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當(dāng)前位置：首頁(yè)出版圖書(shū)科學(xué)技術(shù)計(jì)算機(jī)/網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)組織與體系結(jié)構(gòu)模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)

模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)

定　價(jià)：￥65.00

作　者：	（美國(guó)）畢查德·拉扎維著、陳貴燦等譯；陳貴燦譯
出版社：	西安交通大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	國(guó)外名校最新教材精選
標(biāo)　簽：	電路設(shè)計(jì)

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ISBN：	9787560516066	出版時(shí)間：	2003-02-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16	頁(yè)數(shù)：	562	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問(wèn)題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書(shū)由淺入深，理論與實(shí)際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書(shū)共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開(kāi)關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和鎖相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。本書(shū)是現(xiàn)代模擬集成電路設(shè)計(jì)的理想教材或參考書(shū)?？晒┡c集成電路領(lǐng)域有關(guān)的各電類專業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生使用，也可供從事這一領(lǐng)域的工程技術(shù)人員自學(xué)和參考。

作者簡(jiǎn)介

　　畢查德·拉扎維于1985年在沙里夫理工大學(xué)的電氣工程系獲得理學(xué)學(xué)士學(xué)位，并分別于1988年和1992年在斯坦福大學(xué)電氣工程系獲得理學(xué)碩士和博士學(xué)位。他曾在AT&T貝爾實(shí)驗(yàn)室工作，隨后又受聘于Hewlett-Packard實(shí)驗(yàn)室，直到1996年為止。1996年9月，他成為加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校的電氣工程系副教授，隨后晉升為教授。目前他從事的研究包括無(wú)線收發(fā)、頻率合成，高速數(shù)據(jù)通信及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的鎖相和時(shí)鐘恢復(fù)。

圖書(shū)目錄

第1章  模擬電路設(shè)計(jì)緒論
1. 1  研究模擬電路的重要性
1. 2  研究模擬集成電路的重要性
1. 3  研究CMOS模擬集成電路的重要性
1. 4  本書(shū)的特點(diǎn)
1. 5  電路設(shè)計(jì)的一般概念
1. 5. 1  抽象級(jí)別
1. 5. 2  魯棒模擬電路設(shè)計(jì)
1. 5. 3  符號(hào)

第2章  MOS器件物理基礎(chǔ)
2. 1  基本概念
2. 1. 1  MOSFET開(kāi)關(guān)
2. 1. 2  MOSFET的結(jié)構(gòu)
2. 1. 3  MOS符號(hào)
2. 2  MOS的I／V特性
2. 2. 1  閾值電壓
2. 2. 2  I／V特性的推導(dǎo)
2. 3  二級(jí)效應(yīng)
2. 4  MOS器件模型
2. 4. 1  MOS器件版圖
2. 4. 2  MOS器件電容
2. 4. 3  MOS小信號(hào)模型
2. 4. 4  MOS SPICE模型
2. 4. 5  NMOS與PMOS器件的比較
2. 4. 6  長(zhǎng)溝道器件與短溝道器件的比較
附錄A：用作電容器的MOS器件的特性
習(xí)題

第3章  單級(jí)放大器
3. 1  基本概念
3. 2  共源級(jí)
3. 2. 1  采用電阻負(fù)載的共源級(jí)
3. 2. 2  采用二極管連接的負(fù)載的共源級(jí)
3. 2. 3  采用電流源負(fù)載的共源級(jí)
3. 2. 4  工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級(jí)
3. 2. 5  帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)
3. 3  源跟隨器
3. 4  共柵級(jí)
3. 5  共源共柵級(jí)
3. 5. 1  折疊式共源共柵
3. 6  器件模型的選擇
習(xí)題

第4章  差動(dòng)放大器
4. 1  單端與差動(dòng)的工作方式
4. 2  基本差動(dòng)對(duì)
4. 2. 1  定性分析
4. 2. 2  定量分析
4. 3  共模響應(yīng)
4. 4  MOS為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)
4. 5  吉爾伯特單元
習(xí)題

第5章  無(wú)源與有源電流鏡
5. 1  基本電流鏡
5. 2  共源共柵電流鏡
5. 3  有源電流鏡
5. 3. 1  大信號(hào)分析
5. 3. 2  小信號(hào)分析
5. 3. 3  共模特性
習(xí)題

第6章  放大器的頻率特性
6. 1  概述
6. 1. 1  密勒效應(yīng)
6. 1. 2  極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)
6. 2  共源極
6. 3  源跟隨器
6. 4  共柵級(jí)
6. 5  共源共柵級(jí)
6. 6  差動(dòng)對(duì)
附錄A：密勒定理的對(duì)偶
習(xí)題

第7章  噪聲
7. 1  噪聲的統(tǒng)計(jì)特性
7. 1. 1  噪聲譜
7. 1. 2  幅值分布
7. 1. 3  相關(guān)噪聲源和非相關(guān)噪聲源
7. 2  噪聲類型
7. 2. 1  熱噪聲
7. 2. 2  閃爍噪聲
7. 3  電路中的噪聲表示
7. 4  單級(jí)放大器中的噪聲
7. 4. 1  共源級(jí)
7. 4. 2  共柵級(jí)
7. 4. 3  源跟隨器
7. 4. 4  共源共柵級(jí)
7. 5  差動(dòng)對(duì)中的噪聲
7. 6  噪聲帶寬
習(xí)題

第8章  反饋
8. 1  概述
8. 1. 1  反饋電路的特性
8. 1. 2  放大器的種類
8. 1. 3  檢測(cè)和返回機(jī)制
8. 2  反饋結(jié)構(gòu)
8. 2. 1  電壓-電壓反饋
8. 2. 2  電流-電壓反饋
8. 2. 3  電壓-電流反饋
8. 2. 4  電流-電流反饋
8. 3  負(fù)載的影響
8. 3. 1  二端口網(wǎng)絡(luò)模型
8. 3. 2  電壓-電壓反饋中的負(fù)載
8. 3. 3  電流-電壓反饋中的負(fù)載
8. 3. 4  電壓-電流反饋中的負(fù)載
8. 3. 5  電流-電流反饋中的負(fù)載
8. 3. 6  負(fù)載影響小結(jié)
8. 4  反饋對(duì)噪聲的影響
習(xí)題

第9章  運(yùn)算放大器
9. 1  概述
9. 1. 1  性能參數(shù)
9. 2  一級(jí)運(yùn)放
9. 3  兩級(jí)運(yùn)放
9. 4  增益的提高
9. 5  性能比較
9. 6  共模反饋
9. 7  輸入范圍限制
9. 8  轉(zhuǎn)換速率
9. 9  電源抑制
9. 10  運(yùn)放的噪聲
習(xí)題

第10章  穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償
10. 1  概述
10. 2  多極點(diǎn)系統(tǒng)
10. 3  相位裕度
10. 4  頻率補(bǔ)償
10. 5  兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償
10. 5. 1  兩級(jí)運(yùn)放中的轉(zhuǎn)換
10. 6  其它補(bǔ)償技術(shù)
習(xí)題

第11章  帶隙基準(zhǔn)
11. 1  概述
11. 2  與電源無(wú)關(guān)的偏置
11. 3  與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)
11. 3. 1  負(fù)溫度系數(shù)電壓
11. 3. 2  正溫度系數(shù)電壓
11. 3. 3  帶隙基準(zhǔn)
11. 4  PTAT電流的產(chǎn)生
11. 5  恒定Gm偏置
11. 6  速度與噪聲問(wèn)題
11. 7  實(shí)例分析
習(xí)題

第12章  開(kāi)關(guān)電容電路
12. 1  概述
12. 2  采樣開(kāi)關(guān)
12. 2. 1  MOSFETs開(kāi)關(guān)
12. 2. 2  速度問(wèn)題
12. 2. 3  精度問(wèn)題
12. 2. 4  電荷注入抵消
12. 3  開(kāi)關(guān)電容放大器
12. 3. 1  單位增益采樣器/緩沖器
12. 3. 2  同相放大器
12. 3. 3　精確乘2電路
12. 4  開(kāi)關(guān)電容積分器
12. 5  開(kāi)關(guān)電容共模反饋
習(xí)題

第13章  非線性與不匹配
13. 1  非線性
13. 1. 1  概述
13. 1. 2  差動(dòng)電路的非線性
13. 1. 3  負(fù)反饋對(duì)非線性的影響
13. 1. 4  電容器的非線性
13. 1. 5　線性化技術(shù)
13. 2  不匹配
13. 2. 1  失調(diào)消除技術(shù)
13. 2. 2  用失調(diào)消除來(lái)降低噪聲
13. 2. 3  CMRR的另一種定義
習(xí)題

第14章　振蕩器
14. 1  概述
14. 2　環(huán)形振蕩器
14. 3  LC振蕩器
14. 3. 1  交叉耦合振蕩器
14. 3. 2　科爾皮茲振蕩器
14. 3. 3  單端口振蕩器
14. 4　壓控振蕩器
14. 4. 1  環(huán)形振蕩器調(diào)節(jié)
14. 4. 2  LC振蕩器的調(diào)節(jié)
14. 5  VCO的數(shù)學(xué)模型
習(xí)題

第15章　鎖相環(huán)
15. 1  簡(jiǎn)單的鎖相環(huán)
15. 1. 1  鑒相器
15. 1. 2  基本的PLL結(jié)構(gòu)
15. 1. 3  簡(jiǎn)單鎖相環(huán)的動(dòng)態(tài)特性
15. 2  電荷泵鎖相環(huán)
15. 2. 1  鎖定捕獲的問(wèn)題
15. 2. 2  鑒相／鑒頻器和電荷泵
15. 2. 3  基本的電荷泵鎖相環(huán)
15. 3  鎖相環(huán)中的非理想效應(yīng)
15. 3. 1  PFD／CP的非理想性
15. 3. 2  鎖相環(huán)中的抖動(dòng)現(xiàn)象
15. 4　延遲鎖相環(huán)
15. 5  應(yīng)用
15. 5. 1  頻率倍增和合成
15. 5. 2　歪斜的減小
15. 5. 3  抖動(dòng)的減小
習(xí)題

第16章  短溝道效應(yīng)與器件模型
16. 1  按比例縮小理論
16. 2　短溝道效應(yīng)
16. 2. 1  閾值電壓的變化
16. 2. 2  垂直電場(chǎng)引起的遷移率退化
16. 2. 3  速度飽和
16. 2. 4　熱載流子效應(yīng)
16. 2. 5  漏-源電壓引起的輸出阻抗的變化
16. 3  MOS器件模型
16. 3. 1  Level 1 模型
16. 3. 2  Level 2模型
16. 3. 3  Level 3模型
16. 3. 4  BSIM系列模型
16. 3. 5  其它模型
16. 3. 6  電荷和電容模型
16. 3. 7  溫度特性
16. 4  工藝角
16. 5  數(shù)字世界中的模擬設(shè)計(jì)
習(xí)題

第17章  CMOS工藝技術(shù)
17. 1  概述
17. 2  晶片工藝
17. 3  光刻
17. 4  氧化
17. 5  離子注入
17. 6  淀積與刻蝕
17. 7  器件制造
17. 7. 1  有源器件
17. 7. 2  無(wú)源器件
17. 7. 3  互連
17. 8  閂鎖效應(yīng)
習(xí)題

第18章  版圖與封裝
18. 1  版圖概述
18. 1. 1  設(shè)計(jì)規(guī)則
18. 1. 2  天線效應(yīng)
18. 2  模擬電路的版圖技術(shù)
18. 2. 1  叉指晶體管
18. 2. 2  對(duì)稱性
18. 2. 3  參考源的分布
18. 2. 4  無(wú)源器件
18. 2. 5  連線
18. 2. 6  焊盤(pán)與靜電放電保護(hù)
18. 3  襯底耦合
18. 4  封裝
習(xí)題
英中詞匯對(duì)照