現(xiàn)代無機材料組成與結(jié)構(gòu)表征

第1章 原子吸收及發(fā)射光譜分析
1．1 原子吸收光譜法（AAS）
1．1．1 火焰原子吸收光譜法（FAAS）
1．1．2 石墨爐原子吸收光譜法（GFAAS）
1．2 電感耦合等離子體發(fā)射光譜法（1CP—OES）
1．2．1 ICP—OES儀器基本結(jié)構(gòu)
1．2．2 ICP—OES的特點
1．2．3 ICP炬焰的形成
1．2．4 ICP的裝置和炬焰結(jié)構(gòu)
1．2．5 ICP激發(fā)機理
1．2．6 ICP光源的分析特性
1．2．7 高頻電源
1．2．8 進樣裝置
1．2．9 ICP炬管
1．2．10 ICP—OES光學系統(tǒng)和檢測系統(tǒng)
1．2．11 ICP—OES的干擾和干擾消除
1．2．12 樣品分析技術(shù)
1．3 FAAS、GFAAS和ICP—OES性能比較
參考文獻
第2章 x射線熒光光譜分析
2．1 引言
2．2 x射線的物理學基礎
2．2．1 X射線熒光的產(chǎn)生
2．2．2 x射線與物質(zhì)的相互作用
2．2．3 x射線熒光的激發(fā)因子
2．3 X射線熒光譜儀
2．3．1 波長色散x射線熒光光譜儀
2．3．2 能量色散x射線熒光光譜儀
2．3．3 全反射x射線熒光光譜儀（TXRF）
2．4 定性和半定量分析
2．4．1 概述
2．4．2 定性分析
2．4．3 半定量分析
2．4．4 實際樣品半定量分析結(jié)果舉例
2．5 定量分析
2．5．1 XRF的定量分析基礎
2．5．2 元素間的吸收一增強效應
2．5．3 克服或校正元素間吸收一增強效應的方法概述
2．5．4 經(jīng)驗影響系數(shù)法
2．5．5 基本參數(shù)法
2．5．6 理論影響系數(shù)法
2．5．7 小結(jié)
2．6 樣品制備
2．6．1 概述
2．6 ，2固體樣品的制備
2．6．3 粉末樣品及粉末壓片的制備
2．6．4 熔融樣品的制備
2．6．5 薄樣的制備
2．7 應用實例
2．7．1 鎳基、鐵基和鈷基合金的定量分析
2．7．2 地質(zhì)樣品中多元素分析
2．7．3 PZNT晶體主量元素含量分析
參考文獻
第3章 輝光放電質(zhì)譜分析
3．1 引言
3．2 輝光放電基本原理
3．2．1 輝光放電
3．2．2 輝光放電的濺射和電離
3．2．3 輝光放電質(zhì)譜
3．3 儀器．
3．3．1 離子源
3．3．2 質(zhì)量分析器
3．3．3 檢測系統(tǒng)
3．4 輝光放電質(zhì)譜分析及其特點
3．4．1 樣品制備與預處理
3．4．2 分析參數(shù)的選擇與分析過程
3．4．3 半定量和定量分析
3．4．4 分析特點和性能比較
3．5 應用
3．5．1 金屬及半導體材料分析
3．5．2 非導體材料分析
3．5．3 深度分析
參考文獻
第4章 熱分析
4．1 熱分析的定義
4．2 熱分析的物理基礎
4．2．1 基本概念和基本定律
4．2．2 熱力學基本定律
4．3 物質(zhì)受熱過程中發(fā)生的變化
4．3．1 熱物理性質(zhì)變化
4．3．2 熱量傳遞的一般規(guī)律
4．4 熱分析方法
4．4．1 熱重法
4．4．2 差熱分析法
4．4．3 差示掃描量熱法
參考文獻
第5章 X射線衍射分析
5．1 X射線在晶體中的衍射
5．1．1 晶體的x射線衍射和布拉格定律
5．1．2 衍射線的強度
5．1．3 倒易點陣
5．1．4 倒易點陣和晶體的衍射方向
5．2 X射線物相分析
5．2．1 物相的定性分析
5．2．2 物相的定量分析
5．3 衍射圖譜的指標化和晶胞參數(shù)的精確測定
5．3．1 衍射圖譜的指標化和晶胞參數(shù)精確測定的意義
5．3．2 衍射數(shù)據(jù)指標化和晶胞參數(shù)精確測定的方法
5．3．3 用標準樣對比消除誤差的方法
5．3．4 未知相衍射線的指標化
5．3．5 x射線衍射線條的指標化和晶胞參數(shù)的精密測定（已知近似晶胞參數(shù)）
5．3．6 晶胞中分子數(shù)的求算
5．3．7 衍射數(shù)據(jù)指標化的可靠性評價
5．4 Rietveld方法及其在結(jié)構(gòu)分析、定量相分析中的應用
5．4．1 粉末衍射法結(jié)構(gòu)解析的困難和全譜擬合結(jié)構(gòu)精修思想（Rietveld方法）的提出
5．4．2 全譜擬合的理論要點
5．4．3 利用Rietveld方法進行結(jié)構(gòu)分析的實例
5．4．4 利用Rietveld方法進行定量相分析的實例
參考文獻
第6章 透射電子顯微分析
第7章 掃描俄歇電子能譜分析
第8章 電子探針、掃描電鏡顯微分析
參考文獻