納米半導體場發(fā)射冷陰極理論與實驗

　　從金屬場發(fā)射基本理論與思想著手，引入半導體場發(fā)射理論模型及其在納米體系下的場發(fā)射理論模型的適用性問題。提出了半導體量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射基本原理與思想，在此基礎(chǔ)上，介紹了以納米多層（量子結(jié)構(gòu)）鋁鎵氮（AlGaN）取向薄膜（極化誘導）作為薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)場電子發(fā)射增強功能層基本設(shè)計方法與物理模型。進一步地，介紹了單層、多層納米半導體薄膜場發(fā)射設(shè)計與制備方法。接著從實驗與理論兩方面，系統(tǒng)介紹不同的量子結(jié)構(gòu)（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導體薄膜的場電子發(fā)射特性、場發(fā)射耦合增強物理機制及其能譜特性。*后，對納米半導體場發(fā)射冷陰極器件的發(fā)展與應(yīng)用進行了展望。

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