微電子與光電子集成技術(shù)

定　價(jià)：￥48.00

作　者：	陳弘達(dá)
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	“十一五”國(guó)家重點(diǎn)圖書出版規(guī)劃項(xiàng)目
標(biāo)　簽：	電子電路與微處理器

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ISBN：	9787121051500	出版時(shí)間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁(yè)數(shù)：	303 pages	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　微電子技術(shù)與光電子技術(shù)緊密結(jié)合，相互滲透，必將推進(jìn)信息技術(shù)及相關(guān)的高新技術(shù)進(jìn)入新的發(fā)展階段。本書共分為9章，從技術(shù)基礎(chǔ)和實(shí)際應(yīng)用的角度出發(fā)，著重對(duì)微電子與光電子集成技術(shù)相關(guān)的工藝基礎(chǔ)、基本原理和關(guān)鍵集成技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)闡述，主要內(nèi)容包括光發(fā)射器件、光電探測(cè)器、光波導(dǎo)器件、光電子專用集成電路、硅基光電子集成回路、甚短距離光傳輸技術(shù)以及微電子與光電子混合集成技術(shù)等。微電子與光電子集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，必將為21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展作出重大貢獻(xiàn)。然而，微電子與光電子集成技術(shù)是信息技術(shù)發(fā)展的一個(gè)嶄新方向，雖然各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展取得了一定的進(jìn)步，但還存在諸多難題需要進(jìn)一步解決和完善。本書主要為從事集成光電子和光通信等相關(guān)技術(shù)研究的科研人員提供參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《微電子與光電子集成技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1章概述
　1.1 微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　　1.1.1 雙極型微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　　1.1.2 MOS微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　　1.1.3 Bi-CMOS微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　　1.1.4 SOI微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　1.2 光電子技術(shù)簡(jiǎn)介
　　1.2.1 光發(fā)射器件簡(jiǎn)介
　　1.2.2 光接收器件簡(jiǎn)介
　　1.2.3 光波導(dǎo)器件簡(jiǎn)介
　　1.2.4 太陽(yáng)能電池
　　1.2.5 電子圖像顯示器件
　1.3 工藝與制備
　　1.3.1 MBE工藝
　　1.3.2 MOCVD工藝
　　1.3.3 氧化
　　1.3.4 化學(xué)氣相沉積（CVD）
　　1.3.5 刻蝕
　　1.3.6 光學(xué)光刻
　　1.3.7 離子注入
　　1.3.8 金屬化
　1.4 微電子與光電子集成技術(shù)簡(jiǎn)介
　參考文獻(xiàn)
第2章光發(fā)射器件及集成技術(shù)
　2.1 光發(fā)射器件理論基礎(chǔ)
　　2.1.1 晶體結(jié)構(gòu)
　　2.1.2 能帶結(jié)構(gòu)
　　2.1.3 雜質(zhì)能級(jí)
　　2.1.4 半導(dǎo)體發(fā)光基礎(chǔ)理論
　2.2 光發(fā)射二極管
　　2.2.1 概述
　　2.2.2 半導(dǎo)體光發(fā)射二極管的基本結(jié)構(gòu)
　　2.2.3 發(fā)光二極管性質(zhì)
　　2.2.4 硅基光發(fā)射二極管
　2.3 半導(dǎo)體激光器
　　2.3.1 半導(dǎo)體激光器分類
　　2.3.2 異質(zhì)結(jié)激光器
　　2.3.3 分布反饋激光器（DFB-LD）
　　2.3.4 量子阱激光器
　　2.3.5 硅基半導(dǎo)體激光器
　2.4 垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）
　　2.4.1 VCSEL的理論分析
　　2.4.2 VCSEL的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
　　2.4.3 VCSEL中反射鏡的設(shè)計(jì)
　　2.4.4 VCSEL光腔的設(shè)計(jì)
　　2.4.5 幾種典型的VCSEL結(jié)構(gòu)及其制作工藝
　參考文獻(xiàn)
第3章光接收器件及集成技術(shù)
　3.1 光電探測(cè)器理論基礎(chǔ)
　　3.1.1 半導(dǎo)體中的光吸收
　　3.1.2 光生載流子
　3.2 光電探測(cè)器性能參數(shù)
　　3.2.1 量子效率和響應(yīng)度
　　3.2.2 頻率響應(yīng)
　　3.2.3 噪聲和探測(cè)度
　3.3 基于Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器
　　3.3.1 PIN型光電探測(cè)器
　　3.3.2 APD光電探測(cè)器
　　3.3.3 MSM光電探測(cè)器
　　3.3.4 GaN基紫外光電探測(cè)器
　3.4 基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器
　　3.4.1 與標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝兼容的集成光電探測(cè)器
　　3.4.2 修改雙極工藝條件下的集成光電探測(cè)器
　3.5 基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器
　　3.5.1 基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的集成光電探測(cè)器
　　3.5.2 定制CMOS工藝下的PIN光電探測(cè)器
　　3.5.3 BiCMOS工藝下集成光電探測(cè)器
　3.6 鍺硅光電探測(cè)器
　3.7 光電探測(cè)器陣列
　參考文獻(xiàn)
第4章光波導(dǎo)器件及集成技術(shù)
　4.1 光傳輸?shù)睦碚摳攀?br />　　4.1.1 線光學(xué)理論
　　4.1.2 電磁場(chǎng)理論基礎(chǔ)
　4.2 光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)
　4.3 SOI光波導(dǎo)
　　4.3.1 SOI光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
　　4.3.2 光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)
　　4.3.3 硅光波導(dǎo)中損耗的分類
　　4.3.4 硅中的光調(diào)制機(jī)制
　4.4 光波導(dǎo)器件制作技術(shù)
　　4.4.1 SOI基片的制備
　　4.4.2 SOI波導(dǎo)工藝特點(diǎn)簡(jiǎn)介
　4.5 硅基電光調(diào)制器件簡(jiǎn)介
　　4.5.1 硅基電光調(diào)制器分類
　　4.5.2 光相位調(diào)制器
　參考文獻(xiàn)
第5章光電子專用集成電路
第6章硅基光電子集成回路
第7章甚短距離光傳輸模塊及相關(guān)技術(shù)
第8章微電子與光電子混合集成技術(shù)
第9章微電子與光電子集成技術(shù)展望
附錄A 縮略語(yǔ)