半導體器件原理與技術(shù)

第1篇 半導體物理及器件
第1章 半導體物理基礎
1．1 半導體材料
1．2 半導體的結(jié)構(gòu)
1．3 半導體的缺陷
1．4 半導體的能帶
1．5 費米能級
1．6 半導體的載流子濃度
1．7 半導體的載流子運動
習題
參考文獻
第2章 二極管
2．1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2．2 pn結(jié)的形成及雜質(zhì)分布
2．3 平衡pn結(jié)
2．4 二極管的偏壓特性
2．5 二極管直流特性的影響因素
2．6 二極管的擊穿特性
2．7 二極管的開關(guān)特性
習題
參考文獻
第3章 雙極型晶體管
3．1 雙極型晶體管概述
3．2 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)
3．3 雙極型晶體管的放大作用
3．4 雙極型晶體管的特性曲線
3．5 反向電流及擊穿電壓特性
3．6 基極電阻
3．7 雙極型晶體管的開關(guān)特性
習題
參考文獻
第4章 MOS場效應晶體管
4．1 MOS場效應晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和分類
4．2 MOS場效應晶體管的閾值電壓
4．3 MOS場效應晶體管的直流特性
4．4 MOS場效應晶體管的小信號參數(shù)和頻率特性
4．5 MOS場效應晶體管的二級效應
4．6 MOS場效應晶體管的開關(guān)特性
習題
參考文獻
第5章 無源器件
5．1 概述
5．2 嵌入式無源器件
5．3 集成無源器件
5．4 集成電阻
5．5 集成式電容
5．6 集成式電感
習題
參考文獻
第6章 器件SPICE模型
6．1 SPICE器件模型概述
6．2 二極管SPICE模型
6．3 雙極型晶體管的SPICE模型
6．4 MOS場效應晶體管SPICE模型
6．5 無源器件SPICE模型
習題
參考文獻