晶體結(jié)構(gòu)與缺陷

前言
第1章　晶體的內(nèi)部構(gòu)造
　1.1　晶體和非晶體
　1.2　晶體的格子構(gòu)造
第2章　晶體的對稱性及晶體的分類
　2.1　晶體的對稱性
　2.2　對稱型、晶類與晶系
　2.3　晶胞的選取與14種空間格子
第3章　幾種典型的晶體結(jié)構(gòu)
　3.1　單質(zhì)(元素)的典型結(jié)構(gòu)
　3.2　化合物的典型結(jié)構(gòu)
　3.3　晶體的鍵合
第4章　晶向、晶面及一些有關(guān)問題
　4.1　晶向指數(shù)與晶面指數(shù)
　4.2　密排面與密排方向
　4.3　晶面間距
　4.4　晶體的解理與解理面
　4.5　晶面及晶向之間的夾角
　4.6　雙晶與雙晶面
第5章　晶體的投影
　5.1　球面投影
　5.2　極射赤面投影
　5.3　吳氏網(wǎng)及其應用
　5.4　晶體的標準投影
第6章　倒點陣
　6.1　倒點陣(倒格子)
　6.2　晶面間距和晶面夾角的計算
　6.3　晶帶
第7章　元素的結(jié)構(gòu)
　7.1　球的密堆積和金屬單質(zhì)的結(jié)構(gòu)
　7.2　合金的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
　7.3　非金屬元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)
　7.4　單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的過渡
　7.5　硅、鍺半導體單晶
第8章　離子晶體結(jié)構(gòu)通論
　8.1　離子半徑
　8.2　配位數(shù)與配位多面體
　8.3　離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則
　8.4　同質(zhì)多像(同素異構(gòu)體)
　8.5　離子極化
　8.6　二元化合物晶體的結(jié)構(gòu)
　8.7　多元化合物晶體的結(jié)構(gòu)
　8.8　硅酸鹽及其它礦物
第9章　晶體缺陷
　9.1　點缺陷
　9.2　線缺陷
　9.3　面缺陷
　9.4　位錯的運動
　9.5　晶體缺陷的觀察方法
　9.6　腐蝕法測量位錯密度
第10章　晶體取向的測定
　10.1　X射線衍射定向法
　10.2　晶體的激光定向
　10.3　腐蝕坑法測定晶體取向
第11章　晶體生長方法概論
　11.1　晶體生長的理論基礎(chǔ)
　11.2　雜質(zhì)的添加與分凝
　11.3　晶體生長方法
第12章　晶體材料的分析測試
　12.1　成分分析
　12.2　物相分析
　12.3　形貌分析(斷口分析)
　12.4　晶體結(jié)構(gòu)分析
　12.5　晶粒度測定
　12.6　應力應變測定
　12.7　結(jié)晶度測定
　12.8　缺陷分析
　12.9　痕量分析
　12.10　均勻性測試
附錄A　點群和空間群的符號系統(tǒng)
附錄B　230個空間群表
附錄C　元素的物理性質(zhì)
附錄D　若干常見化合物的晶體結(jié)構(gòu)
練習思考題
參考文獻