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當(dāng)前位置：首頁(yè)出版圖書(shū)科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)無(wú)線電電子學(xué)、電信技術(shù)二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜

二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜

定　價(jià)：￥30.00

作　者：	陳建華、龔竹青
出版社：	科學(xué)
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787030178527	出版時(shí)間：	2006-12-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	B5	頁(yè)數(shù)：	213	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜》系統(tǒng)地介紹了離子對(duì)納米TiO2粉體和薄膜的摻雜試驗(yàn)結(jié)果及相關(guān)測(cè)試、分析和討論，是一本系統(tǒng)描述TiO2離子摻雜的專(zhuān)著，具有較高的學(xué)術(shù)水平和參考價(jià)值。《二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜》系統(tǒng)地研究了Fe3+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Zn2+等13種金屬離子對(duì)粉末TiO2和負(fù)載在玻璃、陶瓷、鈦片、不銹鋼、鋁片、釉面瓷磚等6種載體表面二氧化鈦薄膜的摻雜效果，提出了離子摻雜和載體之間存在交互效應(yīng)的概念；采用紫外光譜、紅外光譜研究了離子摻雜對(duì)TiO2本征吸收、雜質(zhì)吸收的影響。確定了相關(guān)離子在TiO2半導(dǎo)體中的摻雜能級(jí)位置，建立了深摻雜和淺摻雜的電子（空穴）捕獲模型；采用X衍射儀研究了離子摻雜濃度和離子類(lèi)型對(duì)TiO2物相、粒度的影響，建立了離子摻雜的物相模型；采用正電子湮滅技術(shù)研究了13種離子摻雜TiO2粉末的晶格缺陷、電子密度等；利用半導(dǎo)體電化學(xué)能帶理論和電化學(xué)雙電層理論建立了TiO2的離子摻雜機(jī)理和模型?！抖趸伆雽?dǎo)體光催化材料離子摻雜》適合于高等院校環(huán)境科學(xué)與工程、材料科學(xué)與工程、化學(xué)化工專(zhuān)業(yè)等本科生和研究生學(xué)習(xí)，也可供相關(guān)科技人員參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《二氧化鈦半導(dǎo)體光催化材料離子摻雜》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

前言
第一章二氧化鈦半導(dǎo)體光催化技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用
　1.1 半導(dǎo)體光催化技術(shù)的發(fā)展
　1.2 半導(dǎo)體光催化機(jī)理
　1.3 半導(dǎo)體催化劑的制備方法
　1.4 半導(dǎo)體光催化劑的改性
　1.5 二氧化鈦半導(dǎo)體光催化劑的應(yīng)用
第二章半導(dǎo)體光催化的物理基礎(chǔ)
　2.1 晶體中能帶的形成
　2.2 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
　2.3 半導(dǎo)體載流子統(tǒng)計(jì)分布
　2.4 摻雜離子能級(jí)
　2.5 載流子的復(fù)合理論和陷阱效應(yīng)
第三章離子摻雜對(duì)二氧化鈦光催化活性的影響
　3.1 廢水模型物與離子摻雜效果的關(guān)系
　3.2 摻雜離子類(lèi)型對(duì)光催化活性的影響
　3.3 離子摻雜濃度的影響
第四章離子化學(xué)性質(zhì)與摻雜活性的關(guān)系
　4.1 離子半徑與價(jià)態(tài)的影響
　4.2 離子穩(wěn)定氧化態(tài)的電子親和勢(shì)與光催化活性的關(guān)系
　4.3 離子電荷與半徑的比值與光催化活性的關(guān)系
　4.4 氧化物的生成焓與光催化活性的關(guān)系
　4.5 元素的電子親和能與光催化活性的關(guān)系
　4.6 元素的第一電離能與光催化活性的關(guān)系
　4.7 離子的電子構(gòu)型與光催化活性的關(guān)系
　4.8 離子摻雜濃度與光催化活性的關(guān)系
第五章二氧化鈦離子摻雜的XRD研究
　5.1 XRD原理
　5.2 二氧化鈦XRD研究
　5.3 離子種類(lèi)-TiO2物相一光催化活性的關(guān)系
　5.4 離子摻雜濃度-TiO2物相一光催化活性的關(guān)系
第六章二氧化鈦離子摻雜的正電子湮沒(méi)研究
　6.1 正電子湮沒(méi)原理
　6.2 正電子壽命的影響因素
　6.3 二氧化鈦正電子湮沒(méi)圖譜
　6.4 離子摻雜對(duì)二氧化鈦正電子湮沒(méi)壽命譜的影響
　6.5 離子摻雜二氧化鈦正電子壽命譜與光催化活性的關(guān)系
第七章離子摻雜對(duì)二氧化鈦半導(dǎo)體本征吸收的影響
　7.1 二氧化鈦的本征吸收
　7.2 離子摻雜對(duì)二氧化鈦半導(dǎo)俸本征吸收的影響
　7.3 摻雜離子濃度對(duì)二氧化鈦半導(dǎo)體本征吸收的影響
第八章二氧化鈦半導(dǎo)體離子摻雜能級(jí)模型
　8.1 二氧化鈦半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
　8.2 固液界面半導(dǎo)體能帶模型
　8.3 離子摻雜陷阱／捕獲模型
　8.4 摻雜離子能級(jí)的吸收光譜研究
第九章二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜離子摻雜研究
　9.1 引言
　9.2 實(shí)驗(yàn)研究方法
　9.3 二氧化鈦薄膜熱處理溫度的影響
　9.4 不同載體表面二氧化鈦薄膜離子摻雜行為研究
第十章二氧化鈦薄膜離子摻雜與載體交互效應(yīng)研究
　10.1 載體一摻雜離子濃度一脫色率的關(guān)系
　10.2 離子摻雜對(duì)二氧化鈦薄膜吸收光譜的影響
　10.3 二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)的影響
　10.4 二氧化鈦薄膜與載體間的雙電層結(jié)構(gòu)
　10.5 離子摻雜與載體作用的能帶模型
參考文獻(xiàn)