集成電路工藝中的化學(xué)品

第一章 序言
1.1 集成電路及其產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.2 集成電路制造的核心步驟及關(guān)鍵工藝技術(shù)
1.3 集成電路工藝需要電子化學(xué)品
第二章 薄膜制備技術(shù)及化學(xué)品
2.1 熱氧化生長(zhǎng)技術(shù)
2.1.1 熱氧化生長(zhǎng)技術(shù)概述
2.1.2 熱氧化方式及化學(xué)反應(yīng)
2.1.3 雜質(zhì)對(duì)熱氧化速率的影響
2.1.4 化學(xué)方法改進(jìn)柵氧化層
2.1.5 選擇性氧化
2.2 熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)
2.2.1 熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)概述
2.2.2 熱擴(kuò)散的種類(lèi)及主要反應(yīng)
2.2.3 熱擴(kuò)散工藝技術(shù)的發(fā)展
2.3 離子注入摻雜技術(shù)
2.3.1 離子注入概述
2.3.2 注入損傷和熱退火
2.4 物理氣相淀積技術(shù)
2.4.1 真空蒸發(fā)法
2.4.2 濺射法
2.5 化學(xué)氣相淀積技術(shù)
2.5.1 化學(xué)氣相淀積的基本過(guò)程及主要反應(yīng)
2.5.2 化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)及分類(lèi)
2.6 外延技術(shù)
2.6.1 氣相外延的基本過(guò)程及設(shè)備
2.6.2 硅源氣相外延的源和主要反應(yīng)
2.6.3 外延層中的雜質(zhì)分布
2.6.4 低壓外延
2.6.5 選擇外延
2.6.6 硅烷熱分解法外延
2.6.7 分子束外延
2.7 多晶硅薄膜淀積
2.8 二氧化硅薄膜淀積
2.8.1 低溫CVD二氧化硅
2.8.2 中溫CVD二氧化硅
2.8.3 CVD摻雜二氧化硅
2.9 氮化硅薄膜淀積
2.10 金屬鎢的薄膜淀積
2.11 金屬鋁的薄膜淀積
2.12 勢(shì)壘層的薄膜淀積
2.12.1 介質(zhì)勢(shì)壘層和導(dǎo)電勢(shì)壘層
2.12.2 TiN的薄膜淀積
2.13 金屬硅化物的薄膜淀積
2.14 金屬銅的薄膜淀積
2.14.1 以銅為互連材料的工藝概述
2.14.2 金屬銅的薄膜淀積
2.15 低介電常數(shù)介質(zhì)材料和薄膜淀積技術(shù)
2.15.1 低介電常數(shù)介質(zhì)材料
2.15.2 低介電常數(shù)介質(zhì)材料的薄膜淀積
2.15.3 商業(yè)用的低介電常數(shù)介質(zhì)材料
附錄 化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
第三章 晶片清洗技術(shù)及化學(xué)品
3.1 集成電路制造過(guò)程中的清洗工藝
3.2 濕法清洗技術(shù)及主要反應(yīng)
3.2. 1SC1過(guò)程
3.2.2 SC2過(guò)程
3.2.3 Piranha清洗過(guò)程
3.2.4 DHF(HF稀溶液)的二氧化硅蝕刻
3.2.5 BHF(HF緩沖溶液)的二氧化硅蝕刻
3.2.6 臭氧水清洗過(guò)程
3.2.7 氫氟酸/硝酸清洗過(guò)程
附錄 化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
第四章 光刻技術(shù)及化學(xué)品
4.1 光刻技術(shù)概述
4.2 光刻的工藝流程
4.2.1 涂膠
4.2.2 前烘
4.2.3 曝光
4.2.4 顯影
4.2.5 堅(jiān)膜
4.2.6 刻蝕
4.2.7 去膠
4.3 光刻膠的基本屬性
4.4 光刻膠的曝光光源
4.4.1 紫外(UV)曝光光源
4.4.2 深紫外（DUV）曝光光源
4.4.3 X射線曝光光源
4.4.4 電子束曝光
4.4.5 光刻膠的分類(lèi)
4.5 紫外(UV)光刻膠??DQN系列
4.5.1 DQN系列光刻膠的基本組成
4.5.2 DQN系列光刻膠的光化學(xué)機(jī)理
4.6 深紫外(DUV)光刻膠??化學(xué)增強(qiáng)(CA)系列
4.7 電子束光刻膠
4.8 X射線光刻膠
4.9 工業(yè)用的光刻膠材料
4.10 抗反射涂層材料
4.11 光刻膠邊緣廢料去除劑
4.12 顯影劑
4.13 光刻膠去膠劑
4.14 光刻過(guò)程中使用的其他材料
4.14.1 對(duì)比增強(qiáng)層材料
4.14.2 粘附助劑
4.14.3 聚酰亞胺材料
4.14.4 柵涂層材料
附錄 化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
第五章 刻蝕技術(shù)及化學(xué)品
5.1 濕法刻蝕技術(shù)
5.1.1 濕法刻蝕技術(shù)概述
5.1.2 Si的濕法刻蝕
5.1.3 SiO2的濕法刻蝕
5.1.4 Si3N4的濕法刻蝕
5.1.5 Cu的濕法刻蝕
5.1.6 Al的濕法刻蝕
5.1.7 Mo的濕法刻蝕
5.1.8 Cr的濕法刻蝕
5.1.9 W的濕法刻蝕
5.2 干法刻蝕技術(shù)
5.2.1 干法刻蝕技術(shù)概述
5.2.2 二氧化硅和硅的干法刻蝕
5.2.3 氮化硅的干法刻蝕
5.2.4 多晶硅與金屬多晶硅化物的干法刻蝕
5.2.5 金屬鋁及鋁合金的干法刻蝕
5.2.6 金屬銅的干法刻蝕
5.2.7 金屬鎢的干法刻蝕
5.2.8 其他材料的干法刻蝕
附錄 化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
第六章 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及化學(xué)品
6.1 平坦化
6.2 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)概述
6.2.1 CMP設(shè)備及工藝
6.2.2 CMP工藝的主要參數(shù)
6.3 二氧化硅的CMP技術(shù)及磨蝕劑
6.4 金屬鎢的CMP技術(shù)及磨蝕劑
6.5 金屬銅的CMP技術(shù)及磨蝕劑
6.6 磨蝕劑的技術(shù)參數(shù)
6.7 集成電路工藝中使用的磨蝕劑
附錄化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
第七章 載氣及其他化學(xué)品
附錄 化學(xué)品及氣體理化性質(zhì)
參考文獻(xiàn)
縮略語(yǔ)