電子背散射衍射技術(shù)及其應(yīng)用

緒論
1　電子背散射衍射技術(shù)的發(fā)展及在我國應(yīng)用的現(xiàn)狀
　1.1　EBSD技術(shù)的發(fā)展過程
　1.2　EBSD技術(shù)與其他相關(guān)技術(shù)的比較
　　1.2.1　浸蝕法
　　1.2.2　SEM下的單個(gè)取向分析技術(shù)
　　1.2.3　TEM下的取向測定技術(shù)
　1.3　EBSD技術(shù)在我國應(yīng)用的現(xiàn)狀
　1.4　有關(guān)EBSD技術(shù)應(yīng)用的文章發(fā)表情況
　1.5　EBSD系統(tǒng)在我國的銷售情況
　1.6　相關(guān)教材
　參考文獻(xiàn)
2　晶體學(xué)及晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
　2.1　晶體的對稱性及對稱操作
　　2.1.1　晶體的宏觀對稱性與微觀對稱性
　　2.1.2　對稱變換（操作）
　2.2　晶體結(jié)構(gòu)、符號(hào)與原子占位
　　2.2.1　晶體結(jié)構(gòu)簡述
　　2.2.2　晶體結(jié)構(gòu)符號(hào)
　　2.2.3　原子位置及位置的對稱性（等效點(diǎn)系）
　2.3　晶體投影與標(biāo)準(zhǔn)投影圖
　　2.3.1　晶體投影
　　2.3.2　標(biāo)準(zhǔn)投影圖
　2.4　晶體內(nèi)部的界面及結(jié)構(gòu)
　　2.4.1　晶界類型
　　2.4.2　小角度晶界
　　2.4.3　重合位置點(diǎn)陣CSL及CSL晶界
　　2.4.4　相界面結(jié)構(gòu)及晶體學(xué)
　參考文獻(xiàn)
3　晶體取向（差）、織構(gòu)及界面晶體學(xué)
　3.1　晶體取向及其表示法
　　3.1.1　晶體取向的概念
　　3.1.2　取向的各種表示方法
　3.2　織構(gòu)的概念及表達(dá)
　　3.2.1　織構(gòu)存在的普遍性
　　3.2.2　織構(gòu)的表示法
　　3.2.3　由EBSD數(shù)據(jù)算出的織構(gòu)與X射線法獲得的織構(gòu)之間的差異
　3.3　取向差、取向關(guān)系及界面晶體學(xué)
　　3.3.1　同種晶粒間的取向差或角/軸對關(guān)系
　　3.3.2　不同相之間的取向關(guān)系
　　3.3.3　界面法線晶面指數(shù)的測定
　參考文獻(xiàn)
4　取向運(yùn)算及一些取向/織構(gòu)分析軟件
　4.1　取向運(yùn)算的例子
　　4.1.1　六方結(jié)構(gòu)取向的運(yùn)算
　　4.1.2　立方結(jié)構(gòu)和六方結(jié)構(gòu)晶體孿生過程取向運(yùn)算
　　4.1.3　滑移及孿生過程的Schmid因子運(yùn)算
　　4.1.4　晶界面指數(shù)的確定
　4.2　幾個(gè)晶體學(xué)及織構(gòu)分析（?。┸浖?br />　　4.2.1　CaRIne　Crystallography晶體學(xué)軟件（法國）
　　4.2.2　PAN取向計(jì)算器
　　4.2.3　ResMat-Textools/TexViewer織構(gòu)分析軟件
　　4.2.4　Auswert軟件
　　4.2.5　LaboTex織構(gòu)計(jì)算軟件
　　4.2.6　HKL-EBSD　Simulator演示軟件
　　4.2.7　HKL-Channel軟件包
　　4.2.8　EDAX-TSL　EBSD分析軟件
　參考文獻(xiàn)
5　電子背散射衍射的硬件技術(shù)及相關(guān)原理
　5.1　電子背散射衍射（EBSD）裝置的基本布局
　5.2　EBSD系統(tǒng)硬件
　5.3　EBSD數(shù)據(jù)獲取過程涉及的主要原理
　　5.3.1　菊池帶的產(chǎn)生原理
　　5.3.2　取向標(biāo)定原理
　　5.3.3　菊池帶的自動(dòng)識(shí)別原理
　　5.3.4　相結(jié)構(gòu)鑒定及取向標(biāo)定用晶體學(xué)庫文件
　　5.3.5　EBSD分辨率
　　5.3.6　取向顯微術(shù)（orientation　microscopy）及取向成像（orientation　mapping）
　　5.3.7　花樣（或圖像）質(zhì)量IQ、花樣襯度BC與置信指數(shù)CI
　　5.3.8　EBSD系統(tǒng)絕對取向的校正
　5.4　EBSD的操作過程
　5.5　EBSD分析測定時(shí)可調(diào)整的一些參數(shù)
　5.6　EBSD測定時(shí)可能出現(xiàn)的一些問題
　參考文獻(xiàn)
6　電子背散射衍射數(shù)據(jù)的處理
　6.1　EBSD數(shù)據(jù)所包含的基本信息及可能的用途
　6.2　用于取向、織構(gòu)分析的EBSD數(shù)據(jù)處理
　6.3　取向關(guān)系數(shù)據(jù)（取向差及轉(zhuǎn)軸）的統(tǒng)計(jì)分布
　6.4　與組織相關(guān)的取向（差）、微織構(gòu)及晶界特性分析（取向成像分析）
　6.5　如何評(píng)價(jià)所測數(shù)據(jù)
　6.6　其他方面的分析（Schmid因子，Taylor因子分布）
　參考文獻(xiàn)
7　電子背散射衍射技術(shù)的應(yīng)用I——基礎(chǔ)研究
　7.1　EBSD技術(shù)在晶體材料各領(lǐng)域的應(yīng)用
　7.2　EBSD技術(shù)在基礎(chǔ)研究中的應(yīng)用
　　7.2.1　EBSD技術(shù)在分析金屬形變時(shí)內(nèi)部存在的形變不均勻性中的應(yīng)用
　　7.2.2　EBSD技術(shù)在金屬靜態(tài)再結(jié)晶過程分析中的應(yīng)用
　　7.2.3　EBSD技術(shù)在金屬動(dòng)態(tài)再結(jié)晶過程中的應(yīng)用
　　7.2.4　EBSD技術(shù)在孿晶分析中的應(yīng)用
　　7.2.5　高錳鋼中兩相組織的鑒別
　參考文獻(xiàn)
8　電子背散射衍射技術(shù)的應(yīng)用Ⅱ——工程材料
　8.1　bcc結(jié)構(gòu)低碳鋼熱壓縮動(dòng)態(tài)再結(jié)晶細(xì)化晶粒的效果分析
　8.2　形變強(qiáng)化相變細(xì)化低碳鋼鐵素體晶粒時(shí)的取向特點(diǎn)
　　8.2.1　形變強(qiáng)化相變初期（小應(yīng)變量）晶界及形變帶上形成的鐵素體的取向
　　8.2.2　奧氏體轉(zhuǎn)變中、后期（大應(yīng)變量下）鐵素體晶粒的取向
　8.3　銀薄膜中的晶粒異常生長現(xiàn)象的分析
　8.4　鎂合金中壓縮孿晶的EBSD分析
　8.5　利用EBSD技術(shù)確定鎂合金中形變孿晶量與應(yīng)變量的定量關(guān)系
　8.6　利用EBSD技術(shù)分析fcc鋁合金中立方取向晶粒的特點(diǎn)
　　8.6.1　熱軋板中立方取向晶粒的特點(diǎn)
　　8.6.2　冷軋板再結(jié)晶初期立方晶粒的形核
　　8.6.3　高純鋁再結(jié)晶后立方織構(gòu)的相對量
　　8.6.4　1050鋁合金中制耳率與立方織構(gòu)相對量的關(guān)系
　8.7　EBSD技術(shù)在微電子封裝中金線鍵合性能評(píng)價(jià)時(shí)的應(yīng)用
　　8.7.1　金絲鍵合時(shí)不同加工階段的組織與微織構(gòu)特點(diǎn)
　　8.7.2　工藝參數(shù)對金絲鍵合組織與微織構(gòu)的影響
　　8.7.3　工藝參數(shù)對倒裝鍵合后組織與微織構(gòu)的影響
　參考文獻(xiàn)
9　EBSD分析用樣品的制備
　9.1　樣品制備可能出現(xiàn)的問題及對樣品的基本要求
　9.2　一般的樣品制備方法
　9.3　特殊的樣品制備方法
　　9.3.1　小樣品的處理
　　9.3.2　表面噴碳、金
　　9.3.3　離子轟擊
　　9.3.4　聚焦離子束（FIB）技術(shù)
　9.4　一些材料的EBSD樣品制備方法
　參考文獻(xiàn)
結(jié)語與展望
術(shù)語索引