123,123,123

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)》主要講述半導(dǎo)體集成電路的制造技術(shù)，既有基本原理和工藝技術(shù)的闡述，也有國(guó)內(nèi)外近期發(fā)展?fàn)顩r的介紹。《半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)》根據(jù)半導(dǎo)體集成電路的基本原理和內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及版圖設(shè)計(jì)，通過半導(dǎo)體材料制備、化學(xué)清洗、薄膜沉積、NP摻雜、光刻、金屬化處理、生產(chǎn)整合與自動(dòng)化等工藝整合，講解集成電路的制造技術(shù)?！栋雽?dǎo)體集成電路制造技術(shù)》可作為高等院校微電子學(xué)和半導(dǎo)體專業(yè)本科生的教材，也可供有關(guān)專業(yè)本科生、研究生及工程技術(shù)人員閱讀參考。

作者簡(jiǎn)介

　　張亞非，理學(xué)博士。教授，長(zhǎng)江學(xué)者，優(yōu)秀留學(xué)回國(guó)人員。1982—1992年任蘭州大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)副教授，1995—1997年任香港城市大學(xué)研究員。1997—2001年任日本科技廳無(wú)機(jī)材質(zhì)研究所先端機(jī)能材料研究中心高級(jí)科學(xué)家，2001年以來(lái)任上海交通大學(xué)微/納科學(xué)技術(shù)研究院微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科長(zhǎng)江學(xué)者。長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體集成電路工藝、納電子材料與器件方向的研究。曾作為中國(guó)高科技中心成員[CCAST（世界實(shí)驗(yàn)室）]、美國(guó)通用電器公司（GE）特聘講座學(xué)者、美國(guó)材料學(xué)會(huì)會(huì)員、意大利理論物理研究中心訪問學(xué)者等在電子材料與器件國(guó)際學(xué)術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行過多次講學(xué)與合作研究。并受邀擔(dān)任多家著名國(guó)際學(xué)術(shù)期刊（如Applied Physics Letters等）的特約評(píng)審人。承擔(dān)和主持完成過多項(xiàng)國(guó)家科學(xué)基金和橫向應(yīng)用研究項(xiàng)目，獲科技發(fā)明專利8項(xiàng)，發(fā)表相關(guān)論文百余篇，被SCI他人引用數(shù)百次，曾獲得SCI引用單篇論文全國(guó)第7名證書、“世界華人重大學(xué)術(shù)成果”獎(jiǎng)、日本表面技術(shù)協(xié)會(huì)論文賞和2005年國(guó)家自然二等獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)。

圖書目錄

第1章緒論
1.1 引言
1.2 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.3 電路集成
1.4 集成電路制造
1.5 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)
1.6 電子時(shí)代
第2章集成電路器件物理
2.1 硅半導(dǎo)體的基本物理特性
2.2 金屬一氧化物一半導(dǎo)體二極管
2.3 金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2.4 短溝道效應(yīng)
2.5 輕摻雜漏極(IDD)MOSFET器件
2.6 器件縮小原理(scaling principle)
2.7 納米MOSFE3器件中的載流子輸運(yùn)模型及其特性
2.8 發(fā)展硅納電子學(xué)集成電路的限制
參考文獻(xiàn)
第3章半導(dǎo)體材料物理化學(xué)基礎(chǔ)及加工技術(shù)
3.1 相圖和固溶度
3.2 晶體結(jié)構(gòu)和缺陷
3.3 硅片的生長(zhǎng)技術(shù)
3.4 區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶
3.5 GaAs單晶體的液封直拉法生長(zhǎng)技術(shù)
3.6 布氏法生長(zhǎng)GaAs
3.7 晶片成形
3.8 晶片的測(cè)試分析技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第4章半導(dǎo)體制備用材料及化學(xué)品
4.1 概述
4.2 清洗技術(shù)用高純度化學(xué)品
4.3 光刻技術(shù)用材料及化學(xué)品
4.4 刻蝕技術(shù)用高純度化學(xué)品
4.5 化學(xué)氣相沉積工藝用材料及化學(xué)品
4.6 平坦化技術(shù)用材料及化學(xué)品
4.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第5章硅片清洗工藝
5.1 晶片清洗概論
5.2 晶片清洗的要求
5.3 濕式化學(xué)清洗技術(shù)
5.4 物理清洗技術(shù)
5.5 干式清洗技術(shù)
5.6 清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)
5.7 總結(jié)及對(duì)未來(lái)清洗技術(shù)的展望
參考文獻(xiàn)
第6章氧化工藝
6.1 概述
6.2 SiO，膜的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及其作用
6.3 熱氧化的原理
6.4 氧化方法
6.5 氧化工藝的設(shè)備
6.6 氧化膜的質(zhì)量評(píng)價(jià)
參考文獻(xiàn)
第7章化學(xué)氣相沉積技術(shù)
7.1 概述
7.2 CVD基本原理簡(jiǎn)介
7.3 各種CVD反應(yīng)簡(jiǎn)介
7.4 CVD裝置
7.5 CVD制備工藝
參考文獻(xiàn)
第8章離子注入技術(shù)
8.1 概述
8.2 離子注人技術(shù)的基本原理
8.3 離子注入設(shè)備
8.4 離子注人層特性的測(cè)量和分析
參考文獻(xiàn)
第9章金屬沉積技術(shù)
9.1 概述
9.2 未來(lái)金屬化的展望
9.3 化學(xué)氣相沉積金屬制作工藝
9.4 物理氣相沉積金屬的工藝
參考文獻(xiàn)
第10章擴(kuò)散工藝
10.1 概述
10.2 擴(kuò)散原理
10.3 硅中雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式
10.4 擴(kuò)散設(shè)備
10.5 與擴(kuò)散有關(guān)的參數(shù)測(cè)量
參考文獻(xiàn)
第11章快速加熱處理工藝
11.1 快速加熱處理工藝簡(jiǎn)介
11.2 快速加熱化學(xué)氣相沉積
11.3 快速氧化層生長(zhǎng)及氮化
11.4 注人離子活化及淺結(jié)面的形成
11.5 金屬硅化物的形成
11.6 磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)的緩流及再緩流
11.7 外延生長(zhǎng)
11.8 快速升溫系統(tǒng)介紹
參考文獻(xiàn)
第12章刻蝕流程與設(shè)備
12.1 概述
12.2 濕法刻蝕
12.3 干法刻蝕
12.4 半導(dǎo)體工藝中常用材料的干法刻蝕
12.5 前瞻
參考文獻(xiàn)
第13章光刻工藝
13.1 概述
13.2 光刻膠及其主要性能
13.3 光刻對(duì)準(zhǔn)曝光系統(tǒng)
13.4 光刻工藝過程
13.5 光刻質(zhì)量的檢測(cè)
13.6 掩模版的制造
參考文獻(xiàn)
第14章金屬化及平坦化工藝
14.1 概述
14.2 金屬化處理技術(shù)
14.3 金屬連線的生產(chǎn)技術(shù)
14.4 連線制備技術(shù)的展望
14.5 介質(zhì)絕緣膜的制備技術(shù)
14.6 低介電常數(shù)材料
14.7 高介電常數(shù)材料
14.8 CMP設(shè)備及消耗材料
14.9 CMP的工藝控制
參考文獻(xiàn)
第15章微分析技術(shù)及缺陷改善工程
15.1 概述
15.2 微分析儀器的分類
15.3 微分析儀器在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用
15.4 常用微分析儀器介紹
15.5 失效分析簡(jiǎn)介
15.6 缺陷改善工程
15.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第16章工藝整合與自動(dòng)化
16.1 概述
16.2 工藝整合技術(shù)
16.3 CIM及自動(dòng)化
16.4 半導(dǎo)體制造廠計(jì)算機(jī)信息整合制造的實(shí)踐
16.5 信息技術(shù)/自動(dòng)化技術(shù)顧問公司的支持
參考文獻(xiàn)