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材料表面科學(第2版)

材料表面科學(第2版)

定 價:¥48.00

作 者: 曹立禮 著
出版社: 清華大學出版社
叢編項:
標 簽: 一般工業(yè)技術

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ISBN: 9787302208365 出版時間: 2009-12-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數: 455 字數:  

內容簡介

  《材料表面科學(第2版)》從原子、分子水平闡述表面結構,討論材料表面物理、化學現象以及對技術學科發(fā)展的影響,強調基本概念。重點討論表面原子遷移擴散、表面電子結構及表面原子幾何排列這三個基礎內容;把工程中各種表面現象概括為三個主要類型,分別討論了以吸附、催化為代表的氣-固界面,半導體和光電器件中的固-固界面以及以摩擦為代表的運動狀態(tài)下接觸界面。同時,分別介紹了幾種最常用的表面分析技術,包括測定表面原子幾何的低能電子衍射(LEED) ,測定表面元素組成的俄歇電子譜(AES) ,鑒別表面元素化學態(tài)的X射線光電子譜(XPS) ,以及獲取表面分子結構信息的靜態(tài)次級離子質譜(SSIMS) 。介紹這些表面分析技術時,重點討論粒子束與表面相互作用,表面元激發(fā)過程及其在表面結構表征中的信息內容,為識譜和分析、理解表面物理、化學問題奠定基礎?!恫牧媳砻婵茖W(第2版)》可作為物理化學、材料、半導體、催化、摩擦學、光電器件及微納米機械等專業(yè)高年級本科生及研究生教材;對于航天、信息、能源、環(huán)境、化工及機械等技術學科領域內從事材料表面科學研究的教師、研究人員及工程技術人員,《材料表面科學(第2版)》也有很好的參考價值。

作者簡介

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圖書目錄

第1章 引論
1.1 材料表面
1.1.1 表面的定義
1.1.2 材料表面的基本特性
1.2 技術學科群中的材料表面
1.2.1 經典熱電離發(fā)射
1.2.2 化學工業(yè)中催化材料表面
1.2.3 信息學科中的半導體表面
1.2.4 薄膜材料表面與界面
1.2.5 機械學科中的摩擦表面
1.2.6 能源和環(huán)境中的材料表面
1.3 本書主題內容
1.3.1 材料表面特性的研究主題
1.3.2 材料表面問題實驗研究方法簡評
1.4 材料表面科學的形成與發(fā)展
1.4.1 Langmuir的貢獻
1.4.2 材料表面科學形成的背景
1.4.3 材料表面科學未來的發(fā)展空間
參考文獻
第2章 材料表面原子遷移擴散
2.1 材料表面穩(wěn)態(tài)結構和原子遷移擴散
2.1.1 概述
2.1.2 理想表面
2.1.3 重構表面
2.1.4 表面偏析
2.2 表面缺陷及擴散機制
2.2.1 表面缺陷與TLK模型
2.2.2 表面原子擴散機制
2.2.3 隨機行走模型實驗證明
2.2.4 W(110)晶面3d金屬表面集合擴散SAM分析
2.3 原子遷移與擴散推動力
2.3.1 經典濃差擴散
2.3.2 表面電遷移
2.3.3 電遷移過程中的界面交換反應
參考文獻
第3章 材料表面電子結構
3.1 概述
3.1.1 從原子軌道分裂能級到固體能帶
3.1.2 三維晶體電子結構和Bloch波函數
3.1.3 Tamm對表面電子結構的理論證明
3.1.4 表面態(tài)的定性理解
3.1.5 費米能EF及費米分布函數F(E)
3.1.6 狀態(tài)密度
3.2 金屬表面電子結構的特點
3.2.1 表面附近電荷密度分布
3.2.2 逸出功
3.3 半導體表面電子結構
3.3.1 表面附近的電子能級關系
3.3.2 費米能和逸出功
3.3.3 費米能級的動態(tài)變化及釘扎
3.3.4 空間電荷層
3.4 金屬氧化物表面電子結構
3.4.1 過渡金屬前金屬化合物
3.4.2 過渡金屬后金屬化合物
3.4.3 過渡金屬氧化物表面電子結構
參考文獻
第4章 表面原子幾何結構及其測定——二維結晶學及低能電子衍射
4.1 二維結晶學
4.1.1 理想晶面
4.1.2 二維結晶學研究內容
4.1.3 二維Bravais格子
4.1.4 四個晶系
4.1.5 二維(表面)結構表示
4.1.6 臺階表面結構表示
4.2 二維倒易點陣
4.2.1 基本概念
4.2.2 正、倒格子的幾何關系
4.2.3 實空間和倒易空間Bravais格子
4.3 表面結構測定
4.3.1 低能電子衍射
4.3.2 衍射方程
4.3.3 Eward球
4.3.4 正、倒格子相互表示
4.3.5 吸附層結構測定實例
4.3.6 吸附層原子幾何結構
4.3.7 孤立的吸附原子或分子
4.3.8 LEED衍射圖的實用價值
4.4 衍射電子束強度測量和LEED定量分析
4.4.1 I-V曲線
4.4.2 實驗技術
4.4.3 計算程序
4.4.4 LEED定量分析應用及限制
參考文獻
第5章 表面化學元素組成的測定——俄歇電子譜
5.1 引言
5.1.1 電子束與固體表面相互作用,俄歇效應
5.1.2 俄歇電子譜儀的形成
5.1.3 俄歇譜的特點
5.1.4 俄歇電子譜儀的發(fā)展
5.2 俄歇電子譜工作原理
5.2.1 俄歇躍遷及俄歇電子發(fā)射
5.2.2 兩種退激發(fā)機制
5.2.3 俄歇躍遷命名及分類
5.2.4 俄歇電子產額
5.3 俄歇電子動能及元素定性分析
5.3.1 理論計算
5.3.2 經驗表達式
5.3.3 AES定性分析
5.4 AES定量分析及有關參數
5.4.1 電離截面
5.4.2 非彈性散射及AES分析深度
5.4.3 逃逸深度及相關概念
5.4.4 AL和IMFP的定量計算
5.4.5 背散射電子的影響
5.4.6 俄歇靈敏度因子及定量分析
5.5 俄歇電子譜儀的工作模式及其信息內容
5.5.1 掃描俄歇微探針
5.5.2 一般測定模式
5.5.3 點分析
5.5.4 線掃描
5.5.5 俄歇圖
5.5.6 深度剖析
5.6 俄歇化學位移及線形分析
5.6.1 AES譜峰能量位移
5.6.2 俄歇線形分析
參考文獻
第6章 表面元素組成及其化學態(tài)表征——X射線光電子譜
6.1 概述
6.2 X射線光電子譜儀及其發(fā)展
6.2.1 X射線源
6.2.2 能量分析器
6.2.3 檢測器
6.2.4 能量基準
6.2.5 荷電效應
6.2.6 成像XPS
6.3 X射線光電子譜基本原理
6.3.1 電子的能級特性和光電發(fā)射定律
6.3.2 光電子發(fā)射過程中的相互作用
6.3.3 構成XPS譜的基本物理因素
6.4 初態(tài)效應和化學位移
6.4.1 化學位移
6.4.2 不均勻本底XPS譜峰展寬
6.4.3 化學位移的復雜性
6.5 終態(tài)效應及其伴峰
6.5.1 終態(tài)效應的起源
6.5.2 多重分裂
6.5.3 震激與震離
6.5.4 等離子激元和能量損失譜
6.5.5 俄歇伴峰及XAES信息價值
6.6 AD-XPS表面分析技術
6.6.1 AD-XPS工作原理
6.6.2 AD-XPS深度剖析,最大熵法
6.6.3 AD-XPS技術與薄膜厚度測量
6.7 XPS價帶譜
6.7.1 金屬氧化物電子結構
6.7.2 聚合物XPS價帶譜
6.8 XPS定量分析及相關問題
6.8.1 定量分析基本方程
6.8.2 相對靈敏度因子法
6.8.3 背底扣除和強度測定
6.9 譜峰擬合及峰形分析
參考文獻
第7章 材料表面分子結構表征——靜態(tài)次級離子質譜
7.1 離子束和固體表面作用概述
7.2 濺射過程及其產額
7.2.1 SIMS基本方程
7.2.2 純元素固體的濺射過程
7.2.3 化合物中串級碰撞
7.2.4 濺射粒子的電離及基體效應
7.2.5 分子材料次級離子的形成機制
7.2.6 濺射原子和分子電離過程補充說明
7.3 靜態(tài)次級離子質譜
7.3.1 SSIMS的特點
7.3.2 靜態(tài)和動態(tài)次級離子質譜對比
7.4 ToF-SIMS譜儀
7.4.1 儀器結構
7.4.2 ToF-SIMS離子源
7.4.3 ToF-SIMS質量分析器
7.4.4 電荷補償
7.4.5 ToF-SIMS成像
7.4.6 激光后電離ToF-SIMS
7.5 ToF-SIMS信息內容
7.5.1 元素識別
7.5.2 硅片表面污染物檢測
7.5.3 聚合物和有機膜表面分析
7.5.4 無機化合物分析
7.5.5 深度剖析
7.5.6 成像分析
7.6 SSIMS定量分析
7.6.1 相對靈敏度因子法
7.6.2 聚合物表面定量表征
參考文獻
第8章 材料表面氣體吸附與反應
8.1 金屬表面氣體吸附與反應
8.1.1 概述
8.1.2 從單晶表面到實用催化劑
8.1.3 負載模型催化劑
8.1.4 金屬表面CO化學吸附
8.1.5 表面改性對CO化學吸附的影響
8.1.6 CO化學吸附位置及XPS分析
8.1.7 不等價原子吸附時化學位移
8.1.8 分子取向及吸附誘導化學位移
8.2 強金屬載體相互作用
8.3 負載原子簇物理化學特性
8.3.1 引言
8.3.2 負載銠(Rh)原子簇CO解離
8.3.3 負載金(Au)原子簇的催化活性
8.3.4 負載金屬原子簇的電子結構
8.4 化學傳感材料表面氣體吸附
8.4.1 氣敏化學傳感器的工作原理
8.4.2 納米SnO2薄膜結構特征
參考文獻
第9章 異質薄膜材料界面
9.1 異質薄膜材料界面的主要論題
9.2 金屬-半導體接觸界面
9.2.1 鏡像力作用
9.2.2 Schottky接觸有效勢壘高度
9.2.3 Schottky接觸界面橫向不均勻性
9.2.4 金屬誘導帶隙態(tài)(MIGS)和電負性
9.2.5 溫度.壓力對勢壘高度的影響
9.3 異質界面擴散反應動力學
9.3.1 異質界面擴散反應研究的難點
9.3.2 Ti/Si界面擴散反應動力學
9.4 納米級埋藏界面化學結構表征
9.4.1 SiO2/Si界面化學結構
9.4.2 10nmNON薄膜結構
9.4.3 計算機硬盤表面化學結構分析
9.4.4 埋藏界面結構缺陷及污染物分析
9.5 有機光電子材料和器件中的界面問題
9.5.1 幾個基本概念
9.5.2 界面電子結構表征
9.5.3 OLED有機物-金屬界面
9.5.4 PLED聚合物-金屬界面
9.5.5 陽極界面物理和化學問題
9.6 生物有機材料界面
參考文獻
第10章 運動狀態(tài)下的接觸界面——摩擦過程界面物理化學
10.1 概述
10.2 接觸表面形態(tài)和磨損機制
10.2.1 金屬磨損表面形態(tài)
10.2.2 陶瓷磨損表面形態(tài)特征
10.2.3 聚合物磨損表面形態(tài)特征
10.3 固體潤滑界面結構
10.3.1 固體潤滑材料
10.3.2 固體潤滑涂層的狀態(tài)變化
10.3.3 固體潤滑膜的化學結構
10.3.4 混合潤滑劑中的固體潤滑劑
10.4 摩擦界面化學
10.4.1 摩擦表面上反應物的激活方式
10.4.2 ZDDP摩擦反應
10.4.3 ZDDP摩擦反應膜結構表征
10.4.4 ZDDP摩擦膜化學結構細析
10.4.5 極壓狀態(tài)下的接觸界面
10.5 納米材料和器件摩擦化學特點
10.5.1 體系特征
10.5.2 保護層材料特性及摩擦化學分析
10.5.3 納米潤滑、耐磨涂層分子設計
10.5.4 自組裝單層潤滑膜
10.6 生物體內的動態(tài)接觸界面
參考文獻

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