現(xiàn)代薄膜技術(shù)

1 微納米纖維膜制造——電紡絲技術(shù)
1.1 電紡絲技術(shù)及應(yīng)用
1.1.1 簡(jiǎn)介
1.1.2 應(yīng)用領(lǐng)域
1.2 纖維取向的方法與應(yīng)用
1.2.1 滾筒/飛輪法
1.2.2 輔助電場(chǎng)/電極法
1.2.3 框架法
1.2.4 平行板電極法
1.2.5 正負(fù)高壓雙噴絲頭法
1.2.6 其他
1.3 電紡絲納米纖維載藥與藥物的控制釋放
1.3.1 納米纖維與控制釋藥
1.3.2 納米纖維載藥的種類(lèi)
1.3.3 影響控制釋藥的因素
1.3.4 電紡載藥工藝的發(fā)展
1.3.5 總結(jié)
1.4 電紡絲的全球產(chǎn)業(yè)化——從“納米蜘蛛”說(shuō)起
1.4.1 國(guó)外公司
1.4.2 國(guó)內(nèi)情況
參考文獻(xiàn)
2 離子束技術(shù)與功能薄膜
2.1 離子束技術(shù)概述
2.1.1 離子注入、離子鍍膜和濺射鍍膜
2.1.2 MEVVA金屬離子注入
2.1.3 離子束輔助沉積鍍膜
2.2 離子束技術(shù)制備硅化物
2.2.1 SiC薄膜的制備
2.2.2 SiC薄膜的結(jié)構(gòu)與性能
2.2.3 MoSi2薄膜的制備
2.2.4 MoSi2薄膜的結(jié)構(gòu)與性能
2.3 高分子材料的離子注入表面改性
2.3.1 離子輻照的高分子材料表面層的結(jié)構(gòu)與性能
2.3.2 羥基離子輻照的PHB薄膜的生物相容性
2.3.3 碳離子輻照的PHB系列薄膜的生物相容性
參考文獻(xiàn)
3 LB薄膜技術(shù)
3.1 單分子膜及LB膜的制備
3.1.1 單分子膜的制備和性質(zhì)
3.1.2 LB膜的制備
3.1.3 成膜材料
3.2 LB膜的表征
3.2.1 光譜技術(shù)
3.2.2 顯微技術(shù)
3.2.3 電化學(xué)方法
3.2.4 石英晶體微天平
3.3 LB膜的應(yīng)用
3.3.1 在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.2 在醫(yī)藥領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.3 在摩擦學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.4 在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.5 在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.6 在磁學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.7 在制備有序膜材料領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.8 在仿生學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
3.3.9 在液晶取向中的應(yīng)用
3.3.10 在其他領(lǐng)域的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
4 鐵電與壓電薄膜技術(shù)
4.1 鐵電與壓電薄膜技術(shù)
4.1.1 鐵電與壓電薄膜概述
4.1.2 鐵電與壓電薄膜制備技術(shù)
4.1.3 鐵電與壓電薄膜的性能表征
4.1.4 應(yīng)力對(duì)鐵電薄膜電性能的影響
4.1.5 鐵電薄膜的疲勞研究
4.2 鐵電與壓電薄膜的應(yīng)用
4.2.1 鐵電薄膜在存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用
4.2.2 鐵電薄膜在傳感器與換能器中的應(yīng)用
4.2.3 鐵電薄膜在微波器件中的應(yīng)用
4.2.4 鐵電薄膜在光電子器件中的應(yīng)用前景
4.2.5 壓電薄膜在聲表面波器件中的應(yīng)用
4.2.6 壓電薄膜在MEMS中的應(yīng)用
4.2.7 柔性復(fù)合壓電薄膜材料應(yīng)用實(shí)例
4.2.8 鐵電與壓電薄膜的前景與亟待研究的問(wèn)題
參考文獻(xiàn)
5 自組裝技術(shù)與仿生材料
5.1 生物學(xué)中的“材料”過(guò)程
5.1.1 生物及其物質(zhì)構(gòu)成
5.1.2 生物礦化——生物材料的進(jìn)化
5.1.3 結(jié)構(gòu)蛋白質(zhì)
5.2 過(guò)程仿生——分子自組裝技術(shù)
5.2.1 自組裝及其工作原理
5.2.2 自組裝膜
5.3 三維超分子自組裝——分子和超分子納米機(jī)器
5.3.1 傳統(tǒng)的分子體系
5.3.2 超分子體系
5.3.3 連鎖分子體系
5.3.4 結(jié)論與思考
5.4 生物組織及仿生材料學(xué)
5.4.1 天然生物材料的復(fù)合材料特性
5.4.2 具有優(yōu)良力學(xué)性能的生物材料
5.4.3 功能性生物材料及其材料學(xué)性能
參考文獻(xiàn)
6 等離子體薄膜制備與材料表面改性
6.1 低溫等離子體與材料表面改性
6.1.1 低溫等離子體
6.1.2 真空放電等離子體材料處理
6.1.3 大氣壓放電等離子體
6.1.4 國(guó)內(nèi)低溫等離子體科學(xué)研究
6.2 陰極真空弧薄膜沉積與注入
6.2.1 薄膜沉積技術(shù)研究歷史及現(xiàn)狀
6.2.2 陰極真空弧薄膜沉積技術(shù)
6.2.3 陰極弧技術(shù)的應(yīng)用
6.3 高能量密度等離子體薄膜制備與材料表面改性
6.3.1 脈沖高能量密度等離子體的原理及特點(diǎn)
6.3.2 利用脈沖高能量密度等離子體制備硬質(zhì)薄膜
6.3.3 脈沖高能量密度等離子體材料表面改性
6.3.4 PHEDP制備三元氮化物薄膜
6.4 等離子體電解氧化法制備陶瓷層
6.4.1 前期實(shí)驗(yàn)
6.4.2 管狀鋁質(zhì)材料的等離子體電解氧化特性研究
6.4.3 鋼鐵管件的內(nèi)壁陶瓷化研究
6.5 大氣壓放電等離子體材料表面改性
6.5.1 大氣壓等離子體的發(fā)展
6.5.2 大氣壓DBD等離子體制備納米生物探針
6.5.3 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
7 多孔硅制備技術(shù)
7.1 多孔硅的形成機(jī)理和制備方法
7.1.1 多孔硅的形成機(jī)理
7.1.2 多孔硅的制備方法
7.1.3 多孔硅的后處理
7.2 多孔硅的微觀(guān)結(jié)構(gòu)及其化學(xué)組成
7.2.1 多孔硅的微觀(guān)結(jié)構(gòu)
7.2.2 多孔硅的化學(xué)組成
7.3 多孔硅的發(fā)光特性
7.3.1 多孔硅的光致發(fā)光特性
7.3.2 多孔硅的光致發(fā)光模型
7.3.3 多孔硅的電致發(fā)光特性
7.4 多孔硅微腔
7.5 多孔硅的應(yīng)用研究和發(fā)展前景
參考文獻(xiàn)
8 催化裂解技術(shù)與碳納米管合成
8.1 碳納米管的合成
8.1.1 單壁碳納米管的合成
8.1.2 雙壁碳納米管的合成
8.1.3 定向碳納米管的合成
8.2 碳納米管的后處理工藝
8.3 碳納米管的基本性能
8.3.1 電學(xué)性能
8.3.2 光學(xué)性能
8.3.3 力學(xué)性能
8.3.4 熱學(xué)性能
8.4 碳納米管的潛在應(yīng)用
8.4.1 電子器件
8.4.2 場(chǎng)發(fā)射顯示器
8.4.3 傳感器
8.4.4 復(fù)合材料
8.4.5 能源領(lǐng)域
參考文獻(xiàn)
9 特種功能薄膜制備技術(shù)
9.1 硬質(zhì)膜的制備技術(shù)及其應(yīng)用
9.1.1 概述
9.1.2 硬質(zhì)膜性能表征
9.1.3 陶瓷膜和裝飾膜
9.2 耐磨潤(rùn)滑膜的制備技術(shù)及其應(yīng)用
9.2.1 類(lèi)金剛石膜（DLC）
9.2.2 MoS2和WS2薄膜
9.3 透明導(dǎo)電薄膜的制備技術(shù)及其應(yīng)用
9.3.1 透明導(dǎo)電薄膜的制備與檢測(cè)
9.3.2 透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用
9.3.3 透明導(dǎo)電薄膜的發(fā)展
9.4 薄膜技術(shù)在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域的展望
9.4.1 硬質(zhì)膜發(fā)展趨勢(shì)
9.4.2 膜層制備與表征技術(shù)的發(fā)展
參考文獻(xiàn)