半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編：方法標(biāo)準(zhǔn)國(guó)標(biāo)分冊(cè)（2014版）

GB/T 1550-1997 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
GB/T 1553-2009 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定 光電導(dǎo)衰減法
GB/T 1554-2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T 1555-2009 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法
GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
GB/T 4061-2009 硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T 4298-1984 半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法
GB/T 6616-2009 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測(cè)試方法-
GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測(cè)試方法-
GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測(cè)量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測(cè)量方法
GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
GB/T 13388-2009 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測(cè)試方法
GB/T 14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測(cè)定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學(xué)分析方法 第1部分：鍺量的測(cè)定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學(xué)分析方法 第2部分：砷量的測(cè)定 硫酸亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學(xué)分析方法 第3部分：硫量的測(cè)定 硫酸鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學(xué)分析方法 第4部分：氟量的測(cè)定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學(xué)分析方法 第5部分：二氧化硅量的測(cè)定 重量法
GB/T 24574-2009 硅單晶中Ⅲ-V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射線衍射測(cè)量GaAs襯底生長(zhǎng)的AIGaAs中Al成分的試驗(yàn)方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅片表面的有機(jī)污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測(cè)試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物
GB/T 24580-2009 重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測(cè)試方法
GB/T 26068-2010 硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法
GB/T 26070-2010 化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測(cè)試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學(xué)分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、錫、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氫硅化學(xué)分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 29057-2012 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、A1受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)量方法
GB/T 30857-2014 藍(lán)寶石襯底片厚度及厚度變化測(cè)試方法
GB/T 30859-2014 太陽(yáng)能電池用硅片翹曲度和波紋度測(cè)試方法
GB/T 30860-2014 太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法
GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法
GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定 化學(xué)腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽(yáng)能電池用硅片厚度及總厚度變化測(cè)試方法