半導(dǎo)體制造技術(shù)

第1章  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹
目標(biāo)
1.1  引言
1.2  產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.3  電路集成
1.4  集成電路制造
1.5  半導(dǎo)體趨勢(shì)
1.6  電子時(shí)代
1.7  在半導(dǎo)體制造業(yè)中的職業(yè)
1.8  小結(jié)
第2章  半導(dǎo)體材料特性
目標(biāo)
2.1  引言
2.2  原子結(jié)構(gòu)
2.3  周期表
2.4  材料分類
2.5  硅
2.6  可選擇的半導(dǎo)體材料
2.7  小結(jié)
第3章  器件技術(shù)
目標(biāo)
3.1  引言
3.2  電路類型
3.3  無(wú)源元件結(jié)構(gòu)
3.4  有源元件結(jié)構(gòu)
3.5  CMOS器件的閂鎖效應(yīng)
3.6  集成電路產(chǎn)品
3.7  小結(jié)
第4章  硅和硅片制備
目標(biāo)
4.1  引言
4.2  半導(dǎo)體級(jí)硅
4.3  晶體結(jié)構(gòu)
4.4  晶向
4.5  單晶硅生長(zhǎng)
4.6  硅中的晶體缺陷
4.7  硅片制備
4.8  質(zhì)量測(cè)量
4.9  外延層
4.10  小結(jié)
第5章  半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品
目標(biāo)
5.1  引言
5.2  物質(zhì)形態(tài)
5.3  材料的屬性
5.4  工藝用化學(xué)品
5.5  小結(jié)
第6章  硅片制造中的沾污控制
目標(biāo)
6.1  引言
6.2  沾污的類型
6.3  沾污的源與控制
6.4  硅片濕法清洗
6.5  小結(jié)
第7章  測(cè)量學(xué)和缺陷檢查
目標(biāo)
7.1  引言
7.2  集成電路測(cè)量學(xué)
7.3  質(zhì)量測(cè)量
7.4  分析設(shè)備
7.5  小結(jié)
第8章  工藝腔內(nèi)的氣體控制
目標(biāo)
8.1  引言
8.2  真空
8.3  真空泵
8.4  工藝腔內(nèi)的氣流
8.5  殘氣分析器
8.6  等離子體
8.7  工藝腔的沾污
8.8  小結(jié)
第9章  集成電路制造工藝概況
目標(biāo)
9.1  引言
9.2  CMOS工藝流程
9.3  CMOS制作步驟
9.4  小結(jié)
第10章  氧化
目標(biāo)
10.1  引言
10.2  氧化膜
10.3  熱氧化生長(zhǎng)
10.4  高溫爐設(shè)備
10.5  臥式與立式爐
10.6  氧化工藝
10.7  質(zhì)量測(cè)量
10.8  氧化檢查及故障排除
10.9  小結(jié)
第11章  淀積
目標(biāo)
11.1  引言
11.2  膜淀積
11.3  化學(xué)氣相淀積
11.4  CVD淀積系統(tǒng)
11.5  介質(zhì)及其性能
11.6  旋涂絕緣介質(zhì)
11.7  外延
11.8  CVD質(zhì)量測(cè)量
11.9  CVD檢查及故障排除
11.10  小結(jié)
第12章  金屬化
目標(biāo)
12.1  引言
12.2  金屬類型
12.3  金屬淀積系統(tǒng)
12.4  金屬化方案
12.5  金屬化質(zhì)量測(cè)量
12.6  金屬化檢查及故障排除
12.7  小結(jié)
第13章  光刻：氣相成底膜到軟烘
目標(biāo)
13.1  引言
13.2  光刻工藝
13.3  光刻工藝的8個(gè)基本步驟
13.4  氣相成底膜處理
13.5  旋轉(zhuǎn)涂膠
13.6  軟烘
13.7  光刻膠質(zhì)量測(cè)量
13.8  光刻膠檢查及故障排除
13.9  小結(jié)
第14章  光刻：對(duì)準(zhǔn)和曝光
目標(biāo)
14.1  引言
14.2  光學(xué)光刻
14.3  光刻設(shè)備
14.4  混合和匹配
14.5  對(duì)準(zhǔn)和曝光質(zhì)量測(cè)量
14.6  對(duì)準(zhǔn)和曝光檢查及故障排除
14.7  小結(jié)
第15章  光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù)
目標(biāo)
15.1  引言
15.2  曝光后烘焙
15.3  顯影
15.4  堅(jiān)膜
15.5  顯影檢查
15.6  先進(jìn)的光刻技術(shù)
15.7  顯影質(zhì)量測(cè)量
15.8  顯影檢查及故障排除
15.9  小結(jié)
第16章  刻蝕
目標(biāo)
16.1  引言
16.2  刻蝕參數(shù)
16.3  干法刻蝕
16.4  等離子體刻蝕反應(yīng)器
16.5  干法刻蝕的應(yīng)用
16.6  濕法腐蝕
16.7  刻蝕技術(shù)的發(fā)展歷程
16.8  去除光刻膠
16.9  刻蝕檢查
16.10  刻蝕質(zhì)量測(cè)量
16.11  干法刻蝕檢查及故障排除
16.12  小結(jié)
第17章  離子注入
目標(biāo)
17.1  引言
17.2  擴(kuò)散
17.3  離子注入
17.4  離子注入機(jī)
17.5  離子注入在工藝集成中的發(fā)展趨勢(shì)
17.6  離子注入質(zhì)量測(cè)量
17.7  離子注入檢查及故障排除
17.8  小結(jié)
第18章  化學(xué)機(jī)械平坦化
目標(biāo)
18.1  引言
18.2  傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)
18.3  化學(xué)機(jī)械平坦化
18.4  CMP應(yīng)用
18.5  CMP質(zhì)量測(cè)量
18.6  CMP檢查及故障排除
18.7  小結(jié)
第19章  硅片測(cè)試
目標(biāo)
19.1  引言
19.2  硅片測(cè)試
19.3  測(cè)試質(zhì)量測(cè)量
19.4  測(cè)試檢查及故障排除
19.5  小結(jié)
第20章  裝配與封裝
目標(biāo)
20.1  引言
20.2  傳統(tǒng)裝配
20.3  傳統(tǒng)封裝
20.4  先進(jìn)的裝配與封裝
20.5  封裝與裝配質(zhì)量測(cè)量
20.6  集成電路封裝檢查及故障排除
20.7  小結(jié)
附錄A  化學(xué)品及安全性
附錄B  凈化間的沾污控制
附錄C  單位
附錄D  作為氧化層厚度函數(shù)的顏色
附錄E  光刻膠化學(xué)的概要
附錄F  刻蝕化學(xué)
術(shù)語(yǔ)表