半導體光電子技術(shù)

第1章 緒論 1.1 引言 1.2 半導體光電子技術(shù)的發(fā)展史 1.3 信息時代的支柱——光電子技術(shù) 1.4 半導體光電子技術(shù)的應(yīng)用 1.5 半導體光電子技術(shù)的發(fā)展趨勢
第2章 半導體光電材料 2.1 光波和光子 2.2 半導體光電子材料 2.3 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 2.4 異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu) 2.5 半導體材料的折射率 2.6 異質(zhì)結(jié)的特性
第3章 半導體光電子技術(shù)基礎(chǔ) 3.1 激光器的三大要素 3.2 半導體中的光發(fā)射 3.3 半導體中的光吸收 3.4 閾值條件 3.5 介質(zhì)波導
第4章 半導體發(fā)光二極管 4.1 發(fā)光二極管的分類 4.2 發(fā)光二極管的材料 4.3 發(fā)光二極管的基本結(jié)構(gòu) 4.4 超輻射發(fā)光二極管 4.5 發(fā)光二極管的基本特征 4.6 超輻射發(fā)光二極管的器件特性 4.7 發(fā)光二極管組件
第5章 半導體激光器 5.1 半導體激光器的分類 5.2 激光二極管的基本結(jié)構(gòu) 5.3 分布反饋（DFB）激光器、分布布拉格反射（DBR）激光 5.4 量子阱激光器 5.5 可見光激光器和大功率激光器 5.6 半導體激光二極管的特性
第6章 光電探測器、光電池和CCD 6.1 光電探測器的分類 6.2 光電探測器的工作原理 6.3 光電探測器的結(jié)構(gòu) 6.4 探測器的性能 6.5 光電池 6.6 CCD攝像器件
第7章 半導體光波導器件 7.1 光波導 7.2 硅基光波導 7.3 光波導耦合器 7.4 光開關(guān) 7.5 AWG波分復用/解復用器 7.6 OXC（光交叉）互連結(jié)構(gòu)
第8章 半導體光電子集成 8.1 OEIC 8.2 半導體激光器庫列 8.3 光電探測器陣列 8.4 激光器同電子器件、光電子器件的集成 8.5 光電子集成的發(fā)展與未來
第9章 半導體光電子器件的制造技術(shù) 9.1 半導體光電子器件的制造工藝流程 9.2 外延生長技術(shù) 9.3 微細加工技術(shù) 9.4 干法刻蝕技術(shù) 9.5 光纖耦合技術(shù)
第10章 光纖通信 10.1 光學領(lǐng)域的三大發(fā)明 10.2 光纖通信的發(fā)展史和概況 10.3 光纖和光纜 10.4 光纖通信系統(tǒng) 10.5 多路復用光通信 10.6 光通信系統(tǒng)和半導體光電子技術(shù)
第11章 光盤存儲、光纖傳盛及其他 11.1 光盤存儲 11.2 光纖傳感 11.3 半導體光電子技術(shù)的其他應(yīng)用 11.4 半導體光電子技術(shù)——高科技競爭的焦點