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內容簡介

　　《半導體制造工藝基礎》介紹了從晶體生長到集成器件和電路的完整的半導體制造技術，其中包括制造流程中主要步驟的理論和實踐經驗?！栋雽w制造工藝基礎》適合于物理、化學、電子工程、化學工程和材料科學等專業(yè)本科高年級或碩士研究生一年級學生《集成電路制造》課程的教學。該課程授課時間為一個學期，不要求必須開設相應的實驗課。同時，《半導體制造工藝基礎》也可供在半導體工業(yè)領域工作的工程師和科學家參考。《半導體制造工藝基礎》的第一章簡要回顧了半導體器件和關鍵技術的發(fā)展歷史，并介紹了基本的制造步驟。第二章涉及晶體生長技術。后面幾章是按照集成電路典型制造工藝流程來安排的。第三章介紹硅的氧化技術。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術。第六章和第七章介紹半導體摻雜的主要技術；擴散法和離子注入法。第八章涉及一些相對獨立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法。《半導體制造工藝基礎》最后三章集中討論制版和綜合。第九章通過介紹晶體工藝技術、集成器件和微機電系統(tǒng)加工等工藝流程，將各個獨立的工藝步驟有機地整合在一起。第十章介紹集成電路制造流程中高層次的一些關鍵問題，包括電學測試、封裝、工藝控制和成品率。第十一章探討了半導體工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了其未來的發(fā)展前景。

作者簡介

暫缺《半導體制造工藝基礎》作者簡介

圖書目錄

第1章　引言　
　1.1　半導體材料　
　1.2　半導體器件　
　1.3　半導體工藝技術　
　1.4　基本工藝步驟　
　1.5　總結　
　參考文獻
第2章　晶體生長　
　2.1　從熔融硅中生長單晶硅
　2.2　硅的區(qū)熔（float－zone）法單晶生長工藝
　2.3　砷化鎵晶體的生長技術　
　2.4　材料特性
　2.5　總結
　習題
　參考文獻
第3章　硅的氧化　
　3.1　熱氧化過程
　3.2　氧化過程中的雜質再分布
　3.3　二氧化硅的掩模特性
　3.4　氧化質量
　3.5　氧化層厚度特性
　3.6　氧化模擬
　3.7　總結　
　參考文獻
　習題
第4章　光刻
　4.1　光學光刻（Optical lithography）
　4.2　新一代的曝光法
　4.3　光刻模擬
　4.4　總結　
　參考文獻
　習題
第5章　刻蝕
　5.1　濕法化學刻蝕（wet chemical etching）
　5.2　干法刻蝕
　5.3　刻蝕仿真
　5.4　總結
　參考文獻
　習題
第6章　擴散　
　6.1　基本擴散工藝
　6.2　非本征擴散　
　6.3　橫向擴散　
　6.4　擴散模擬
　參考文獻
　習題
第7章　離子注入
　7.1　注入離子的范圍　
　7.2　注入損傷和退火
　7.3　注入相關工藝
　7.4　離子注入模擬
　7.5　習題
第8章　薄膜淀積
　8.1　外延生長技術
　8.2　外延層結構及缺陷　
　8.3　電介質淀積
　8.4　多晶硅淀積
　8.5　金屬化
　8.6　淀積模擬
　8.7　總結
　參考文獻
　習題
第9章　工藝集成
　9.1　無源單元　
　9.2　雙極型工藝
　9.3　MOSFET技術
　9.4　MESFET技術
　9.5　MEMS技術
　9.6　工藝模擬
　9.7　總結　
　參考文獻
　習題
第10章　集成電路制造
　10.1　電測試　
　10.2　封裝
　10.3　統(tǒng)計工藝控制
　10.4　統(tǒng)計實驗設計　
　10.5　成品率
　10.6　計算機集成制造
　10.7　總結　
　參考文獻
　習題
第11章　未來趨勢和挑戰(zhàn)
　11.1　未來的挑戰(zhàn)
　11.2　片上系統(tǒng)　
　11.3　總結
　參考文獻
　習題
附錄
索引