半導(dǎo)體器件物理（第3版）

定　價：￥76.00

作　者：	（美）施敏等著；張瑞智譯
出版社：	西安交通大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	國外名校最新教材精選
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體技術(shù)

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ISBN：	9787560525969	出版時間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	598	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　《半導(dǎo)體器件物理》這本經(jīng)典著作在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域已經(jīng)樹立起了先進(jìn)的學(xué)習(xí)和參考典范。此書的第3版保留了重要半導(dǎo)體器件的最為詳盡的知識內(nèi)容，并做了更新和重新組織，反映了當(dāng)今器件在概念和性能等方面的巨大進(jìn)展，它可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場效應(yīng)、微波、光子器件和傳感器的性能特點(diǎn)。本書專為研究生教材和參考所需設(shè)計，新版本包括：以最新進(jìn)展進(jìn)行了全面更新；包括了對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導(dǎo)體傳感器、量子級聯(lián)激光器、單電子晶體管、實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件等新型器件的敘述；對內(nèi)容進(jìn)行了重新組織和安排；各章后面配備了習(xí)題；重新高質(zhì)量地制作了書中的所有插圖?！栋雽?dǎo)體器件物理》（第3版）為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供了解當(dāng)今應(yīng)用中最為重要的半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識，對預(yù)測未來器件性能和局限性提供了良好的基礎(chǔ)。

作者簡介

　　施敏，（S.M.SZE），獲斯坦福大學(xué)電氣工程專業(yè)博士學(xué)位，1963-1989年在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作，1990年起在臺灣新竹交通大學(xué)（NCTU）電子工程系任教，施敏博士現(xiàn)在為NCTU的講座教授和斯坦福大學(xué)的顧問教授，并擔(dān)任多所院校及研究機(jī)構(gòu)的客座教授，他對半導(dǎo)體器件有著基礎(chǔ)性和先驅(qū)性的貢獻(xiàn)，特別重要的是他合作發(fā)明了非揮發(fā)存儲器，如閃存和EEPROM。施敏博士已經(jīng)作為作者和合作作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇、專著12部，他的《半導(dǎo)體器件物理》（Wiley出版）一書是同時代工程和應(yīng)用科學(xué)出版物中被引用最多的著作（由ISI統(tǒng)計，引用超過15000條）。施敏博士獲得過多項(xiàng)獎勵，為IEEE的終身會士、臺灣中央研究院院士和姜國國家工程院院士。伍國玨（KWOKK．NG），1979年獲哥倫比亞大學(xué)電氣工程專業(yè)博士學(xué)位，1975年獲羅格斯大學(xué)電氣工程專業(yè)學(xué)士學(xué)位。1980年進(jìn)入位于新澤西州MurrayHill的AT&T貝爾實(shí)驗(yàn)室，1996年作為朗訊科技的一部分剝離出來．后來隸屬于賓夕法尼亞州Allentown的杰爾系統(tǒng)（AgereSystems），2001年作為微電子部獨(dú)立出來。2005至2007年期間．他在加利福尼亞州SanJose的MVC和北卡羅萊納州Durham的半導(dǎo)體研究公司工作。伍國玨博士還扭任IEEEEle，ctronicLetters編輯及IEEE出版社的聯(lián)絡(luò)員，他是《半導(dǎo)體器件完全指導(dǎo)》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。

圖書目錄

譯者序
前言
導(dǎo)言
第1部分半導(dǎo)體物理
　第1章半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)概要
　 1.1 引言
　 1.2 晶體結(jié)構(gòu)
　 1.3 能帶和能隙
　 1.4 熱平衡時的載流子濃度
　 1.5 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
　 1.6 聲子、光學(xué)和熱特性
　 1.7 異質(zhì)結(jié)和納米結(jié)構(gòu)
1.8 基本方程和實(shí)例
第2部分器件的基本構(gòu)件
　第2章 p-n結(jié)二極管
　 2.1 引言
　 2.2 耗盡區(qū)
　 2.3 電流-電壓特性
　 2.4 結(jié)擊穿
　 2.5 瞬變特性與噪聲
　 2.6 端功能
　 2.7 異質(zhì)結(jié)
　第3章金屬-半導(dǎo)體接觸
　 3.1 引言
　 3.2 勢壘的形成
　 3.3 電流輸運(yùn)過程
　 3.4 勢壘高度的測量
　 3.5 器件結(jié)構(gòu)
　 3.6 歐姆接觸
　第4章金屬-絕緣體-半導(dǎo)體電容
　 4.1 引言
　 4.2 理想MIS電容
　 4.3 硅MOS電容
第3部分晶體管
　第5章雙極晶體管
　 5.1 引言
　 5.2 靜態(tài)特性
　 5.3 微波特性
　 5.4 相關(guān)器件結(jié)構(gòu)
　 5.5 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
　第6章 MOS場效應(yīng)晶體管
　6.1 引言
　 6.2 器件的基本特性
　 6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
　 6.4 器件按比例縮小和短溝道效應(yīng)
　 6.5 MOSFET的結(jié)構(gòu)
　 6.6 電路應(yīng)用
　 6.7 非揮發(fā)存儲器
　 6.8 單電子晶體管
　第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
　 7.1 引言
　 7.2 JFET和MODFET
　 7.3 MODFET
第4部分負(fù)阻器件和功率器件
　第8章隧道器件
　 8.1 引言
　 8.2 隧道二極管
　 8.3 相關(guān)的隧道器件
　 8.4 共振遂穿二極管
　第9章碰撞電離雪崩渡越時間二極管
　第10章轉(zhuǎn)移電子器件和實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件
　第11章晶閘管和功率器件
第5部分光學(xué)器件和傳感器
　第12章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
　第13章光電探測器和太陽電池
　第14章傳感器
附錄
A.符號表
B.國際單位制
C.單位詞頭
D.希臘字母表
E.物理常數(shù)
F.重要半導(dǎo)體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性