〓標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范10.3.2〓質(zhì)量與可靠性保證要求10.3.3〓標(biāo)準(zhǔn)的配套支持10.3.4〓總規(guī)范與詳細(xì)規(guī)范10.4〓電子元器件的質(zhì)量等級(jí)及其標(biāo)準(zhǔn)化10.4.1〓失效率等級(jí)10.4.2〓質(zhì)量與可靠性保證等級(jí)10.5〓質(zhì)量認(rèn)證10.5.1〓電子產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證10.5.2〓軍用電子元器件的質(zhì)量認(rèn)證參考文獻(xiàn)致〓〓謝〓〓本書的編寫，首先要感謝原電子工業(yè)部科技與質(zhì)量監(jiān)督司質(zhì)量處陳章豹和張容發(fā)處長，由于他們的熱情鼓勵(lì)和大力支持，才使從事整機(jī)可靠性和元器件可靠性的專家們攜起手來，共同撰寫這一跨學(xué)科的專著。同時(shí)，也要感謝信息產(chǎn)業(yè)部電子第五研究所以及設(shè)在該所的“電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用”國防重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，正是由于他們的鼎力幫助，才使本書的正式出版成為現(xiàn)實(shí)。此外，還要感謝西安電子科技大學(xué)、信息產(chǎn)業(yè)部電子第二十研究所領(lǐng)導(dǎo)給予的支持。信息產(chǎn)業(yè)部電子第四研究所韓勤同志為本書提供了大量的技術(shù)資料。此外，還有不少同志為本書提出了寶貴的建議與意見，在此一并表示衷心的感謝。作〓者〓簡〓介〓〓孫青：西安電子科技大學(xué)教授。曾任西安電子科技大學(xué)微電子研究所所長、原電子工業(yè)部可靠性專家組組長?，F(xiàn)受聘于信息產(chǎn)業(yè)部電子第五研究所，任“電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用”國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任、信息產(chǎn)業(yè)部電子裝備可靠性工程中心專家組成員。莊奕琪：西安電子科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師?，F(xiàn)任西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院副院長、微電子所副所長。王錫吉：信息產(chǎn)業(yè)部電子第二十研究所研究員。曾任原電子工業(yè)部可靠性專家組副組長?，F(xiàn)受聘于深圳中興通信有限公司，任質(zhì)量與可靠性高級(jí)顧問。劉發(fā)：信息產(chǎn)業(yè)部電子第五研究所可靠性分析中心主任、“電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用”國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任。