脈沖激光沉積動力學(xué)與玻璃基薄膜

總序
前言
上篇 脈沖激光沉積動力學(xué)
　第1章　薄膜材料與制備方法引論
1.1　薄膜材料的特點(diǎn)
1.2　常見的薄膜材料
　1.2.1　結(jié)構(gòu)薄膜材料
　 1.2.2　功能薄膜材料
1.3　鐵電薄膜材料
　 1.3.1　鐵電薄膜材料的結(jié)構(gòu)、性能與應(yīng)用
　1.3.2　鐵電薄膜制備
1.4　鉭鈮酸鉀鐵電薄膜材料
　 1.4.1 KTN材料的結(jié)構(gòu)與相變
　 1.4.2 KTN材料的介電與鐵電性能
　1.4.3 KTN薄膜的制備、實(shí)驗(yàn)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
1.5 常見的薄膜制備方法
　 1.5.1 真空蒸發(fā)沉積
　 1.5.2 分子束外延法
　1.5.3 溶膠一凝膠法
1.6 濺射法
參考文獻(xiàn)
　第2章　薄膜的缺陷和界面與實(shí)驗(yàn)表征
　 2.1 薄膜的缺陷
　2.1.1 點(diǎn)缺陷
　 2.1.2 線缺陷
　2.2 薄膜的界面與薄膜間的相互擴(kuò)散
　 2.2.1 薄膜與襯底間的界面
　　2.2.2 不同材料薄膜之間的界面
　 2.3 常見的實(shí)驗(yàn)表征方法
　2.4 X射線衍射分析
　2.5 掃描隧道顯微鏡
　2.6 掃描近場光學(xué)顯微鏡
　參考文獻(xiàn)
　第3章　脈沖激光沉積技術(shù)及其Z-L模型一般描述
　3.1 PLD技術(shù)發(fā)展過程
　3.2 PLD技術(shù)制備薄膜的實(shí)驗(yàn)工藝
　3.3 PLD技術(shù)制備過程的一般描述
　 3.3.1 PLD技術(shù)的物理圖像的一般描述
　 3.3.2 激光與靶材的相互作用
　3.3.3 等離子體膨脹
　 3.3.4 襯底上沉積成膜
　 3.4 PLD技術(shù)的Z—L模型簡介
　 3.4.1 脈沖激光燒蝕靶材過程的描述
　 3.4.2 等離子體的空間膨脹過程研究
　 3.4.3 薄膜沉積特性研究
3.4.4 等離子體沖擊波模型
　參考文獻(xiàn)
　第4章　激光燒蝕的基本模型與含熱源項(xiàng)模型
　 4.1 激光燒蝕產(chǎn)生的燒蝕面的位置演化規(guī)律
4.1.1 燒蝕過程的基本物理圖像
4.1.2 燒蝕面的位置演化規(guī)律
　 4.2 燒蝕方程的導(dǎo)熱方程和定解條件
4.2.1 導(dǎo)熱方程與定解條件
……
第5章　含蒸發(fā)項(xiàng)和熱源項(xiàng)的以及靶材吸收率燒蝕模型
第6章　等離子體的演化及沖擊波規(guī)律研究
第7章　薄膜生長過程研究
第8章　相爆炸和PLD技術(shù)機(jī)制研究最新進(jìn)展
第9章　TiO2薄膜光化催化自潔凈玻璃的溶膠-凝膠技術(shù)制備研究
第10章　TiO2薄膜的磁控濺射法制備
第11章　玻璃基TiO2/TiN/TiO2多層膜的濺射制備
第12章　石英玻璃毛細(xì)管內(nèi)高反射薄膜的制備
第13章　全反射與全反射薄膜空芯光纖
第14章　毛細(xì)管內(nèi)薄膜制備技術(shù)的研究
第15章　致密氧化鋁薄膜全反射空芯光纖的研究
第16章　GeO2基全反射薄膜空芯光纖的制備研究
跋
后記