半導(dǎo)體發(fā)光材料和器件

     目 錄
   前 言
   緒 言
   第一章 光、光度學(xué)和色度學(xué)
    1.1光的本質(zhì)
    1.2光的產(chǎn)生
    1.3光度學(xué)
    1.3.1能量的輻射分布
    1.3.2輻射度量及單位
    1.3.3朗伯定律
    1.3.4視見(jiàn)函數(shù)
    1.3.5光度量及單位
    1.4色度學(xué)
   第二章 半導(dǎo)體發(fā)光材料晶體導(dǎo)論
    2.1晶體結(jié)構(gòu)
    2.1.1空間點(diǎn)陣
    2.1.2晶面與晶向
    2.1.3閃鋅礦結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)和纖鋅礦結(jié)構(gòu)
    2.1.4缺陷及其對(duì)發(fā)光的影響
    2.2能帶結(jié)構(gòu)
    2.3半導(dǎo)體晶體材料的電學(xué)性質(zhì)
    2.3.1費(fèi)米能級(jí)和載流子
    2.3.2載流子的漂移和遷移率
    2.3.3電阻率和載流子濃度
    2.4半導(dǎo)體發(fā)光材料的條件
    2.4.1帶隙寬度合適
    2.4.2可獲得電導(dǎo)率高的P型和N型晶體
    2.4.3可獲得完整性好的優(yōu)質(zhì)晶體
    2.4.4發(fā)光復(fù)合幾率大
   第三章 單晶的熔體生長(zhǎng)
    3.1相圖
    3.2砷－鎵體系的P－T－x 相圖
    3.3P－T－x相圖在制備砷化嫁晶體中的應(yīng)用
    3.4水平布里支曼法生長(zhǎng)砷化鎵單晶
    3.5液體密封法從熔體中直接生長(zhǎng)砷化鎵單晶
    3.5.1合適的液體密封劑
    3.5.2工藝控制分析
    3.5.3工藝操作過(guò)程
    3.6液封直拉砷化鎵的摻雜控制
    3.6.1估計(jì)所需摻雜量的經(jīng)驗(yàn)公式
    3.6.2影響GaAs單晶中雜質(zhì)分布均勻性的因素及
    改善均勻性的方法
    3.7半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)
    3.8用高壓?jiǎn)尉t生長(zhǎng)GaP、InpnP等單晶材料
    3.9合成溶質(zhì)擴(kuò)散法（SSD法）
   第四章 半導(dǎo)體的激發(fā)與發(fā)光
    4.1PN結(jié)及其特性
    4.1.1理想的PN結(jié)
    4.1.2實(shí)際的PN結(jié)
    4.2注入載流子的復(fù)合
    4.2.1復(fù)合的種類(lèi)
    4.2.2輻射型復(fù)合
    4.2.3非輻射型復(fù)合
   第五章 半導(dǎo)體發(fā)光材料
    5.1砷化鎵
    5.1.1基本性質(zhì)
    5.1.2砷化嫁的發(fā)光機(jī)理
    5.2磷化鎵
    5.2.1基本性質(zhì)
    5.2.2磷化鎊的發(fā)光機(jī)理
    5.3氮化鎵
    5.4磷砷化鎵
    5.5鎵鋁砷
    5.6其它發(fā)光材料
    5.6.1其它Ⅲ一V族固溶體
    5.6.2碳化硅
    5.6.3硫化鋅、硒化鋅
    5.7半導(dǎo)體發(fā)光材料的比較
   第六章 氣相外延生長(zhǎng)
    6.1鹵化物氣相外延
    6.1.1GaASP的氯化物體系外延生長(zhǎng)
    6.1.2氫化物法氣相外延GaAsP
    6.1.3氫化物體系的熱力學(xué)分析
    6.1.4GaP的氣相外延
    6.1.5In1－xGaxP的氣相外延生長(zhǎng)
    6.1.6氮化鎵的氣相外延
    6.2金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）
    6.3分子束外延（MBE）
    6.3.1分子束外延的特點(diǎn)
    6.3.2儀器設(shè)備和原理，原料的氣化，外延動(dòng)力學(xué)
   第七章 液相外延生長(zhǎng)
    7.1液相外延（LPE）概論
    7.2液相外延原理
    7.3液相電外延
    7.4電學(xué)及光學(xué)性能的控制
    7.5表面形貌
    7.5.1由于襯底不完整性造成的特征
    7.5.2臺(tái)階面和波紋
    7.5.3L線、T線和彎月線
    7.5.4交叉影格線
    7.6砷化鎵的液相外延
    7.7磷化鎵的液相外延
    7.8鎵鋁砷的液相外延
    7.9碳化硅的液相外延
   第八章 發(fā)光二極管制造技術(shù)
    8.1材料
    8.2光刻技術(shù)
    8.3氮化硅生長(zhǎng)
    8.4擴(kuò)散
    8.5歐姆接觸電極
    8.6切割
    8.7裝架和鍵合
    8.8封裝
   第九章 半導(dǎo)體發(fā)光器件設(shè)計(jì)
    9.1電學(xué)設(shè)計(jì)
    9.2熱學(xué)設(shè)計(jì)
    9.3光學(xué)設(shè)計(jì)
    9.4視覺(jué)因素
    9.5點(diǎn)發(fā)光器件
    9.6簡(jiǎn)單組合器件
    9.7字符顯示器
    9.7.1條段式的字符顯示器
    9.7.2矩陣字符顯示器
    9.8平板顯示屏
   第十章半導(dǎo)體發(fā)光器件的應(yīng)用
    10.1發(fā)光二極管與光電子學(xué)
    10.2發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)方法
    10.2.1直流驅(qū)動(dòng)
    10.2.2交流驅(qū)動(dòng)
    10.2.3晶體管驅(qū)動(dòng)電路
    10.2.4集成電路驅(qū)動(dòng)
    10.3發(fā)光二極管單管的應(yīng)用
    10.3.1發(fā)光二極管的合理選用
    10.3.2電平指示應(yīng)用
    10.4字符顯示器的驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用
    10.5大型固體顯示屏幕應(yīng)用
    10.6光電耦合器件及其應(yīng)用
   第十一章 光纖通信用半導(dǎo)體激光器
    11.1鎵鋁砷半導(dǎo)體激光材料和器件
    11.2嫁銦砷磷材料和激光器
    11.2.1二個(gè)自由度
    11.2.2材料制備與特性
    11.2.3長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器
   第十二章 光纖通信用的紅外發(fā)光二極管
    12.1短距離光纖通信用發(fā)光二極管
    12.1.1單異質(zhì)結(jié)GaAlAs發(fā)光二極管
    12.1.2GaAs0.90P0.10發(fā)光二極管
    12.1.3雙異質(zhì)結(jié)GaAlAs發(fā)光二極管
    12.2中距離光纖通信用的發(fā)光二極管
    12.2.11.5μm波長(zhǎng)的發(fā)光二極管
    12.2.2高速長(zhǎng)波長(zhǎng)發(fā)光二極管
    12.2.3自體棱鏡發(fā)光二極管
    12.2.4波分復(fù)用發(fā)光二極管
    12.2.5透明的四元系發(fā)光二極管
   第十三章 半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性
    13.1發(fā)光器件可靠性的一些實(shí)驗(yàn)結(jié)果
    13.2器件的壽命分析
    13.2.1環(huán)氧系塑料的壽命分析
    13.2.2管芯的壽命分析
    13.3失效機(jī)理
    13.4可靠性試驗(yàn)
    13.4.1工藝篩選
    13.4.2例行試驗(yàn)
   第十四章 發(fā)光材料和器件測(cè)試
    14.1發(fā)光材料測(cè)試
    14.1.1檢測(cè)外延層中缺陷的腐蝕方法
    14.1.2外延層厚度的測(cè)定
    14.1.3外延層電學(xué)性質(zhì)的測(cè)定
    14.1.4外延層光學(xué)性質(zhì)的測(cè)定
    14.2發(fā)光器件的效率
    14.2.1發(fā)光效率
    14.2.2功率效率
    14.2.3量子效率
    14.3電學(xué)參數(shù)
    14.3.1伏安特性
    14.3.2結(jié)電容
    14.3.3響應(yīng)特性
    14.4光學(xué)參數(shù)
    14.4.1色度學(xué)參數(shù)
    14.4.2光度學(xué)參數(shù)
    參考文獻(xiàn)