現(xiàn)代電子技術(shù)

緒論
0．1 真空管的發(fā)明讓人類進入電子技術(shù)時代
0．2 模擬電子技術(shù)基本電路及原理在20世紀(jì)40年代已經(jīng)形成
0．3 集成電路的萌芽：復(fù)合真空管
0．4 真空管淡出電子技術(shù)的應(yīng)用
0．5 電子技術(shù)成為世界最大的科學(xué)門類
第1章 從晶體管放大器到集成運算放大器
1．1 簡單的晶體管放大器存在的問題
1．1．1 開環(huán)增益隨晶體管的B而變化
1．1．2 實際實現(xiàn)時的最大動態(tài)電壓范圍很難實現(xiàn)
1．1．3 非線性失真
1．1．4 不能放大直流或變化緩慢的信號
1．1．5 沒有共模抑制能力
1．2 為了消除簡單的晶體管放大器存在的問題而采用的措施
1．2．1 穩(wěn)定直流工作點
1．2．2 穩(wěn)定直流工作點不能穩(wěn)定交流電壓增益
1．3 晶體管差分放大電路不能完全消除直流偏置對輸出的影響
1．4 交直流等權(quán)重的負(fù)反饋引入與負(fù)反饋的作用
1．4．1 放大器開環(huán)增益變化的原因
1．4．2 引入負(fù)反饋降低放大器增益的變化
1．4．3 反饋深度
1．5 負(fù)反饋對放大器的要求
1．6 集成運算放大器的基本構(gòu)成
1．6．1 輸入級
1．6．2 中間放大級
1．6．3 輸出級
1．6．4 偏置電路
1．7 集成運算放大器發(fā)展歷程
1．7．1 早期集成運算放大器
1．7．2 第二代集成運算放大器
1．7．3 新型集成運算放大器
1．8 應(yīng)用集成運算放大器遇到的理論挑戰(zhàn)與分析
1．8．1 負(fù)反饋需要放大器具有更高的開環(huán)增益
1．8．2 負(fù)反饋展寬帶寬使放大器本身性能有了質(zhì)的飛躍
1．8．3 引入負(fù)反饋需要付出的代價
1．8．4 負(fù)反饋不能解決所有問題
1．9 真空管放大器不需要引入深度負(fù)反饋的原因
1．10 集成運算放大器的優(yōu)勢
1．10．1 集成運算放大器構(gòu)成的電路具有幾乎完美的功能
1．10．2 集成運算放大器可以完成“所有的”模擬電路功能
1．10．3 集成運算放大器可以盡可能地簡化電路
1．10．4 集成運算放大器構(gòu)成的電路的性能價格比最高
1．10．5 集成運算放大器可以減少電子工程師的勞動
1．10．6 集成運算放大器的通用性
第2章 集成運算放大器性能分析
2．1 集成運算放大器的基本性能
2．1．1 輸入失調(diào)電壓
2．1．2 輸入失調(diào)電流
2．1．3 輸入偏置電流
2．1．4 單位增益帶寬
2．1．5 開環(huán)增益
2．1．6 共模抑制比
2．1．7 電源抑制比
2．1．8 輸出電壓擺率
2．2 通用集成運算放大器
2．2．1 增益頻率特性
2．2．2 功率帶寬
2．2．3 共模抑制比的頻率特性
2．2．4 輸出電壓幅度與負(fù)載電阻的關(guān)系
2．2．5 溫度特性
2．2．6 噪聲特性
2．3 精密集成運算放大器特性分析
2．3．1 更高的開環(huán)增益
2．3．2 低失調(diào)電壓、電流
2．3．3 高輸入阻抗
2．3．4 高精度運算放大器
2．4 高速／寬帶集成運算放大器特性分析
2．4．1 常規(guī)寬帶集成運算放大器基礎(chǔ)
2．4．2 展寬工作頻帶的途徑和應(yīng)用時須注意的問題
2．4．3 高速集成運算放大器
2．5 微功耗集成運算放大器特性分析
2．5．1 通用型集成運算放大器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的低功耗集成運算放大器
2．5．2 MosFET構(gòu)成的新型微功耗集成運算放大器
2．6 集成音頻功率放大器特性分析
2．7 超高壓運算放大器
2．8 優(yōu)值集成運算放大器
2．8．1 理想集成運算放大器和優(yōu)值系數(shù)定義
2．8．2 典型集成運算放大器的優(yōu)值系數(shù)和優(yōu)值型集成運算放大器
2．8．3 采用FET構(gòu)成輸入級或全FET集成運算放大器的轉(zhuǎn)換速率特性
2．8．4 優(yōu)值集成運算放大器
2．9 集成比較器特性分析
2．10 滿幅放大器
第3章 應(yīng)用集成運算放大器的放大器設(shè)計
3．1 基本集成運算放大器電路設(shè)計
3．1．1 反相輸入比例放大器
3．1．2 同相輸入比例放大器
3．1．3 跟隨器
3．1．4 差動放大器
3．2 精密運算電路設(shè)計
3．3 小信號高共模抑制比放大器設(shè)計
3．3．1 高共模抑制比的實現(xiàn)
3．3．2 差動放大器參數(shù)
3．3．3 高輸入阻抗的獲得
3．3．4 同相并聯(lián)差動放大器
3．4 低噪聲／微弱信號放大器設(shè)計
3．4．1 器件的選擇
3．4．2 低噪聲放大器設(shè)計實例
3．5 單電源放大器設(shè)計
3．5．1 集成運算放大器正常工作的電源電壓
3．5．2 參考端及設(shè)置
3．5．3 參考電位置于電源中點的單電源供電解決方案
3．5．4 輸入端以電源負(fù)端為參考電位的單電源供電解決方案
第4章 非線性電路設(shè)計
4．1 比較器與運算放大器的區(qū)別
4．2 現(xiàn)實中的比較器
4．3 單電平比較器
4．4 同相輸入遲滯比較器
4．5 反相輸人遲滯比較器
4．6 窗口比較器
第5章 集成穩(wěn)壓器與線性穩(wěn)壓電源設(shè)計
5．1 集成穩(wěn)壓器
5．2 集成穩(wěn)壓器的命名
5．3 集成穩(wěn)壓器的參數(shù)分析
5．3．1 輸出電壓與輸出電壓的溫度系數(shù)
5．3．2 極限參數(shù)
5．3．3 熱特性
5．3．4 源效應(yīng)
5．3．5 負(fù)載效應(yīng)
5．3．6 靜態(tài)電流和調(diào)整端電流
5．3．7 靜態(tài)電流和調(diào)整端電流變化范圍
5．3．8 靜態(tài)電流與輸入電壓／輸入輸出壓差的關(guān)系
5．3．9 紋波電壓抑制比
5．3．10 動態(tài)響應(yīng)
5．3．11 輸出阻抗
5．3．12 最小輸入輸出壓差與結(jié)溫的關(guān)系
5．3．13 輸出噪聲電壓
5．3．14 短路電流限制值與輸出峰值電流
5．4 線性穩(wěn)壓電源設(shè)計
5．4．1 固定輸出電壓集成穩(wěn)壓器的一般應(yīng)用
5．4．2 固定輸出電壓集成穩(wěn)壓器設(shè)計需要注意的問題
5．4．3 可調(diào)輸出電壓集成穩(wěn)壓器的一般應(yīng)用
5．4．4 集成穩(wěn)壓器的特殊應(yīng)用
5．5 恒流型電子負(fù)載設(shè)計
第6章 光電耦合器
6．1 光電耦合器原理
6．1．1 發(fā)光二極管工作原理
6．1．2 光電管工作原理
6．1．3 光電耦合器優(yōu)點
6．2 光電二極管輸出的光電耦合器
6．3 光電晶體管輸出的光電耦合器
6．3．1 晶體管輸出的光電耦合器
6．3．2 達林頓管輸出的光電耦合器
6．4 晶閘管輸出的光電耦合器
6．5 光電晶體管輸出的光電隔離應(yīng)用電路設(shè)計
6．6 晶閘管輸出的光電隔離電路設(shè)計
第7章 有源濾波器設(shè)計
7．1 無源濾波器存在的問題
7．2 有源濾波器的基本原理
7．3 濾波器的分類
7．3．1 根據(jù)濾波器的選頻作用分類
7．3．2 根據(jù)通帶濾波特性分類
7．4 巴特沃斯濾波器設(shè)計
7．5 貝塞爾濾波器設(shè)計
7．6 橢圓濾波器設(shè)計
7．7 切比雪夫濾波器設(shè)計
7．8 開關(guān)電容濾波器簡介
7．8．1 開關(guān)電容電路的原理
7．8．2 三階橢圓函數(shù)低通濾波器的SCF電路設(shè)計
第8章 高速／寬帶放大器設(shè)計
8．1 高速／寬帶放大器的提出
8．2 高速／寬帶放大器對集成運算放大器性能的要求
8．3 高速／寬帶放大器設(shè)計
8．3．1 集成運算放大器的選擇
8．3．2 參考電路
8．3．3 增益的改變
8．4 集成運算放大器帶寬的展寬
8．4．1 多級級聯(lián)寬帶放大器
8．4．2 單級寬帶放大器
第9章 功率半導(dǎo)體器件特性分析
9．1 一般用途二極管特性分析
9．1．1 整流二極管的基本特性
9．1．2 二極管的額定電流需要的散熱條件
9．1．3 不同的散熱條件對額定電流的影響
9．1．4 電流承受能力與瞬態(tài)電流特性
9．1．5 應(yīng)用狀態(tài)與可承受電流的關(guān)系
9．1．6 小結(jié)
9．2 快速反向恢復(fù)二極管特性分析
9．2．1 二極管的反向恢復(fù)特性
9．2．2 按反向恢復(fù)特性分類
9．2．3 反向恢復(fù)時間trr特性分析
9．2．4 反向恢復(fù)峰值電流IRRM特性分析
9．2．5 反向恢復(fù)電荷Qrr特性分析
9．3 二極管的正向壓降與低正向壓降的肖特基二極管
9．3．1 二極管的正向電壓問題
9．3．2 6A以下普通整流二極管的導(dǎo)通電壓
9．3．3 超快速二極管的導(dǎo)通電壓
9．3．4 肖特基二極管可以有效降低導(dǎo)通電壓
9．4 MOSFEt特性分析
9．4．1 功率MOSFET的原理分析
9．4．2 功率MOSFET應(yīng)用注意事項
9．5 雙極型晶體管逐漸退出功率器件的歷史舞臺
9．5．1 少數(shù)載流子導(dǎo)電器件的速度低于多數(shù)載流子導(dǎo)電器件
9．5．2 電壓型柵控功率器件驅(qū)動非常簡單
9．5．3 低壓MOSFET的導(dǎo)通電壓極低
9．6 IGBt特性分析
第10章 反激式開關(guān)電源基本原理
10．1 反極性變換器電路的獲得
10．2 反極性電路運行原理與電磁能量轉(zhuǎn)換原理
10．3 波形分析
10．4 反激式變換器的定量分析
10．4．1 開關(guān)管與二極管承受的峰值電壓和峰值電流
10．4．2 輸出電壓與電源電壓的定量關(guān)系
10．5 輸入旁路電容器的工作狀態(tài)
10．5．1 輸入電容叫作輸入旁路電容
10．5．2 電感電流連續(xù)狀態(tài)下的電容器電流
10．5．2 電感電流斷續(xù)狀態(tài)下的電容器電流
10．6 輸出電容器的工作狀態(tài)
10．7 電感電流斷續(xù)狀態(tài)下的電源電壓與輸出電壓的關(guān)系
10．8 反激式變換器的隔離演化與原理
10．8．1 反極性變換器的等效變換
10．8．2 反極性變換器向隔離型的演化
第11章 功率驅(qū)動電路設(shè)計
11．1 功率驅(qū)動問題的提出
11．2 功率MOSFET的TTL柵極驅(qū)動
11．3 功率MOSFET的CMOS柵極驅(qū)動
11．3．1 標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET的CMOS柵極驅(qū)動
11．3．2 邏輯電平功率MOSFET的CMOS柵極驅(qū)動
11．4 脈沖變壓器的柵極驅(qū)動
11．5 光耦隔離型驅(qū)動
11．6 小功率直流電機驅(qū)動電路設(shè)計
11．6．1 功率MOSFET的H開關(guān)電路
11．6．2 小功率電機雙向控制
11．6．3 電機脈寬調(diào)速
11．7 無刷電機控制器的三器件方案
11．7．1 功率級
11．7．2 核心部件
11．7．3 故障處理
11．7．4 控制特征
11．7．5 元件組合
11．7．6 無刷直流電機閉環(huán)控制器
附錄
附錄1 晶體管交流放大器工作狀態(tài)及元件取值依據(jù)
附錄2 反激式開關(guān)電源主要元器件選擇與設(shè)計
附錄3 反激式開關(guān)電源設(shè)計簡介
附錄4 開關(guān)電源測試入門
參考文獻