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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)匯集了作者在三維結(jié)構(gòu)MOS晶體管技術(shù)研究方面所取得的主要研究成果。內(nèi)容涉及背柵、平面雙柵、可分離雙柵MOS以及三維集成MOS器件。在背柵器件部分，主要內(nèi)容為全自對(duì)準(zhǔn)背柵MOS晶體管制作技術(shù)研究、多晶硅上高質(zhì)量柵氧化硅生長(zhǎng)技術(shù)研究以及可用于三維SRAM的高性能背柵器件的研制。在平面雙柵器件部分，主要內(nèi)容有單晶粒硅膜上自對(duì)準(zhǔn)雙柵MOS晶體管制作技術(shù)研究、多柵/多體MOS晶體管概念、可電分離雙柵 MOS晶體管的自對(duì)準(zhǔn)加工工藝技術(shù)研究以及低溫多晶硅雙柵薄膜晶體管的自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)研究。在三維器件部分，主要研究了層疊式共柵CMOS電路構(gòu)建技術(shù)。詳細(xì)描述了性能可與體硅或SOI 器件相比擬的高性能三維PMOS負(fù)載管以及由此構(gòu)成的垂直自對(duì)準(zhǔn)三維CMOS反向器的的制備技術(shù)。本書(shū)可作為半導(dǎo)體和微電子專(zhuān)業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生以及集成電路領(lǐng)域技術(shù)人員的參考書(shū)。