模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)

第1章  模擬電路設(shè)計(jì)緒論                  
 1. 1  研究模擬電路的重要性                  
 1. 2  研究模擬集成電路的重要性                  
 1. 3  研究CMOS模擬集成電路的重要性                  
 1. 4  本書(shū)的特點(diǎn)                  
 1. 5  電路設(shè)計(jì)的一般概念                  
 1. 5. 1  抽象級(jí)別                  
 1. 5. 2  魯棒模擬電路設(shè)計(jì)                  
 1. 5. 3  符號(hào)                  
                   
 第2章  MOS器件物理基礎(chǔ)                  
 2. 1  基本概念                  
 2. 1. 1  MOSFET開(kāi)關(guān)                  
 2. 1. 2  MOSFET的結(jié)構(gòu)                  
 2. 1. 3  MOS符號(hào)                  
 2. 2  MOS的I／V特性                  
 2. 2. 1  閾值電壓                  
 2. 2. 2  I／V特性的推導(dǎo)                  
 2. 3  二級(jí)效應(yīng)                  
 2. 4  MOS器件模型                  
 2. 4. 1  MOS器件版圖                  
 2. 4. 2  MOS器件電容                  
 2. 4. 3  MOS小信號(hào)模型                  
 2. 4. 4  MOS SPICE模型                  
 2. 4. 5  NMOS與PMOS器件的比較                  
 2. 4. 6  長(zhǎng)溝道器件與短溝道器件的比較                  
 附錄A：用作電容器的MOS器件的特性                  
 習(xí)題                  
                   
 第3章  單級(jí)放大器                  
 3. 1  基本概念                  
 3. 2  共源級(jí)                  
 3. 2. 1  采用電阻負(fù)載的共源級(jí)                  
 3. 2. 2  采用二極管連接的負(fù)載的共源級(jí)                  
 3. 2. 3  采用電流源負(fù)載的共源級(jí)                  
 3. 2. 4  工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級(jí)                  
 3. 2. 5  帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)                  
 3. 3  源跟隨器                  
 3. 4  共柵級(jí)                  
 3. 5  共源共柵級(jí)                  
 3. 5. 1  折疊式共源共柵                  
 3. 6  器件模型的選擇                  
 習(xí)題                  
                   
 第4章  差動(dòng)放大器                  
 4. 1  單端與差動(dòng)的工作方式                  
 4. 2  基本差動(dòng)對(duì)                  
 4. 2. 1  定性分析                  
 4. 2. 2  定量分析                  
 4. 3  共模響應(yīng)                  
 4. 4  MOS為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)                  
 4. 5  吉爾伯特單元                  
 習(xí)題                  
                   
 第5章  無(wú)源與有源電流鏡                  
 5. 1  基本電流鏡                  
 5. 2  共源共柵電流鏡                  
 5. 3  有源電流鏡                  
 5. 3. 1  大信號(hào)分析                  
 5. 3. 2  小信號(hào)分析                  
 5. 3. 3  共模特性                  
 習(xí)題                  
                   
 第6章  放大器的頻率特性                  
 6. 1  概述                  
 6. 1. 1  密勒效應(yīng)                  
 6. 1. 2  極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)                  
 6. 2  共源極                  
 6. 3  源跟隨器                  
 6. 4  共柵級(jí)                  
 6. 5  共源共柵級(jí)                  
 6. 6  差動(dòng)對(duì)                  
 附錄A：密勒定理的對(duì)偶                  
 習(xí)題                  
                   
 第7章  噪聲                  
 7. 1  噪聲的統(tǒng)計(jì)特性                  
 7. 1. 1  噪聲譜                  
 7. 1. 2  幅值分布                  
 7. 1. 3  相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源                  
 7. 2  噪聲類型                  
 7. 2. 1  熱噪聲                  
 7. 2. 2  閃爍噪聲                  
 7. 3  電路中的噪聲表示                  
 7. 4  單級(jí)放大器中的噪聲                  
 7. 4. 1  共源級(jí)                  
 7. 4. 2  共柵級(jí)                  
 7. 4. 3  源跟隨器                  
 7. 4. 4  共源共柵級(jí)                  
 7. 5  差動(dòng)對(duì)中的噪聲                  
 7. 6  噪聲帶寬                  
 習(xí)題                  
                   
 第8章  反饋                  
 8. 1  概述                  
 8. 1. 1  反饋電路的特性                  
 8. 1. 2  放大器的種類                  
 8. 1. 3  檢測(cè)和返回機(jī)制                  
 8. 2  反饋結(jié)構(gòu)                  
 8. 2. 1  電壓-電壓反饋                  
 8. 2. 2  電流-電壓反饋                  
 8. 2. 3  電壓-電流反饋                  
 8. 2. 4  電流-電流反饋                  
 8. 3  負(fù)載的影響                  
 8. 3. 1  二端口網(wǎng)絡(luò)模型                  
 8. 3. 2  電壓-電壓反饋中的負(fù)載                  
 8. 3. 3  電流-電壓反饋中的負(fù)載                  
 8. 3. 4  電壓-電流反饋中的負(fù)載                  
 8. 3. 5  電流-電流反饋中的負(fù)載                  
 8. 3. 6  負(fù)載影響小結(jié)                  
 8. 4  反饋對(duì)噪聲的影響                  
 習(xí)題                  
                   
 第9章  運(yùn)算放大器                  
 9. 1  概述                  
 9. 1. 1  性能參數(shù)                  
 9. 2  一級(jí)運(yùn)放                  
 9. 3  兩級(jí)運(yùn)放                  
 9. 4  增益的提高                  
 9. 5  性能比較                  
 9. 6  共模反饋                  
 9. 7  輸入范圍限制                  
 9. 8  轉(zhuǎn)換速率                  
 9. 9  電源抑制                  
 9. 10  運(yùn)放的噪聲                  
 習(xí)題                  
                   
 第10章  穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償                  
 10. 1  概述                  
 10. 2  多極點(diǎn)系統(tǒng)                  
 10. 3  相位裕度                  
 10. 4  頻率補(bǔ)償                  
 10. 5  兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償                  
 10. 5. 1  兩級(jí)運(yùn)放中的轉(zhuǎn)換                  
 10. 6  其它補(bǔ)償技術(shù)                  
 習(xí)題                  
                   
 第11章  帶隙基準(zhǔn)                  
 11. 1  概述                  
 11. 2  與電源無(wú)關(guān)的偏置                  
 11. 3  與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)                  
 11. 3. 1  負(fù)溫度系數(shù)電壓                  
 11. 3. 2  正溫度系數(shù)電壓                  
 11. 3. 3  帶隙基準(zhǔn)                  
 11. 4  PTAT電流的產(chǎn)生                  
 11. 5  恒定Gm偏置                  
 11. 6  速度與噪聲問(wèn)題                  
 11. 7  實(shí)例分析                  
 習(xí)題                  
                   
 第12章  開(kāi)關(guān)電容電路                  
 12. 1  概述                  
 12. 2  采樣開(kāi)關(guān)                  
 12. 2. 1  MOSFETs開(kāi)關(guān)                  
 12. 2. 2  速度問(wèn)題                  
 12. 2. 3  精度問(wèn)題                  
 12. 2. 4  電荷注入抵消                  
 12. 3  開(kāi)關(guān)電容放大器                  
 12. 3. 1  單位增益采樣器/緩沖器                  
 12. 3. 2  同相放大器                  
 12. 3. 3　精確乘2電路                  
 12. 4  開(kāi)關(guān)電容積分器                  
 12. 5  開(kāi)關(guān)電容共模反饋                  
 習(xí)題                  
                   
 第13章  非線性與不匹配                  
 13. 1  非線性                  
 13. 1. 1  概述                  
 13. 1. 2  差動(dòng)電路的非線性                  
 13. 1. 3  負(fù)反饋對(duì)非線性的影響                  
 13. 1. 4  電容器的非線性                  
 13. 1. 5　線性化技術(shù)                  
 13. 2  不匹配                  
 13. 2. 1  失調(diào)消除技術(shù)                  
 13. 2. 2  用失調(diào)消除來(lái)降低噪聲                  
 13. 2. 3  CMRR的另一種定義                  
 習(xí)題                  
                   
 第14章　振蕩器                  
 14. 1  概述                  
 14. 2　環(huán)形振蕩器                  
 14. 3  LC振蕩器                  
 14. 3. 1  交叉耦合振蕩器                  
 14. 3. 2　科爾皮茲振蕩器                  
 14. 3. 3  單端口振蕩器                  
 14. 4　壓控振蕩器                  
 14. 4. 1  環(huán)形振蕩器調(diào)節(jié)                  
 14. 4. 2  LC振蕩器的調(diào)節(jié)                  
 14. 5  VCO的數(shù)學(xué)模型                  
 習(xí)題                  
                   
 第15章　鎖相環(huán)                  
 15. 1  簡(jiǎn)單的鎖相環(huán)                  
 15. 1. 1  鑒相器                  
 15. 1. 2  基本的PLL結(jié)構(gòu)                  
 15. 1. 3  簡(jiǎn)單鎖相環(huán)的動(dòng)態(tài)特性                  
 15. 2  電荷泵鎖相環(huán)                  
 15. 2. 1  鎖定捕獲的問(wèn)題                  
 15. 2. 2  鑒相／鑒頻器和電荷泵                  
 15. 2. 3  基本的電荷泵鎖相環(huán)                  
 15. 3  鎖相環(huán)中的非理想效應(yīng)                  
 15. 3. 1  PFD／CP的非理想性                  
 15. 3. 2  鎖相環(huán)中的抖動(dòng)現(xiàn)象                  
 15. 4　延遲鎖相環(huán)                  
 15. 5  應(yīng)用                  
 15. 5. 1  頻率倍增和合成                  
 15. 5. 2　歪斜的減小                  
 15. 5. 3  抖動(dòng)的減小                  
 習(xí)題                  
                   
 第16章  短溝道效應(yīng)與器件模型                  
 16. 1  按比例縮小理論                  
 16. 2　短溝道效應(yīng)                  
 16. 2. 1  閾值電壓的變化                  
 16. 2. 2  垂直電場(chǎng)引起的遷移率退化                  
 16. 2. 3  速度飽和                  
 16. 2. 4　熱載流子效應(yīng)                  
 16. 2. 5  漏-源電壓引起的輸出阻抗的變化                  
 16. 3  MOS器件模型                  
 16. 3. 1  Level 1 模型                  
 16. 3. 2  Level 2模型                  
 16. 3. 3  Level 3模型                  
 16. 3. 4  BSIM系列模型                  
 16. 3. 5  其它模型                  
 16. 3. 6  電荷和電容模型                  
 16. 3. 7  溫度特性                  
 16. 4  工藝角                  
 16. 5  數(shù)字世界中的模擬設(shè)計(jì)                  
 習(xí)題                  
                   
 第17章  CMOS工藝技術(shù)                  
 17. 1  概述                  
 17. 2  晶片工藝                  
 17. 3  光刻                  
 17. 4  氧化                  
 17. 5  離子注入                  
 17. 6  淀積與刻蝕                  
 17. 7  器件制造                  
 17. 7. 1  有源器件                  
 17. 7. 2  無(wú)源器件                  
 17. 7. 3  互連                  
 17. 8  閂鎖效應(yīng)                  
 習(xí)題                  
                   
 第18章  版圖與封裝                  
 18. 1  版圖概述                  
 18. 1. 1  設(shè)計(jì)規(guī)則                  
 18. 1. 2  天線效應(yīng)                  
 18. 2  模擬電路的版圖技術(shù)                  
 18. 2. 1  叉指晶體管                  
 18. 2. 2  對(duì)稱性                  
 18. 2. 3  參考源的分布                  
 18. 2. 4  無(wú)源器件                  
 18. 2. 5  連線                  
 18. 2. 6  焊盤與靜電放電保護(hù)                  
 18. 3  襯底耦合                  
 18. 4  封裝                  
 習(xí)題                  
 英中詞匯對(duì)照