硅集成電路工藝基礎(chǔ)

第一章 硅的晶體結(jié)構(gòu)
1.1 硅晶體結(jié)構(gòu)的特點
1.2 晶向、晶面和堆積模型
1.3 硅晶體中的缺陷
1.4 硅中雜質(zhì)
1.5 雜質(zhì)在硅晶體中溶解度
參考文獻(xiàn)
第二章 氧化
2.1 SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.3 硅的熱氧化生長動力學(xué)
2.4 硅的熱氧化生長動力學(xué)
2.5 決定氧化過程中的雜質(zhì)再分布
2.6 初始氧化階段以及薄氧化層的生長
2.7 Si-SiO2界面特性
參考文獻(xiàn)
第三章 擴散
3.1 雜質(zhì)擴散機構(gòu)
3.2 擴散系數(shù)與擴散方程
3.3 擴散雜質(zhì)的分布
3.4 影響雜質(zhì)分布的其他因素
3.5 擴散工藝
3.6 擴散工藝的發(fā)展
參考文獻(xiàn)
第四章 離子注入
4.1 核碰撞和電子碰撞
4.2 注入離子在無定形靶中的分布
4.3 注入損傷
4.4 熱退火
參考文獻(xiàn)
第五章 物理氣相淀積
5.1 真空蒸發(fā)法制備薄的基本原理
5.2 蒸發(fā)源
5.3 氣體輝光放電
5.4 濺射
參考文獻(xiàn)
第六章 化學(xué)氣相淀積
6.1 CVD模型
6.2 化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)
6.3 CVD多晶硅的特性和淀積方法
6.4 CVD二氧化硅的特性和淀積方法
6.5 CVD氮化硅的特性及淀積方法
6.6 金屬的化學(xué)氣相淀積
參考文獻(xiàn)
第七章 外延
第八章 光刻與刻蝕工藝
第九章 金屬化與多層互連
第十章 工藝集成
附錄
縮略語及物理量