晶體管電路設(shè)計(jì)（下 FET/功率MOS/開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析）

第1章 晶體管. FET和IC
1. 1 晶體管和FET的靈活使用
1. 1. 1 使用IC的優(yōu)缺點(diǎn)
1. 1. 2 使用晶體管和FET的優(yōu)缺點(diǎn)
1. 1. 3 靈活使用IC以及晶體管. FET
1. 1. 4 靈活使用技術(shù)
1. 2 進(jìn)入自我設(shè)計(jì)IC的時(shí)代
1. 2. 1 自己設(shè)計(jì)IC
1. 2. 2 模擬電路今后也將采用 CMOS FET器件
第2章 FET放大電路的工作原理
2. 1 放大電路的波形
2. 1. 1 3倍放大器
2. 1. 2 柵極上加偏壓
2. 1. 3 柵極-源極間電壓為0. 4V
2. 1. 4 FET是電壓控制器件
2. 1. 5 輸出是源極電流的變化部分
2. 1. 6 漏極的相位相反
2. 1. 7 與雙極晶體管電路的差別
2. 2 FET的工作原理
2. 2. 1 JFET與MOSFET
2. 2. 2 FET的結(jié)構(gòu)
2. 2. 3 FET的電路符號(hào)
2. 2. 4 JFET的傳輸特性
2. 2. 5 放大倍數(shù)是跨導(dǎo)gm
2. 2. 6 實(shí)際器件的跨導(dǎo)
2. 2. 7 MOSFET的傳輸特性
2. 2. 8 MOSFET的跨導(dǎo)
第3章 源極接地放大電路的設(shè)計(jì)
3. 1 設(shè)計(jì)放大電路前的準(zhǔn)備
3. 1. 1 源極接地電路的直流電位
3. 1. 2 求解交流電壓放大倍數(shù)
3. 1. 3 更換FET器件的品種
3. 1. 4 用晶體管替代FET
3. 2 放大電路的設(shè)計(jì)
3. 2. 1 確定電源電壓
3. 2. 2 選擇FET
3. 2. 3 使用低頻低噪聲器件2SKl84
3. 2. 4 決定漏極電流工作點(diǎn)
3. 2. 5 確定RD和Rs
3. 2. 6 功率損耗的計(jì)算
3. 2. 7 柵極偏壓電路的設(shè)計(jì)
3. 2. 8 進(jìn)行必要的驗(yàn)算
3. 2. 9 確定電容C1. C2的方法
3. 2. 10 FET電路中旁路電容也是重要的
3. 3 放大電路的性能
3. 3. 1 測定輸入阻抗
3. 3. 2 確認(rèn)輸入阻抗的高低
3. 3. 3 輸出阻抗
3. 3. 4 放大倍數(shù)與頻率特性
3. 3. 5 高頻截止頻率
3. 3. 6 更換FET時(shí)的高頻特性
3. 3. 7 使輸入電容變大的米勒效應(yīng)
3. 3. 8 如何提高放大倍數(shù)
3. 3. 9 電壓增益與頻率特性的關(guān)系
3. 3. 10 噪聲特性
3. 3. 11 總諧波失真
3. 4 源極接地放大電路的應(yīng)用電路
3. 4. 1 使用N溝JFET和負(fù)電源的電路
3. 4. 2 使用零偏置JFET的電路
3. 4. 3 150MHz調(diào)諧放大電路
3. 4. 4 高增益. 高輸入阻抗放大電路
3. 4. 5 高輸入阻抗低噪聲放大電路
3. 4. 6 簡單的恒流電路
第4章 源極跟隨器電路的設(shè)計(jì)
4. 1 源極跟隨器的工作
4. 1. 1 與源極接地電路的不同之處
4. 1. 2 輸出與輸入的波形是相同的
4. 1. 3 輸出阻抗低的原因
4. 2 源極跟隨器電路的設(shè)計(jì)
4. 2. 1 確定電源電壓
4. 2. 2 選擇FET
4. 2. 3 對FET的要求
4. 2. 4 偏置電路的設(shè)計(jì)
4. 2. 5 確定源極電阻Rs的方法
4. 2. 6 FET的發(fā)熱--計(jì)算漏極損耗
4. 2. 7 確認(rèn)最高使用溫度
4. 2. 8 決定電容C1和C2
4. 2. 9 電源的去耦電容器
4. 3 源極跟隨器的性能
4. 3. 1 輸入阻抗的測定
4. 3. 2 輸出阻抗
4. 3. 3 負(fù)載電阻變重時(shí)的情況
4. 3. 4 推 挽
4. 3. 5 使用功率MOSFET
4. 3. 6 測定振幅頻率特性
4. 3. 7 噪聲和總諧波失真
4. 4 源極跟隨器電路的應(yīng)用電路
4. 4. 1 采用N溝JFET和負(fù)電源的電路
4. 4. 2 采用P溝JFET和負(fù)電源的電路
4. 4. 3 源極跟隨器 恒流負(fù)載
4. 4. 4 采用JFET的推挽源極跟隨器
4. 4. 5 FET與晶體管混合的達(dá)林頓連接
4. 4. 6 源極跟隨器 OP放大器
4. 4. 7 OP放大器 源極跟隨器
第5章 FET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作
5. 1 低頻功率放大電路的構(gòu)成
5. 1. 1 晶體管電路中的基極電流
5. 1. 2 使用MOSFET能夠使電路簡單化
5. 1. 3 晶體管電路中必須有防熱擊穿電路
5. 1. 4 MOSFET電路中沒有熱擊穿問題
5. 1. 5 簡單的溫度補(bǔ)償電路
5. 2 MOSFET功率放大器的設(shè)計(jì)
5. 2. 1 放大器的設(shè)計(jì)指標(biāo)
5. 2. 2 首先確定電源電壓
5. 2. 3 OP放大器的電源電路是3端穩(wěn)壓電源
5. 2. 4 關(guān)于源極跟隨器級(jí)的電源
5. 2. 5 整流電路的輸出電壓和電流
5. 2. 6 整流電路中的二極管與電容器
5. 2. 7 選擇源極跟隨器用的FET
5. 2. 8 需要有散熱片和限流電阻
5. 2. 9 源極跟隨器偏置電路的構(gòu)成
5. 2. 10 偏置用恒流源的討論
5. 2. 11 選擇溫度補(bǔ)償用晶體管
5. 2. 12 確定偏置電壓VB
5. 2. 13 OP放大器構(gòu)成的電壓放大級(jí)
5. 2. 14 輸入電路外圍使用的器件
5. 2. 15 為使電路正常工作所加入的各元件
5. 2. 16 對于揚(yáng)聲器負(fù)載的措施
5. 3 功率放大器的調(diào)整及性能評(píng)價(jià)
5. 3. 1 電路的工作波形
5. 3. 2 溫度補(bǔ)償電路的工作
5. 3. 3 低頻放大器的性能--頻率特性和噪聲特性
5. 3. 4 與晶體管放大器的失真率特性比較
5. 4 低頻功率放大器的應(yīng)用電路
5. 4. 1 并聯(lián)推挽源極跟隨器
5. 4. 2 100W低頻功率放大器
第6章 柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)
6. 1 柵極接地的波形
6. 1. 1 實(shí)驗(yàn)電路的結(jié)構(gòu)
6. 1. 2 非反轉(zhuǎn)3倍放大器
6. 1. 3 源極波形與漏極波形同相
6. 2 柵極接地電路的設(shè)計(jì)
6. 2. 1 電源電壓與FET的選擇
6. 2. 2 求交流放大倍數(shù)
6. 2. 3 確定Rs. R3. RD的方法
6. 2. 4 求最大輸出電壓
6. 2. 5 偏置電路的設(shè)計(jì)
6. 2. 6 確定電容C1～C5的方法
6. 3 柵極接地電路的性能
6. 3. 1 輸入輸出阻抗的測定
6. 3. 2 針對高輸出阻抗的措施
6. 3. 3 放大倍數(shù)與頻率特性
6. 3. 4 高頻范圍的特性
6. 3. 5 頻率特性好的原因
6. 3. 6 輸入電容C不影響特性的證據(jù)
6. 3. 7 使用2SK241時(shí)為什么沒有變好
6. 3. 8 噪聲和總諧波失真
6. 4 柵極接地放大電路的應(yīng)用電路
6. 4. 1 視頻放大器
6. 4. 2 柵-陰放大連接
6. 4. 3 柵-陰放大連接自舉電路
6. 4. 4 低噪聲高輸入阻抗放大電路
第7章 電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作
7. 1 電流反饋型OP放大器
7. 1. 1 過去的OP放大器--電壓反饋型
7. 1. 2 新型的OP放大器--電流反饋型
7. 1. 3 電流反饋型OP放大器與電壓反饋型
OP放大器的比較
7. 2 電流反饋型OP放大器的基本構(gòu)成
7. 2. 1 輸入緩沖與跨阻抗
7. 2. 2 輸出級(jí)的構(gòu)成--射極跟隨器
7. 3 電流反饋型視頻放大器的設(shè)計(jì). 制作
7. 3. 1 視頻放大器的設(shè)計(jì)
7. 3. 2 電源電壓和晶體管的選定
7. 3. 3 由發(fā)射極電流決定各電阻值
7. 3. 4 源極跟隨器的設(shè)計(jì)
7. 4 視頻放大器的性能
7. 4. 1 電路的檢驗(yàn)
7. 4. 2 輸出阻抗的測定
7. 4. 3 增益及頻率特性的測量
7. 4. 4 與電壓反饋型OP放大器比較
7. 4. 5 頻率特性的改善
7. 4. 6 方波的響應(yīng)
7. 4. 7 視頻放大器的噪聲特性
7. 4. 8 跨阻抗的測定
7. 4. 9 輸出偏移的原因是什么
7. 5 電流反饋型OP放大器的應(yīng)用電路
7. 5. 1 柵-陰放大連接自舉化的視頻放大器
7. 5. 2 輸入級(jí)采用晶體管的電流反饋型放大器
7. 5. 3 使用電流反射鏡的電流反饋型放大器
第8章 晶體管開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
8. 1 發(fā)射極接地型開關(guān)電路
8. 1. 1 晶體管的開關(guān)
8. 1. 2 從放大電路到開關(guān)電路
8. 1. 3 觀測開關(guān)波形
8. 1. 4 如果集電極開路
8. 2 發(fā)射極接地型開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
8. 2. 1 開關(guān)晶體管的選擇
8. 2. 2 當(dāng)需要大的負(fù)載電流時(shí)
8. 2. 3 確定偏置電路R1. R2
8. 2. 4 開關(guān)速度慢--us量級(jí)
8. 3 如何提高開關(guān)速度
8. 3. 1 使用加速電容
8. 3. 2 肖特基箍位
8. 3. 3 如何提高輸出波形的上升速度
8. 4 射極跟隨器型開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
8. 4. 1 給射極跟隨器輸入大振幅
8. 4. 2 開關(guān)速度
8. 4. 3 設(shè)計(jì)開關(guān)電路的指標(biāo)
8. 4. 4 晶體管的選擇
8. 4. 5 偏置電阻R1的確定
8. 5 晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用
8. 5. 1 繼電器驅(qū)動(dòng)電路
8. 5. 2 LED顯示器動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)電路 發(fā)射極接地
8. 5. 3 LED顯示器動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)電路 射極跟隨器
8. 5. 4 光耦合器的傳輸電路
第9章 FET開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
9. 1 使用JFET的源極接地型開關(guān)電路
9. 1. 1 給N溝JFET輸入正弦波
9. 1. 2 給P溝JFET輸入正弦波
9. 1. 3 JFET的傳輸特性
9. 1. 4 正弦波輸入波形被限幅的原因
9. 1. 5 開關(guān)波形--正常導(dǎo)通與正常截止
9. 1. 6 FET用于高速開關(guān)的可能性
9. 1. 7 設(shè)計(jì)JFET開關(guān)電路時(shí)應(yīng)該注意的問題
9. 2 采用MOSFET的源極接地型開關(guān)電路
9. 2. 1 給MOSFET輸入正弦波
9. 2. 2 MOSFET電路的波形
9. 2. 3 MOSFET源極接地型開關(guān)電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)
9. 2. 4 MOSFET的選擇
9. 2. 5 確定柵極偏置電阻的方法
9. 2. 6 開路漏極電路
9. 3 源極跟隨器型開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
9. 3. 1 使用N溝JFET的源極跟隨器開關(guān)電路
9. 3. 2 采用P溝JFET的源極跟隨器開關(guān)電路
9. 3. 3 采用MOSFET的源極跟隨器開關(guān)電路
9. 3. 4 源極跟隨器開關(guān)電路中需要注意的幾個(gè)問題
第10章 功率MOS電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
10. 1 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)
10. 1. 1 電動(dòng)機(jī)正轉(zhuǎn)／逆轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)
--H電橋電路
10. 1. 2 MOSFET H電橋電路
10. 1. 3 驅(qū)動(dòng)源極跟隨器型MOSFET的方法
10. 1. 4 H電橋控制電路的結(jié)構(gòu)
10. 2 H電橋電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
10. 2. 1 電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)
10. 2. 2 選擇驅(qū)動(dòng)15V／1A的H電橋的FET
10. 2. 3 FET中內(nèi)藏續(xù)流二極管
10. 2. 4 控制H電橋的邏輯電路
10. 2. 5 發(fā)射極接地型開關(guān)電路中的內(nèi)藏電阻型
晶體管
10. 2. 6 驅(qū)動(dòng)電路用的電源用DC-DC變換器升壓
10. 2. 7 DC-DC變換器的基礎(chǔ)是施密特觸發(fā)
振蕩電路
10. 3 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作波形
10. 3. 1 驅(qū)動(dòng)電路用電源--DC-DC變換器部分的
波形
10. 3. 2 驅(qū)動(dòng)輸出的波形
10. 3. 3 提高開關(guān)速度時(shí)的問題
10. 4 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用電路
10. 4. 1 采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的
電路
10. 4. 2 使用晶體管的H電橋
第11章 功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
11. 1 開關(guān)電源的結(jié)構(gòu)
11. 1. 1 與串級(jí)型直流電源的不同
11. 1. 2 升壓型開關(guān)電源的結(jié)構(gòu)
11. 1. 3 開關(guān)電源的基本要素
11.
2升壓型開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
11. 2. 1 制作的開關(guān)電源的指標(biāo)
11. 2. 2 開關(guān)器件--MOSFET的選擇
11. 2. 3 確定電感
11. 2. 4 脈沖整流電路的結(jié)構(gòu)
11. 2. 5 開關(guān)用振蕩電路的結(jié)構(gòu)
11. 2. 6 穩(wěn)定電壓的措施
11. 2. 7 確定反饋電路的參數(shù)
11. 2. 8 各電容器的確定
11. 3 電源電路的波形和性能
11. 3. 1 電源的輸出波形
11. 3. 2 各部分的開關(guān)波形
11. 3. 3 開關(guān)用MOSFET的電流波形
11. 3. 4 取出的最大輸出電壓
11. 3. 5 電路的功率轉(zhuǎn)換效率
11. 3. 6 輸出電壓：輸出電流特性--加載調(diào)整
11. 3. 7 輸出電壓：輸入電壓特性--線性調(diào)整
11. 4 升壓型開關(guān)電源的應(yīng)用電路
11. 4. 1 固定輸出電壓的開關(guān)電源
11. 4. 2 使用晶體管開關(guān)器件的電源電路
第12章 晶體管開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
12. 1 降壓型電源的結(jié)構(gòu)
12. 1. 1 給低通濾波器輸入方波
12. 1. 2 開關(guān)電路 濾波器＝降壓型開關(guān)電源
12. 1. 3 SW斷開時(shí)需要續(xù)流二極管
12. 2 降壓型開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
12. 2. 1 電源電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)
12. 2. 2 開關(guān)器件的選擇--首先考慮電流值
12. 2. 3 晶體管的耐壓
12. 2. 4 決定基極電流大小的R3. R4
12. 2. 5 續(xù)流二極管的選擇
12. 2. 6 低通濾波器部分的設(shè)計(jì)
12. 2. 7 驅(qū)動(dòng)開關(guān)的振蕩電路
12. 2. 8 穩(wěn)定電壓的反饋電路
12. 2. 9 設(shè)定輸出電壓
12. 2. 10 周邊各電容器的確定
12. 3 電源的波形與特性
12. 3. 1 輸出波形的確認(rèn)
12. 3. 2 控制電路的波形
12. 3. 3 Tr1的開關(guān)波形
12. 3. 4 開關(guān)晶體管的電流波形
12. 3. 5 電路的轉(zhuǎn)換效率
12. 3. 6 輸出電壓：輸出電流特性 加載調(diào)整
12. 3. 7 輸出電壓：輸入電壓特性 線性調(diào)整
12. 4 降壓型開關(guān)電源的應(yīng)用電路
12. 4. 1 無須調(diào)整的電路 1
12. 4. 2 無須調(diào)整的電路 2
12. 4. 3 開關(guān)器件采用MOSFET的電路
第13章 模擬開關(guān)電路的設(shè)計(jì)
13. 1 模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)
13. 1. 1 模擬開關(guān)
13. 1. 2 使用二極管的開關(guān)
13. 1. 3 使用晶體管的開關(guān)
13. 1. 4 使用FET的開關(guān)
13. 1. 5 FET開關(guān)的輸出波形與機(jī)械開關(guān)
完全相同
13. 1. 6 輸入信號(hào)原封不動(dòng)地出現(xiàn)在柵極
13. 1. 7 改變Vcs控制開關(guān)的接通／斷開
13. 2 JFET模擬開關(guān)的設(shè)計(jì)
13. 2. 1 開關(guān)用FET的選擇
13. 2. 2 開關(guān)器件2SK330的特性
13. 2. 3 FET開關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)電路
13. 2. 4 開關(guān)的電平變換電路
13. 2. 5 各部分的電位和周邊電阻值
13. 3 模擬開關(guān)電路的性能
13. 3. 1 開關(guān)的動(dòng)作
13. 3. 2 導(dǎo)通電阻的大小
13. 3. 3 截止隔離
13. 4 模擬開關(guān)的應(yīng)用電路
13. 4. 1 改善截止隔離的電路
13. 4. 2 采用P溝JFET的電路
13. 4. 3 利用OP放大器的假想接地的切換電路
13. 4. 4 減小FET導(dǎo)通電阻影響的OP放大器
切換電路
13. 4. 5 采用光MOS的模擬開關(guān)
13. 4. 6 使用晶體管的短開關(guān)
13. 4. 7 晶體管差動(dòng)型模擬開關(guān)
第14章 振蕩電路的設(shè)計(jì)
14. 1 振蕩電路的構(gòu)成
14. 1. 1 正反饋
14. 1. 2 使用共振電路和負(fù)阻元件
14. 1. 3 負(fù)阻元件
14. 2 RC振蕩電路的設(shè)計(jì)
14. 2. 1 移相振蕩的結(jié)構(gòu)
14. 2. 2 振蕩的條件
14. 2. 3 電路的增益
14. 2. 4 實(shí)際的振蕩波形
14. 3 LC振蕩電路的設(shè)計(jì)
14. 3. 1 應(yīng)用共振電路和負(fù)阻產(chǎn)生振蕩
14. 3. 2 變形考畢茲電路
14. 3. 3 確定實(shí)際電路的常數(shù)
14. 3. 4 觀察振蕩波形--C1. C2的重要性
14. 3. 5 通過緩沖器輸出
14. 4 石英振蕩器的設(shè)計(jì)
14. 4. 1 使用石英振子
14. 4. 2 設(shè)計(jì)振蕩電路--考畢茲型振蕩電路
14. 4. 3 實(shí)際的振蕩波形--C1. C2的重要性
14. 4. 4 諧波振蕩電路
14. 5 各種振蕩電路
14. 5. 1 FET移相振蕩電路
14. 5. 2 LC振蕩電路的頻率調(diào)整
14. 5. 3 使用MOSFET的LC振蕩電路
14. 5. 4 應(yīng)用陶瓷振子的振蕩電路
14. 5. 5 集電極輸出的石英振蕩電路
第15章 FM無線話筒的制作
15. 1 無線話筒的結(jié)構(gòu)
15. 1. 1 頻率調(diào)制音頻信號(hào)--FM
15. 1. 2 FM調(diào)制的構(gòu)成
15. 2 無線話筒的設(shè)計(jì)
15. 2. 1 無線話筒的設(shè)計(jì)指標(biāo)
15. 2. 2 話筒和AF放大器
15. 2. 3 FM調(diào)制電路的構(gòu)成
15. 2. 4 振蕩電路的構(gòu)成
15. 2. 5 RF放大器的構(gòu)成
15. 2. 6 天 線
15. 2. 7 電路的調(diào)整方法
15. 2. 8 電路的性能
15. 2. 9 如果希望變更頻率偏移
15. 3 FM無線話筒的應(yīng)用電路
15. 3. 1 給RF放大器附加調(diào)諧電路
15. 3. 2 振蕩電路中采用陶瓷振子 1
15. 3. 3 振蕩電路中采用陶瓷振子 2
參考文獻(xiàn)