現(xiàn)代電力電子電路

緒論
第一章　電路運(yùn)行條件對(duì)功率場效應(yīng)晶體管性能的影響
第一節(jié)　功率場效應(yīng)晶體管的主要特性
一、基本結(jié)構(gòu)和分類
二、工作原理
三、正向輸出特性
四、飽和區(qū)的電流轉(zhuǎn)移特性
五、反向輸出特性
第二節(jié)　電路運(yùn)行條件對(duì)導(dǎo)通電阻Ron的影響
一、導(dǎo)通電阻Ron的構(gòu)成
二、導(dǎo)通電阻Ron的測量條件
三、電路運(yùn)行條件對(duì)導(dǎo)通電阻Ron的影響
第三節(jié)　電路運(yùn)行條件對(duì)安全工作區(qū)的影響
一、安全工作區(qū)的分類
二、正偏安全工作區(qū)（FBSOA）
三、功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管DCFBSOA的比較
四、電路運(yùn)行條件對(duì)SOA的影響
第四節(jié)　電路運(yùn)行條件對(duì)功率場效應(yīng)管開關(guān)過程的影響
一、功率場效應(yīng)晶體管的等效電路
二、純阻負(fù)載下Power MOSFET的開關(guān)過程
三、感性負(fù)載下Power MOSFET的開關(guān)過程
四、考慮分布電感LD時(shí)的開關(guān)過程分析
五、柵極電荷特性
第五節(jié)功率場效應(yīng)晶體管的并聯(lián)應(yīng)用
一、導(dǎo)致功率場效應(yīng)晶體管并聯(lián)時(shí)電流不均的原因
二、靜態(tài)電流不均分析
三、動(dòng)態(tài)電流不均分析
四、并聯(lián)運(yùn)用中的寄生振蕩及其抑制
第六節(jié)功率場效應(yīng)晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)電路
一、柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本功能
二、柵極驅(qū)動(dòng)電路的分類
三、輸入級(jí)的耦合方式
四、輸出級(jí)的耦合方式
五、驅(qū)動(dòng)電路的供電方式
六、集成式驅(qū)動(dòng)電路芯片
七、過流保護(hù)
參考文獻(xiàn)
第二章　電路運(yùn)行條件對(duì)IGBT和MCT性能的影響
第一節(jié)　IGBT的結(jié)構(gòu)和主要特性
一、IGBT的結(jié)構(gòu)
二、N＋緩沖層的作用
三、正向輸出特性
四、通態(tài)特性
五、飽和區(qū)的電流轉(zhuǎn)移特性
六、IGBT的電流容量
第二節(jié)　電路運(yùn)行條件對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響
一、IGBT的開關(guān)電路
二、電路運(yùn)行條件對(duì)開通過程的影響
三、電路運(yùn)行條件對(duì)關(guān)斷過程的影響
第三節(jié)　IGBT的緩沖電路
一、IGBT開關(guān)電路的負(fù)載動(dòng)態(tài)軌跡
二、緩沖電路
第四節(jié)　IGBT的驅(qū)動(dòng)電路
一、IGBT短路狀態(tài)下的載流能力
二、IGBT短路狀態(tài)的失效機(jī)理
三、軟開關(guān)環(huán)境對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的影響
四、分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路
五、集成式IGBT驅(qū)動(dòng)電路
第五節(jié)　IGBT功率集成電路
一、IGBT-IPM的基本結(jié)構(gòu)
二、IPM的內(nèi)藏功能
三、IPM產(chǎn)品示例
第六節(jié)　MCT的結(jié)構(gòu)和工作原理
第七節(jié)　MCT的主要特性
一、通態(tài)特性
二、阻斷特性
三、MCT的載流能力
四、MCT的安全工作區(qū)
五、MCT的開關(guān)性能
第八節(jié)　MCT的驅(qū)動(dòng)電路
一、MCT門極脈沖參數(shù)
二、MCT門極驅(qū)動(dòng)電路示例
三、IGBT和MCT的比較
參考文獻(xiàn)
第三章　直流變換電路
第四章　無源逆變電路
第五章　交流變換電路
第六章　整流電路
第七章　緩沖型軟PWM電路
第八章　控制型軟PWM電路
第九章　交流諧振型軟PWM逆變電路
第十章　直流諧振型軟PWM逆變電路