碳化硅晶體生長與缺陷

前言
1 碳化硅晶體的多型結(jié)構(gòu)與表征
1.1 晶體的多型
1.2 碳化硅晶體的結(jié)構(gòu)層與基本結(jié)構(gòu)單元
1.3 碳化硅晶體多型的共生與連生
1.4 3C-SiC多型的結(jié)構(gòu)
1.5 2H-SiC多型的結(jié)構(gòu)
1.6 4H-SiC多型的結(jié)構(gòu)
1.7 6H-SiC多型的結(jié)構(gòu)
1.8 15R-SiC多型的結(jié)構(gòu)
1.9 碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化
1.10 碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)鑒別概述
1.11 X射線衍射法鑒別碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)
1.12 高分辨率透射電子顯微鏡法鑒別碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)
1.13 吸收光譜法鑒別碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)
1.14 拉曼光譜法鑒別碳化硅晶體多型結(jié)構(gòu)
符號說明和注解
2 碳化硅晶體的物理氣相輸運（PVT）法生長
2.1 硅-碳二元體系和硅-碳-金屬元素三元體系的相圖
2.2 固態(tài)碳化硅分解升華的熱力學(xué)研究
2.3 PVT法碳化硅晶體生長技術(shù)的發(fā)展歷程
2.4 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)概述
2.5 PVT法碳化硅晶體生長模型研究
2.6 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)的可控變量與間接變量
2.7 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)變量之間的強耦合
2.8 生長原料區(qū)溫度場和碳化硅粉體的演變
2.9 石墨坩堝生長腔內(nèi)溫度場的演變
符號說明和注解
3 氣相組分和碳化硅晶體的生長機制
3.1 氣相組分概述
3.2 PVT法碳化硅晶體生長的螺旋位錯機制
3.3 氣相組分在PVT法碳化硅晶體生長研究中的地位
3.4 純硅氣相組分Sim的穩(wěn)定構(gòu)型與能量
3.5 純碳氣相組分Cn的穩(wěn)定構(gòu)型與能量
3.6 硅碳氣相組分SimCn的穩(wěn)定構(gòu)型與能量
3.7 氣相組分SimCn構(gòu)型的轉(zhuǎn)變
3.8 氣相組分SimCn的化學(xué)序
3.9 氣相組分SimCn的相互作用
3.10 氣相組分SimCn在生長界面上的結(jié)晶
符號說明和注解
4 碳化硅晶體的結(jié)晶缺陷
4.1 碳化硅晶體結(jié)晶缺陷概述
4.2 碳化硅晶片結(jié)晶質(zhì)量的整體評價
4.3 碳化硅晶片幾何特性和表面加工質(zhì)量的整體評價
4.4 多型共生缺陷
4.5 鑲嵌結(jié)構(gòu)缺陷
4.6 堆垛層錯
4.7 孔道與微管道
符號說明和注解
后記