序
前言
第一章 壓電材料與壓電學基礎
1.1 壓電材料的發(fā)展
1.2 晶體的點陣結構和對稱性
1.3 晶體的壓電性質
1.4 壓電薄膜的電學性質
參考文獻
第二章 壓電薄膜的制備方法
2.1 真空基礎基礎
2.2 真空蒸發(fā)鍍膜
2.3 濺射鍍膜
2.4 化學氣相沉積
2.5 磁控濺射制備AIN薄膜
參考文獻
第三章 薄膜的形成、結構與缺陷研究
3.1 薄膜的形成過程
3.2 薄膜的機構
3.3 薄膜的缺陷
參考文獻
第四章 薄膜材料的表征方法
4.1 薄膜厚度的測量
4.2 薄膜結構的表征
4.3 薄膜成分的分析
參考文獻
第五章 AIN薄膜擇優(yōu)取向的研究
5.1 濺射氣壓對薄膜擇優(yōu)取向的影響
5.2 靶基距對薄膜則有取向的影響
5.3 靶功率對薄膜則有取向的影響
5.4 氮氣濃度對薄膜則有取向的影響
5.5 基片種類對薄膜則有取向的影響
5.6 薄膜則有取向機理的探討
5.7 薄膜則有取向程度與實驗參數(shù)之間的函數(shù)關系
5.8 薄膜的組織
參考文獻
第六章 AIN薄膜的表面結構和組成分析
6.1 AIN薄膜的表面粗糙度分析
6.2 AIN薄膜的組成分析
參考文獻
第七章 壓電薄膜的反應
7.1 聲表面波器件應用
7.2 壓電薄膜題波模的應用
參考文獻
附錄 230個晶體學空間群