元器件和半導體領域?qū)＠麑彶榘咐u析

序言
第一章 檢索
第一節(jié) 全面檢索
1.1.1 對有檢索報告的PCT申請的充分檢索
1.1.2 補充檢索的時機把握
第二節(jié) 檢索技巧
1.2.1 復雜數(shù)值范圍的檢索
1.2.2 具有形貌特征的權利要求的檢索
1.2.3 檢索過程中關鍵詞的擴展
1.2.3.1 效果性限定
1.2.3.2 功能性限定
第二章 實體審查
第一節(jié) 把握立法宗旨，正確適用法律條款
第二節(jié) 理解發(fā)明實質(zhì)，準確判斷申請
2.2.1 新穎性審查
2.2.2 創(chuàng)造性審查
2.2.2.1 創(chuàng)造性評述時“三步法”的使用
2.2.2.2 通過合乎邏輯的分析、推理或有限試驗得出數(shù)值限定的判斷
2.2.2.3 公知常識在創(chuàng)造性判斷中的應用
2.2.3 針對申請人意見陳述的審查
2.2.3.1 準確判斷申請人意見的合理性
2.2.3.2 適當?shù)脑u述方式提高溝通效率
第三節(jié) 合理使用證據(jù)，提升通知書說服力
2.3.1 對比文件證據(jù)的使用
2.3.1.1 權利要求中的并列技術方案分別采用不同的對比文件評述
2.3.1.2 獨立權利要求與從屬權利要求分別采用不同的對比文件評述
2.3.1.3 兩組從屬權利要求分別采用不同的對比文件評述
2.3.2 公知常識證據(jù)的使用
2.3.2.1 首次審查意見提供公知常識證據(jù)
2.3.2.2 后續(xù)審查中提供公知常識證據(jù)
2.3.2.3 公知常識認定存在異議時的替代證據(jù)
第三章 其他
第一節(jié) 缺乏必要技術特征
第二節(jié) 優(yōu)先權核實
第三節(jié) 公開不充分
3.3.1 半導體制造方法公開不充分
3.3.2 顯示器裝置公開不充分