電力電子器件原理與設計

主要符號表
第一章 電力電子器件的發(fā)展概況
1.1 雙極功率晶體管
1.2 晶閘管與可關斷晶閘管（GTO）
1.3 MOS控制晶閘管（MCT）
1.4 功率MOSFET
1.5 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
1.6 靜電感應晶體管（SIT）與靜電感應晶閘管（SITH）
1.7 功率集成電路（PIC）
參考文獻
第二章 巨型晶體管（GTR）
2.1 達林頓晶體管
2.2 功率達林頓器件的版圖設計方法
2.3 功率達林頓器件的給向結構與參數(shù)設計
2.4 功率達林頓晶體管的特性曲線
2.5 GTR模塊及其特點
2.6 GTR的芯片設計
2.7 GTR的結構設計
2.8 GTR模塊的并聯(lián)作用
習題與思考題
參考文獻
第三章 晶閘管與GTO
3.1 晶閘管的結構及工作原理
3.2 晶閘管的主要參數(shù)及性能
3.3 晶閘管的派生器件
3.4 GTO的結構及最新技術概況
3.5 GTO的電特性與基本工作原理
3.6 六極關斷能力及再導通機理的分析
3.7 大容量GTO的設計與制造
3.8 GTO的改進
習題與思考題
第四章 MOS控制晶閘管（MCT）
4.1 MCT的結構及工作原理
4.2 MCT關斷能力的分析
4.3 MCT的設計方法
4.4 MCT器件的改進與發(fā)展
習題與思考題
參考文獻
第五章 功率MOSFET
5.1 功率MOSFET的種類
5.2 高壓VDMOS器件的結構及工作原理
5.3 高壓VDMOS器件的主要電學參數(shù)
5.4 高壓VDMOS器件的設計方法
5.5 功率VDMOSFET設計考慮
習題與思考題
參考文獻
第六章 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
6.1 IGBT器件的結構及工作原理
6.2 IGBT器件的特性
……
第七章 靜電感應晶體管（SIT）
第八章 靜電感應晶閘管（SITH）
第九章 功率集成電路（PIC）
第十章 電力電子器件的計算機模擬