離子束沉積薄膜技術(shù)及應(yīng)用

第一章 離子束沉積（IBD）薄膜原理
  1.1 離子束的輸運(yùn)及非熱平衡沉積薄膜過程
   1.1.1 運(yùn)行離子的碰撞現(xiàn)象
   1.1.2 非熱平衡條件下的IBSD薄膜原理
  1.2 離子束濺射粒子的基本性質(zhì)
   1.2.1 濺射原子通量的構(gòu)成
   1.2.2 濺射原子通量的分布
   1.2.3 濺射合金成分原子通量的分布
   1.2.4 濺射原子能量的分布
   1.2.5 合金的濺射特性
   1.2.6 超薄薄膜的生長
   1.2.7 氧化物的濺射特點(diǎn)
  1.3 惰性氣體離子的氣種效應(yīng)
   1.3.1 薄膜質(zhì)量厚度分析及晶格膨脹現(xiàn)象
   1.3.2 薄膜中摻氣的氣種效應(yīng)
   1.3.3 氣種效應(yīng)改變薄膜性抽的典型實(shí)例
  1.4 離子束轟擊固體表面引起的重要效應(yīng)
   1.4.1 離子束清洗和增強(qiáng)薄膜附著力的作用
   1.4.2 離子束轟擊引起材料表面損傷及缺陷增強(qiáng)擴(kuò)散現(xiàn)象
   1.4.3 離子束轟擊引起的表面結(jié)構(gòu)再造現(xiàn)象
   1.4.4 離子束轟表面結(jié)構(gòu)再造技術(shù)的應(yīng)用
第二章 IBSD薄膜技術(shù)
  2.1 控制生長薄膜結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的方法
……
  2.2 薄膜晶體結(jié)構(gòu)的形成及演變
  2.3 薄膜結(jié)構(gòu)與薄膜內(nèi)應(yīng)力
  2.4 IBSD薄膜技術(shù)的典型應(yīng)用
第三章 雙離子束濺射沉積（DIBSD）薄膜技術(shù)
  3.1 Ar+離子束濺射沉積薄膜改性方法
  3.2 雙離子束技術(shù)的近期進(jìn)展
第四章 IBRSD薄膜方法及應(yīng)用
  4.1 IBRSD過程的基本方式
  4.2 IBRSD及反應(yīng)合成化合物薄膜
  4.3 IBRSD IV A和IV B族過渡金屬氮化物薄膜
  4.4 IBRSD氧化物薄膜
第五章 IBAD薄膜方法及應(yīng)用
  5.1 離子轟擊對生長薄膜的基本作用
  5.2 IBAD薄膜方法概述
  5.3 IBAD薄膜方法的基礎(chǔ)
  5.4 IBAD光學(xué)薄膜的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)