中國材料工程大典（第11卷信息功能材料工程上）

第1篇 概論
第1章 信息功能材料在信息技術(shù)中的戰(zhàn)略地位
第2章 信息功能材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢
參考文獻
第2篇 半導(dǎo)體硅材料
第1章 概述
第2章 硅單晶的制備
第3章 硅晶體的機械性質(zhì)
第4章 硅晶體表面性質(zhì)
第5章 硅晶體的腐蝕
第6章 硅晶片加工工藝
第7章 硅單晶的缺陷
第8章 硅單晶中輕元素雜質(zhì)
第9章 硅單晶中的過渡族金屬雜質(zhì)和吸雜
第10章 其它硅材料
第11章 硅材料的發(fā)光
參考文獻
第3篇 集成電路制造技術(shù)
第1章 集成電路設(shè)計技術(shù)
第2章 微細加工技術(shù)
第3章 集成電路工藝技術(shù)
第4章 CMOS器件及電路制造技術(shù)
第5章 雙極型器件及電路制造技術(shù)
第6章 半導(dǎo)體功率器件及電路
第7章 化合物半導(dǎo)體器件和電路
第8章 集成電路封裝技術(shù)
參考文獻
第4篇 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件
第1章 概論
第2章 SiGe的晶體結(jié)構(gòu)
第3章 SiGe的能帶結(jié)構(gòu)
第4章 SiGe的力學(xué)性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)和Raman光譜
第5章 SiGe的電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)
第6章 SiGe的光學(xué)性質(zhì)
第7章 SiGe（001）的原子再構(gòu)和表面性質(zhì)
第8章 SiGeC/Si異質(zhì)結(jié)
第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第10章 SOI材料和器件
第11章 硅基二氧化硅材料
第12章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
第13章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子器件
第14章 硅基光電子器件
參考文獻
第5篇 化合物半導(dǎo)體材料
第1章 CaAs和InP的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
第2章 GaAs和InP的制備
第3章 GaAs和InP中的雜質(zhì)和缺陷
第4章 GaAs和InP測試表征
第5章 GaAs和InP的應(yīng)用
第6章 其他常見化合物半導(dǎo)體材料
參考文獻
第6篇 寬帶隙半導(dǎo)體及其應(yīng)用
第1章 導(dǎo)論
第2章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料
第3章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體基本物理性質(zhì)
第4章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件應(yīng)用
第5章 氧化鋅（ZnO）半導(dǎo)體
第6章 碳化硅半導(dǎo)體
第7章 金剛石半導(dǎo)體
第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體
第9章 寬禁帶稀釋磁性半導(dǎo)體材料
參考文獻