薄膜晶體管陣列制造技術(shù)（TFT）

引言
一、 平板顯示——人類智慧之窗
二、 薄膜晶體管的技術(shù)特點(diǎn)
第一章 TFT-LCD生產(chǎn)線建設(shè)
1.1 TFT-LCD項(xiàng)目準(zhǔn)備工作
1.2 投資估算
1.3 廠房建設(shè)
1.4 凈化系統(tǒng)
1.5 信息管理系統(tǒng)
1.6 技術(shù)管理系統(tǒng)
1.7 TFT陣列制造的主要設(shè)備
1.8 TFT陣列制造的設(shè)計(jì)技術(shù)和研發(fā)
第二章 TFT元件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
2.1 場效應(yīng)晶體管的工作原理
2.2 非晶硅TFT的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2.3 TFT陣列
2.3.1 TFT與像素、子像素和顯示格式
2.3.2 TFT與像素間距
2.2.3 TFT與亮度
2.3.4 TFT與對比度
2.3.5 TFT與開口率
2.3.6 TFT與響應(yīng)速度
2.3.7 TFT與閃爍
2.3.8 TFT的寄生電容與交叉串?dāng)_
2.3.9 TFT陣列的等效電路
2.3.10 TFT-LCD顯示器TFT的主要參數(shù)
第三章 TFT工藝概述
3.1 陣列工藝的主要設(shè)備
3.2 陣列工藝的主要原材料
3.2.1 玻璃基板
3.2.2 靶材
3.2.3 特藥、特氣
3.3 7次光刻的簡要回顧
3.4 TFT 5次光刻的工藝技術(shù)
3.5 4次光刻技術(shù)
3.6 多晶硅和高遷移率TFT技術(shù)
3.6.1 多晶硅TFT技術(shù)
3.6.2 非硅基高遷移率TFT
3.7 硅基液晶顯示技術(shù)
3.8 TFT制造統(tǒng)計(jì)過程控制
第四章 TFT陣列制作清洗工藝
4.1 污染物來源及分類
4.2 洗凈原理及方法
4.2.1 濕式清洗
4.2.2 干式清洗
4.3 洗凈材料
4.4 洗凈設(shè)備
4.5 清洗工藝條件的確定
4.5.1 紫外干洗工藝條件的確定
4.5.2 洗凈能力評價(jià)
4.5.3 干燥處理
4.5.4 單元條件設(shè)定和點(diǎn)檢
4.6 清洗作業(yè)安全及作業(yè)異常處置
4.6.1 清洗作業(yè)安全及注意事項(xiàng)
4.6.2 作業(yè)異常處置
4.7 洗凈工藝展望
第五章 濺射成膜（金屬膜）
5.1 濺射技術(shù)歷史的簡短回顧
5.2 濺射原理及分類
5.2.1 濺射原理
5.2.2 濺射分類
5.3 濺射材料
5.3.1 濺射氣體
5.3.2 濺射靶材
5.4 濺射設(shè)備
5.4.1 濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)
5.4.2 成膜室構(gòu)造
5.4.3 濺射設(shè)備的主要技術(shù)指標(biāo)
5.5 濺射工藝條件的確定
5.5.1 直流電源功率的確定
5.5.2 成膜氣體壓力的確定
5.5.3 工藝室真空度的確定
5.5.4 磁場強(qiáng)度及其分布
5.5.5 成膜溫度的確定
5.5.6 濺射距離
5.6 金屬膜質(zhì)量控制
5.6.1 基板表面灰塵管理
5.6.2 Sheet阻抗測量
5.6.3 透過率和反射率測量
5.6.4 結(jié)晶構(gòu)造觀察
5.6.5 膜應(yīng)力測量
5.6.6 密著性測定
5.6.7 膜厚測量
5.6.8 金屬膜的工藝問題
5.7 濺射作業(yè)安全及異常處理
第六章 CVD成膜（非金屬膜）
6.1 化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理及分類
6.1.1 化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理
6.1.2 化學(xué)氣相沉積技術(shù)的分類
6.2 CVD材料
6.2.1 硅烷（氣）
6.2.2 磷烷
6.2.3 氨氣
6.2.4 笑氣
6.2.5 氫氣
6.2.6 氮?dú)?br />6.3 CVD設(shè)備
6.3.1 UNAXIS設(shè)備總體結(jié)構(gòu)說明
6.3.2 裝載腔和傳送腔結(jié)構(gòu)
6.3.3 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)
6.3.4 供氣、排氣、除害、水循環(huán)系統(tǒng)
6.3.5 附件
6.4 CVD工藝條件的確定
6.4.1 G-SiN工藝條件
6.4.2 連續(xù)3層成膜
6.5 TFT元件特性的簡單討論
6.6 CVD成膜設(shè)備的回顧與展望
第七章 曝光與顯影工藝技術(shù)
7.1 工藝原理
7.1.1 基本概要
7.1.2 TFT的結(jié)構(gòu)
7.1.3 工藝流程
7.2 曝光工藝材料—光刻膠
7.3 曝光工藝設(shè)備
7.3.1 涂膠機(jī)
7.3.2 涂膠工藝
7.3.3 曝光裝置
7.3.4 掩模板
7.4 工藝條件的確定
7.5 灰度掩模板光刻工藝
7.6 曝光量與光刻膠形狀評價(jià)
7.6.1 工藝評價(jià)項(xiàng)目
7.6.2 工藝調(diào)試
7.6.3 光刻膠刻蝕
7.6.4 GT部光刻膠斷面形狀的確認(rèn)
7.7 工藝管理與設(shè)備日常點(diǎn)檢
7.7.1 工藝管理
7.7.2 設(shè)備日常點(diǎn)檢
7.8 顯影
第八章 濕刻工藝技術(shù)
8.1 濕法刻蝕原理
8.2 濕刻工藝
8.3 濕法刻蝕設(shè)備
8.4 工藝性能要求
8.4.1 柵極濕刻
8.4.2 漏源極濕刻
8.4.3 像素電極濕刻
8.5 工藝參數(shù)
8.5.1 藥液溫度
8.5.2 藥液處理時(shí)間
8.5.3 藥液噴淋壓力
8.5.4 藥液濃度控制及藥液壽命
8.5.5 藥液入口淋浴流量
8.5.6 液切氣刀流量
8.5.7 水洗時(shí)間與水洗噴淋壓力
8.5.8 水洗入口淋浴流量
8.5.9 干燥槽空氣刀的流量
8.6 濕刻工藝中常見的缺陷
第九章 干刻技術(shù)
9.1 等離子干刻原理
9.2 干刻設(shè)備
9.3 干刻工藝
9.4 硅島刻蝕工藝
9.4.1 硅島刻蝕工藝規(guī)范
9.4.2 日常點(diǎn)檢與灰塵檢查
9.4.3 調(diào)整作業(yè)
9.4.4 刻蝕速率的測定
9.4.5 段差測定
9.5 光刻膠刻蝕工藝
9.6 溝道刻蝕工藝
9.7 接觸孔刻蝕工藝規(guī)范
第十章 光刻膠剝離與退火
10.1 光刻膠剝離原理與材料
10.2 工藝要求
10.3 裝置介紹
10.4 重要工藝參數(shù)
10.5 工藝條件設(shè)定
10.6 日常點(diǎn)檢
10.7 退火
第十一章 缺陷解析技術(shù)
11.1 缺陷解析基礎(chǔ)
11.1.1 影響TFT性能的主要參數(shù)及其因數(shù)
11.1.2 像素電容的充電
11.1.3 電壓補(bǔ)償
11.1.4 柵極延遲
11.2 TFT陣列缺陷的分類與代碼
11.1.1 TFT陣列缺陷的分類
11.2.2 TFT陣列缺陷代碼
11.3 缺陷解析的主要工具
11.4 缺陷解析流程
11.4.1 缺陷分布圖
11.4.2 設(shè)備調(diào)查
11.5 主要缺陷解析
11.6 TN型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析
11.7 SFT型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析
第十二章 TFT檢查與修復(fù)
12.1 陣列檢查流程
12.1.1 TN品種的TFT陣列工藝檢查
12.2 流程設(shè)定
12.3 檢測設(shè)備
12.4 宏觀/微觀檢查
12.4.1 宏觀檢查
12.4.2 宏觀/微觀檢查設(shè)備工作原理
12.5 自動(dòng)外觀檢查裝置
12.6 激光修復(fù)和激光CVD裝置
12.7 陣列測試檢查裝置
12.8 斷路和短路電氣檢查裝置
12.9 附錄 TN 4 Mask產(chǎn)品圖案檢查操作規(guī)格書
第十三章 TFT制造工藝小結(jié)與技術(shù)展望
13.1 TFT陣列制造工藝小結(jié)
13.2 TFT平板顯示技術(shù)展望
參考文獻(xiàn)