半導體的檢測與分析（第二版）

定　價：￥98.00

作　者：	許振嘉主編
出版社：	科學出版社
叢編項：	半導體科學與技術(shù)叢書
標　簽：	半導體技術(shù)

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ISBN：	9787030194626	出版時間：	2007-08-01	包裝：	精裝
開本：	0開	頁數(shù)：	635	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書的內(nèi)容與1984年第一版的內(nèi)容完全不同。本書介紹補充了這二十年來半導體科研、生產(chǎn)中最常用的各種檢測、分析方法和原理。全書共分7章，包括引論，半導體的高分辨X射線衍射，光學檢測與分析，表面、薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體中的應用和半導體深中心的表征。書中根據(jù)實踐列舉了一些實例，同時附有大量參考文獻和常用的數(shù)據(jù)，以便讀者進一步參考和應用?！”緯晒氖掳雽w科研和生產(chǎn)的科研人員，大專院校老師和研究生使用。

作者簡介

暫缺《半導體的檢測與分析（第二版）》作者簡介

圖書目錄

前言
第1章引論
　1.1 科學內(nèi)容
　1.2 實驗技術(shù)
　1.3 展望
　參考文獻
第2章半導體晶體的高分辨X射線衍射
　2.1 引言
　2.2 半導體晶體結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)缺陷
　2.3 X射線平面波的衍射
　2.4 高分辨X射線衍射的限束
　2.5 異質(zhì)外延多層膜的X射線雙晶衍射
　2.6 三軸衍射
　2.7 晶格參數(shù)的精確測量
　2.8 鑲嵌結(jié)構(gòu)的測量
　2.9 鏡面反射與面內(nèi)掠入射
　參考文獻
　附錄
第3章光學性質(zhì)檢測分析
　3.1 引言
　3.2 半導體光致發(fā)光
　3.3 半導體的陰極熒光
　3.4 吸引光譜及其相關(guān)的薄膜光譜測量方法
　3.5 拉曼散射
　參考文獻
第4章表面和薄膜成分分析
　4.1 引言
　4.2 俄歇電子能譜
　4.3 X射線光電子譜
　4.4 二次離子質(zhì)譜
4.5 盧瑟福背散射
參考文獻
附錄
第5章掃描探針顯微學在半導體中的運用
　5.1 引言
　5.2 掃描隧道顯微鏡的基本原理
　5.3 用STM分析表面結(jié)構(gòu)
　5.4 掃描隧道譜
　5.5 彈道電子發(fā)射顯微鏡
　5.6 原子力顯微鏡
　5.7 原子力顯微鏡用于表面分析
　5.8 掃描電容顯微鏡
　5.9 靜電力顯微鏡
　5.10 磁力顯微鏡
　5.11 掃描近場光學顯微鏡
　5.12 原子操縱與納米加工
　參考文獻
第6章透射電子顯微學及其在半導體研究
　6.1 引言
　6.2 透射電子顯微鏡的基本構(gòu)造及工作原理
　6.3 顯微像襯度
　6.4 其他技術(shù)
　6.5 應用實例
　6.6 結(jié)語
　參考文獻
　附錄
第7章半導體深中心的表征
7.1 深能級瞬態(tài)譜技術(shù)
參考文獻
7.2 熱激電流
參考文獻