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吉規(guī)模集成電路互連工藝及設計

吉規(guī)模集成電路互連工藝及設計

定 價:¥78.00

作 者: (美)戴維斯,(美)邁恩 著,駱祖瑩 等譯
出版社: 機械工業(yè)出版社
叢編項:
標 簽: 計算機理論

ISBN: 9787111303015 出版時間: 2010-08-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 310 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  《吉規(guī)模集成電路互連工藝及設計》是集成電路互連設計領域的一部力作,匯聚了來自北美著名高校與研究機構的研究成果,涵蓋了IC互連的研究內(nèi)容:上至面向互連的計算機體系結構,下至1BM公司開創(chuàng)的革命性的銅互連工藝。目前包括多核CPU在內(nèi)的主流高端芯片均是吉規(guī)模集成電路,權威學者在書中對互連工藝與設計技術所進行的全方位多視角論述,有助于讀者理解吉規(guī)模集成電路的具體技術內(nèi)涵?!都?guī)模集成電路互連工藝及設計》可供從事IC設計的相關技術人員參考,也可作為微電子專業(yè)高年級本科生和研究生的教材。

作者簡介

暫缺《吉規(guī)模集成電路互連工藝及設計》作者簡介

圖書目錄

譯者序
原書前言
第1章 GSI所帶來的互連機遇
1.1 引言
1.2 互連問題
1.3 反向縮小技術
1.4 片上系統(tǒng)
1.5 三維集成
1.6 輸入/輸出互連的強化
1.7 光子互連
1.8 小結
參考文獻
第2章 用于硅材料CMOS邏輯的銅材料BEOL互連技術
2.1 引言
2.2 BEOL演化
2.3 銅的特性
2.4 銅的電鍍
2.5 銅互連的可靠性
2.6 銅互連的生產(chǎn)
2.7 小結
參考文獻
第3章 互連線電阻、電容、電感寄生參數(shù)的提取
3.1 引言
3.2 電磁方程
3.3 電阻提取
3.4 電容提取
3.5 電感提取
3.6 小結
參考文獻
第4章 分布式RC和RLC瞬態(tài)模型
4.1 引言
4.2 分布式RC模型
4.3 分布式RLC模型
4.4 非理想返回路徑
4.5 小結
參考文獻
第5章 電源、時鐘和全局信號傳輸
5.1 引言
5.2 全局信號互連建模
5.3 全局時鐘傳輸建模
5.4 全局電源供電建模
5.5 全局互連的集成架構
5.6 小結
參考文獻
第6章 隨機多層互連的建模與優(yōu)化
6.1 引言
6.2 線長分布模型
6.3 線網(wǎng)模型近似
6.4 與實際數(shù)據(jù)的比較
6.5 關鍵路徑模型
6.6 動態(tài)功耗模型
6.7 最優(yōu)咒階多層互連架構
6.8 小結
參考文獻
第7章 以互連為中心的計算機體系結構
7.1 引言和研究動機
7.2 面向互連的體系結構
7.3 互連需求模型
7.4 相關研究
7.5 GENESYS的組織和模型
7.6 異構型體系結構模型
7.7 系統(tǒng)設計分析
7.8 互連需求及其與體系結構的關系
7.9 小結
參考文獻
第8章 芯片到模塊間的互連
8.1 引言
8.2 封裝和芯片到模塊的發(fā)展趨勢
8.3 微通孔印制電路板技術
8.4 用于GSI的芯片到模塊問互連
參考文獻
第9章 三維芯片DSM工藝互連的性能建模與分析
9.1 引言
9.2 三維芯片的研究動機
9.3 本章的研究范圍
9.4 三維集成電路面積與性能估計
9.5 三維芯片的挑戰(zhàn)
9.6 三維芯片對電路設計和片上系統(tǒng)應用帶來的影響
9.7 三維芯片工藝回顧
9.8 小結
參考文獻
第10章 硅微光子學
10.1 引言
10.2 光學互連
10.3 單片硅微光子學
10.4 光學時鐘傳輸與數(shù)據(jù)I/O
10.5 小結
參考文獻

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