第1章 集成電路的基本制造工藝
1. 1 雙極集成電路的基本制造工藝
1. 1. 1 典型的雙極集成電路工藝
1. 1. 2 雙極集成電路中元件的形成過程和元件結構
1. 2 MOS集成電路的基本制造工藝
1. 2. 1 N溝硅柵E／D MoS集成電路工藝
1. 2. 2 CMoS集成電路工藝
1. 3 Bi-CMOS工藝
1. 3. 1 以CMOS工藝為基礎的Bi—CMOS工藝
1. 3. 2 以雙極工藝為基礎的Bi—CMOS工藝
復習思考題
第2章 集成電路中的晶體管及其寄生效應
2. 1 理想本征集成雙極晶體管的埃伯斯—莫爾(EM)模型
2. 2 集成雙極晶體管的有源寄生效應
2. 2. 1 NPN管工作于正向工作區(qū)和截止區(qū)的情況
2. 2. 2 NPN管工作于反向工作區(qū)的情況
2. 2. 3 NPN管工作于飽和區(qū)的情況
2. 3 集成雙極晶體管的無源寄生效應
2. 3. 1 集成NPN晶體管中的寄生電阻
2. 3. 2 集成NPN晶體管中的寄生電容
2. 4 集成電路中的PNP管
2. 4. 1 橫向PNP管
2. 4. 2 襯底PNP管
2. 4. 3 自由集電極縱向PNP管
2. 5 集成二極管
2. 5. 1 一般集成二極管
2. 5. 2 集成齊納二極管和次表面齊納管
2. 6 肖特基勢壘二極管(SBD)和肖特基箝位晶體管(SCT)
2. 6. 1 肖特基勢壘二極管
2. 6. 2 肖特基箝位晶體管
2. 6. 3 SBD和SCT的設計
2. 7 MOS集成電路中的有源寄生效應
2. 7. 1 場區(qū)寄生MOSFET
2. 7. 2 寄生雙極型晶體管
2. 7. 3 寄生PNPN效應
2. 8 集成電路中的MOS晶體管模型
2. 8. 1 MOSl模型
2. 8. 2 MOS2模型
2. 8. 3 MOS3模型
復習思考題
第3章 集成電路中的無源元件
3. 1 集成電阻器
3. 1. 1 基區(qū)擴散電阻
3. 1. 2 其他常用的集成電阻器
3. 1. 3 MOS集成電路中常用的電阻
3. 2 集成電容器
3. 2. 1 雙極集成電路中常用的集成電容器
3. 2. 2 MOS集成電路中常用的MOS電容器
3. 3 互連(內連線)
3. 3. 1 金屬膜互連
3. 3. 2 擴散區(qū)連線
3. 3. 3 多晶硅連線
3. 3. 4 交叉連線
復習思考題
第4章 晶體管—晶體管邏輯(TTL)電路
4. 1 一般的TTL與非門
4. 1. 1 標準TTL與非門(四管單元)
4. 1. 2 54H／74H五管單元與非門
4. 1. 3 六管單元與非門
4. 2 STTL和LSTTL電路
4. 2. 1 六管單元STTL與非門電路
4. 2. 2 低功耗肖特基TTL(LSTTL)電路
4. 3 LSTTL門電路的邏輯擴展
4. 3. 1 OC門
4. 3. 2 三態(tài)邏輯(TSL)門
4. 4 ASTTl和ALSTTL電路
4. 5 中. 大規(guī)模集成電路中的簡化邏輯門
4. 5. 1 簡化邏輯門
4. 5. 2 單管邏輯門
4. 6 LSTTL電路的版圖設計
復習思考題
第5章 發(fā)射極福合邏輯(ECL)電路
5. 1 ECL門電路的工作原理
5. 1. 1 射極耦合電流開關
5. 1. 2 射極輸出器
5. 1. 3 參考電壓源
5. 2 ECL電路的邏輯擴展
5. 3 ECL電路的版圖設計特點
5. 3. 1 劃分隔離區(qū)
5. 3. 2 元器件的設計
5. 3. 3 布局布線
復習思考題
第6章 集成注入邏輯(I2L)電路
6. 1 1 I2L電路基本單元的結構
6. 2 I2L基本單元電路的工作原理
6. 2. 1 當前級的輸出為l態(tài)時的情況
6. 2. 2 當前級的輸出為0態(tài)時的情況
6. 3 I2L電路分析
6. 3. 1 I2L電路中的器件分析
6. 3. 2 I2l電路分析
6. 4 I2L電路的邏輯組合
6. 5 I2L電路的工藝與版圖設計
6. 5. 1 I2L電路的工藝設計
6. 5. 2 I2L電路的版圖設計
復習思考題
第7章 MOS反相器
7. 1 自舉反相器
7. 2 耗盡負載反相器(E／D反相器)
7. 3 CMOS反相器
7. 3. 1 CMOS反相器的直流特性
7. 3. 2 噪聲容限
7. 3. 3 開關特性
7. 3. 4 功耗
7. 4 靜態(tài)內部反相器的設計
7. 4. 1 有比反相器的設計
7. 4. 2 CMOS反相器的設計
7. 5 動態(tài)反相器
7. 5. 1 動態(tài)有比反相器
7. 5. 2 動態(tài)無比反相器
7. 5. 3 漏舉電路
7. 6 按比例縮小理論
7. 6. 1 器件和引線按CE理論縮小的規(guī)則
7. 6. 2 按比例縮小的CV理論
7. 6. 3 按比例縮小的QCV理論
復習思考題
第8章 MOS基本邏輯單元
8. 1 NMOS邏輯結構
8. 1. 1 NMOS或非門電路
8. 1. 2 NMOS與非門電路
8. 1. 3 NMOS組合邏輯電路
8. 2 CMOS邏輯結構
8. 2. 1 CMOS互補邏輯
8. 2. 2 偽NMOS邏輯
8. 2. 3 動態(tài)CMOS邏輯
8. 2. 4 鐘控CMOS邏輯
8. 2. 5 CMOS多米諾邏輯
8. 3 級聯(lián)級的負載
8. 4 影響門的電氣和物理結構設計的因素
8. 4. 1 MOS管的串聯(lián)和并聯(lián)
8. 4. 2 襯偏調制效應
8. 4. 3 源漏電容
8. 4. 4 電荷的再分配
8. 5 各種邏輯類型的比較
8. 6 傳輸門邏輯
8. 7 RS觸發(fā)器
8. 7. 1 NMOS RS觸發(fā)器
8. 7. 2 CMOS RS觸發(fā)器
8. 8 時鐘脈沖控制觸發(fā)器
8. 8. 1 NMOS結構的時鐘脈沖控制觸發(fā)器
8. 8. 2 CMOS結構的時鐘脈沖控制觸發(fā)器
8. 9 D觸發(fā)器
8. 9. 1 NMoS D觸發(fā)器
8. 9. 2 CMOS D觸發(fā)器
8. 10 施密特觸發(fā)器
復習思考題
第9章 MOS邏輯功能部件
9. 1 多路開關
9. 2 加法器和進位鏈
9. 2. 1 組合邏輯加法器
9. 2. 2 傳輸門加法器
9. 2. 3 進位鏈
9. 3 算術邏輯單元
9. 3. 1 以E／D NMOS反相器為主體的算術邏輯單元
9. 3. 2 以傳輸門為主體的算術邏輯單元
9. 4 寄存器
9. 4. 1 雙港寄存器
9. 4. 2 移位寄存器
9. 4. 3 堆棧移位寄存器
9. 4. 4 動態(tài)移位寄存器
復習思考題
第10章 存儲器
10. 1 存儲器的結構
10. 2 掩模編程ROM
10. 3 現(xiàn)場可編程ROM(PROM)
10. 4 可擦除可編程ROM(EPROM)
10. 5 電可擦除可編程ROM(E2PROM)
10. 5. 1 TEE8502的總體結構和工作模式
10. 5. 2 存儲單元和存儲矩陣
10. 5. 3 外圍電路
lo. 6 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)
10. 7 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)
復習思考題
第11章 接口電路
11. 1 雙極邏輯系列間的接口電路
11. 1. 1 ECL和TTL之間的接口電路
11. 1. 2 I2L和TTL之間的接口電路
11. 2 TTL和MOS邏輯系列間的接口電路
11. 2. 1 TTL到CMOS的接口電路
11. 2. 2 CMOS到TTL的接口電路
11. 2. 3 E/D NMOS與TTL之間的接口電路
復習思考題
第12章 模擬集成電路中的基本單元電路
12. 1 單管. 復合器件及雙管放大級
12. 1. 1 雙極晶體管復合器件及雙管放大級
12. 1. 2 MOS管放大級
12. 2 恒流源電路
12. 2. 1 精密匹配電流源
12. 2. 2 PNP恒流源
12. 3 偏置電壓源和基準電壓源電路
12. 3. 1 雙極型三管能隙基準源
12. 3. 2 雙極型二管能隙基準源
12. 3. 3 E/D NMOS基準電壓源
12. 3. 4 CMOS基準電壓源
復習思考題
第13章 集成運算放大器
13. 1 運算放大器的輸入級
13. 1. 1 雙極晶體管射耦對差分輸入級
13. 1. 2 MOS源耦對差分輸入級
13. 2 輸出級電路
13. 2. 1 雙極型輸出級電路
13. 2. 2 MOS輸出級電路
13. 3 雙極型集成運算放大器
13. 3. 1 741型通用集成運放
13. 3. 2 其他特殊運放
13. 4 MOS集成運算放大器
13. 4. 1 MOS集成運放的特點
13. 4. 2 E/D NMOS集成運放
13. 4. 3 全增強型NMOS集成運放
13. 4. 4 CMOS集成運放
13. 5 集成運算放大器的版圖設計
13. 5. 1 雙極型集成運放的版圖設計
13. 5. 2 MOS集成運放的版圖設計
復習思考題
第14章 MOS開關電容電路
14. 1 開關電容等效電阻電路
14. 1. 1 并聯(lián)型開關電容等效電阻電路
14. 1. 2 串聯(lián)型開關電容等效電阻電路
14. 2 開關電容積分器
14. 3 開關電容低通濾波器
復習思考題
第15章 集成穩(wěn)壓器
15. 1 集成穩(wěn)壓器的基本結構
15. 2 啟動電路
15. 2. 1 JFET啟動電路
15. 2. 2 晶體管隔離啟動電路
15. 3 保護電路
15. 3. 1 調整管的過流及安全工作區(qū)保護
15. 3. 2 過熱保護
15. 4 三端固定輸出電壓式穩(wěn)壓電源
15. 4. 1 啟動電路
15. 4. 2 保護電路
15. 4. 3 基準電壓源和誤差放大器
15. 4. 4 取樣電阻
15. 5 集成穩(wěn)壓器的版圖設計
15. 5. 1 調整管的版圖設計
15. 5. 2 集成穩(wěn)壓器版圖設計的熱對稱考慮
復習思考題
第16章 D／A, A／D變換器
16. 1 D／A變換器的基本原理
16. 2 D／A變換器的基本類型
16. 2. 1 電流定標D／A變換器
16. 2. 2 電壓定標D／A變換器
16. 2. 3 電荷定標D／A變換器
16. 3 A／D變換器的變換原理
16. 3. 1 A／D變換器的方框圖
16. 3. 2 主要變換誤差
16. 4 A／D變換器的基本類型
16. 4. 1 積分型A／D變換器
16. 4. 2 逐次逼近式A／D變換器
復習思考題
第17章 集成電路設計概述
復習思考題
第18章 集成電路的正向設計
18. 1 MOS集成電路的正向設計
18. 1. 1 74HCl39電路簡介
18. 1. 2 電路設計
18. 1. 3 工程估算
18. 1. 4 電路模擬
18. 1. 5 版圖設計
18. 1. 6 版圖檢查
18. 2 雙極型集成電路的正向設計
18. 2. 1 雙極型集成電路設計的特點
18. 2. 2 雙極型集成電路中元件的圖形設計
18. 2. 3 雙極型集成電路的版圖設計原則
18. 2. 4 雙極型集成電路版圖設計舉例
復習思考題
第19章 集成電路的芯片解剖
19. 1 MOS集成電路的芯片解剖
19. 1. 1 74HCl93芯片概況
19. 1. 2 芯片解剖過程
19. 1. 3 電路分析
19. 1. 4 邏輯功能的分析
19. 1. 5 版圖設計規(guī)則的分析
19. 1. 6 抑制Latch—up效應的措施
19. 1. 7 版圖的布局布線
19. 2 雙極型集成電路的芯片解剖
復習思考題
第20章 集成電路設計方法
20. 1 全定制設計方法
20. 2 符號法版圖設計
20. 3 半定制設計方法
20. 3. 1 標準單元設計法
20. 3. 2 門陣列設計方法
20. 4 可編程邏輯器件(PLD)設計法
20. 5 現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)設計法
復習思考題
第21章 集成電路的可靠性設計和可測性設計簡介
21. 1 可靠性設計
21. 1. 1 集成電路的固有可靠性
21. 1. 2 電路設計中提高可靠性的措施
21. 1. 3 版圖設計中提高可靠性的措施
21. 1. 4 工藝設計中提高可靠性的措施
21. 2 可測性設計
21. 2. 1 可測性設計的重要性
21. 2. 2 可測性設計簡介
復習思考題
第22章 集成電路的計算機輔助設計簡介
22. 1 概述
22. 2 集成電路CAD中常用的工具簡介
22. 2. 1 器件模擬
22. 2. 2 電路模擬
22. 2. 3 邏輯模擬
22. 2. 4 版圖設計階段
22. 3 VHDL簡介
22. 3. 1 VHDL術語
22. 3. 2 VHDL的主體結構
22. 3. 3 VHDL描述舉例
復習思考題
主要參考文獻
鄂公網安備 42010302001612號 