半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)

第1章 電阻率
1.1 簡介
1.2 兩探針與四控針
練習(xí) 1.1
1.2.1 修正因子
練習(xí) 1.2
練習(xí) 1.3
練習(xí) 1.4
1.2.2 任意形狀樣品的電阻率
1.2.3 測量電路
1.2.4 測量偏差和注意事項
1.3 晶片映像
1.3.1 二次注入
1.3.2 調(diào)制光反射
1.3.3 載流子發(fā)射(CI)
1.3.4 光密度測定法
1.4 電阻率分布
1.4.1 微分霍耳效應(yīng)（DHE)
練習(xí)1.5
1.4.2 擴展電阻剖面分布（SRP)
1.5 非接觸方法
1.5.1 渦流
1.6 電導(dǎo)率類型
1.7 優(yōu)點和缺點
附錄1.1 以摻雜濃度為函數(shù)的電阻率
附錄1.2 本征載流子濃度
習(xí)題
參考文獻
第2章 載流子和摻雜濃度
第3章 接觸電阻、肖特基勢壘及電遷移
第4章 串聯(lián)電阻、溝道長度與寬度、閾值電壓及熱載流子
第5章 缺陷
第6章 氧化物、界面陷阱電荷及氧化物完整性
第7章 載流子壽命
第8章 遷移率
第9章 光學(xué)表征
第10章 物理化學(xué)我的表征