數(shù)字電子技術(shù)

1數(shù)字電路基礎(chǔ)
1.1數(shù)制和碼制
1.1.1常用數(shù)制及其相互轉(zhuǎn)換
1.1.2碼制
1.2邏輯代數(shù)基礎(chǔ)
1.2.1邏輯代數(shù)的3種基本運(yùn)算
1.2.2邏輯代數(shù)的公式和基本法則
1.2.3邏輯代數(shù)的基本規(guī)則
1.3邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)
1.3.1邏輯函數(shù)的最簡(jiǎn)形式
1.3.2邏輯函數(shù)的公式化簡(jiǎn)法
1.3.3用卡諾圖化簡(jiǎn)邏輯函數(shù)
1.4具有無(wú)關(guān)項(xiàng)的邏輯函數(shù)及其化簡(jiǎn)方法
1.5邏輯函數(shù)及其表示方法
1.5.1邏輯函數(shù)
1.5.2邏輯函數(shù)的表示方法
1.5.3各種表示方法之間的相互轉(zhuǎn)換
第1章小結(jié)
習(xí)題1
2邏輯門(mén)電路
2.1分立元件門(mén)電路
2.1.1半導(dǎo)體二極管和三極管的開(kāi)關(guān)特性
2.1.2分立元件門(mén)電路
2.2 CMOS集成門(mén)電路
2.2.1 CMOS反相器
2.2.2 CMOS與非門(mén)和或非門(mén)
2.2.3 CMOS傳輸門(mén)和雙向模擬開(kāi)關(guān)
2.2.4 CMOS三態(tài)門(mén)
2.2.5 CMOS異或門(mén)
2.2.6 CMOS電路的系列產(chǎn)品和使用方法
2.3 1TTL集成門(mén)電路
2.3.1 TTL反相器
2.3.2 TTL與非門(mén)和集電極開(kāi)路門(mén)(OC門(mén))
2.3.3 TTL電路的改進(jìn)系列及其他雙極型門(mén)電路
2.4 CMOS和1vrL門(mén)電路的性能比較、使用特點(diǎn)及相互連接
2.4.1 CMOS和TTL門(mén)電路的性能比較
2.4.2使用時(shí)要注意的問(wèn)題
2.4.3 CMOS和TTL門(mén)電路的連接
第2章小結(jié)
習(xí)題2
3組合邏輯電路
3.1組合邏輯電路的分析方法和設(shè)計(jì)方法
3.1.1組合邏輯電路的分析方法
3.1.2組合邏輯電路的一般設(shè)計(jì)方法
3.2編碼器和譯碼器
3.2.1編碼器
3.2.2譯碼器
3.3數(shù)據(jù)選擇器
3.4加法器和數(shù)值比較器
3.4.1加法器
3.4.2數(shù)值比較器
3.5用中規(guī)模集成電路實(shí)現(xiàn)組合電路的設(shè)計(jì)
3.5.1數(shù)據(jù)選擇器的應(yīng)用
3.5.2譯碼器的應(yīng)用
3.5.3全加器的應(yīng)用
3.6組合邏輯電路中的競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)現(xiàn)象
第3章小結(jié)
習(xí)題3
4集成觸發(fā)器
4.1基本RS觸發(fā)器
4.1.1用門(mén)電路構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器
4.1.2集成基本RS觸發(fā)器
4.2時(shí)鐘觸發(fā)器
4.2.1脈沖觸發(fā)的時(shí)鐘觸發(fā)器
4.2.2邊沿觸發(fā)的時(shí)鐘觸發(fā)器
4.3觸發(fā)器邏輯功能的分類(lèi)
4.3.1 RS觸發(fā)器的邏輯功能及其表示方法
4.3.2 JK觸發(fā)器的邏輯功能及其表示方法
4.3.3 D觸發(fā)器的邏輯功能及其表示方法
4.3.4 T觸發(fā)器的邏輯功能及其表示方法
4.3.5觸發(fā)器邏輯功能的轉(zhuǎn)換
4.4觸發(fā)器的選擇和使用
第4章小結(jié)
習(xí)題4
5時(shí)序邏輯電路
5.1用SSI構(gòu)成的時(shí)序邏輯電路的分析
5.2寄存器和移位寄存器
5.2.1寄存器
5.2.2移位寄存器
5.2.3移位寄存器的應(yīng)用舉例
5.3計(jì)數(shù)器
5.3.1同步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
5..3.2步十進(jìn)制計(jì)數(shù)器
5.3.3異步計(jì)數(shù)器
5.3.4用MSI構(gòu)成任意進(jìn)制計(jì)數(shù)器
5.4時(shí)序邏輯電路的設(shè)計(jì)方法
5.4.1用SSI實(shí)現(xiàn)同步時(shí)序邏輯電路
5.4.2MSI構(gòu)成時(shí)序邏輯電路實(shí)例
第5章小結(jié)
習(xí)題5
6大規(guī)模集成電路
6.1隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)
6.1.1 RAM的結(jié)構(gòu)與工作原理
6.1.2 RAM的擴(kuò)展
6.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)
6.2.1固定ROM
6.2.2 PRoM和EPROM
6.2.3用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路
6.3可編程邏輯器件(PLD)
6.3.1 PLD電路表示法
6.3.2可編程邏輯陣列(PLA)
6.3.3可編程陣列邏輯(PAL)
6.3.4通用陣列邏輯(GAL)
6.3.5可擦除的可編程邏輯器件(EPL))
6.3.6現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)
6.4 PLD的編程
6.4.1現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法
6.4.2 PLD的開(kāi)發(fā)過(guò)程
6.5在系統(tǒng)編程技術(shù)
6.5.1在系統(tǒng)編程技術(shù)的原理
6.5.2在系統(tǒng)編程技術(shù)對(duì)數(shù)字系統(tǒng)的貢獻(xiàn)
第6章小結(jié)
習(xí)題6
7脈沖信號(hào)的產(chǎn)生與整形
7.1多諧振蕩器
7.1.1非對(duì)稱(chēng)式多諧振蕩器
7.1.2對(duì)稱(chēng)式多諧振蕩器
7.1.3石英晶體多諧振蕩器
7.2施密特觸發(fā)器
7.2.1施密特觸發(fā)器的功能
7.2.2由CMOS門(mén)構(gòu)成的施密特觸發(fā)器
7.2.3集成施密特觸發(fā)器
7.2.4施密特觸發(fā)器的應(yīng)用
7.3單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
7.3.1用門(mén)電路組成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
7.3.2集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
7.3.3單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的應(yīng)用
7.4 555定時(shí)器及其應(yīng)用
7.4.1 555定時(shí)器的電路組成與功能
7.4.2用.555定時(shí)器構(gòu)成施密特觸發(fā)器
7.4.3用.555定時(shí)器構(gòu)成多諧振蕩器
7.4.4用.555定時(shí)器構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
第7章小結(jié)
習(xí)題7
8數(shù)／模和模／數(shù)轉(zhuǎn)換器
8.1 D／A轉(zhuǎn)換器
8.1.1 D／A轉(zhuǎn)換器的基本概念
8.1.2權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)D／A轉(zhuǎn)換器
8.1.3倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)D／A轉(zhuǎn)換器
8.1.4權(quán)電流D／A轉(zhuǎn)換器
8.1.5集成D／A轉(zhuǎn)換器及其應(yīng)用
8.2 A／D轉(zhuǎn)換器
8.2.1A／D轉(zhuǎn)換器的基本概念
8.2.2常見(jiàn)的A／D轉(zhuǎn)換器
8.2.3集成A／D轉(zhuǎn)換器
第8章小結(jié)
習(xí)題8
附錄
附錄A 半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法(根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB 3420—82)
附錄B 常用CMOS門(mén)電路的型號(hào)、參數(shù)及外部引線(xiàn)排列圖
附錄C 常用TTL門(mén)電路的型號(hào)、參數(shù)及外部引線(xiàn)排列圖
附錄D 集成觸發(fā)器的主要性能參數(shù)
附錄E 四位雙向移位寄存器T1194、T3194、T4194的主要性能參數(shù)
附錄F 同步十六進(jìn)制計(jì)數(shù)器T116l、T4161和同步十進(jìn)制十?dāng)?shù)器T1160、T4160的
主要性能參數(shù)
附錄G 555定時(shí)器的性能參數(shù)
附錄H PAL器件的型號(hào)命名法和邏輯符號(hào)
附錄I GAL器件型號(hào)命名法
參考文獻(xiàn)