宇航大規(guī)模集成電路保證技術(shù)

第1章 大規(guī)模集成電路發(fā)展趨勢(shì)
1．1 概述
1．2 集成電路發(fā)展趨勢(shì)
1．3 宇航大規(guī)模集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
1．4 大規(guī)模集成電路快速發(fā)展對(duì)保證技術(shù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)
1．5 本章小結(jié)
第2章 大規(guī)模集成電路保證技術(shù)發(fā)展歷程
2．1 大規(guī)模集成電路宇航應(yīng)用要求
2．2 美國(guó)大規(guī)模集成電路保證
2．3 歐洲大規(guī)模集成電路保證
2．4 中國(guó)大規(guī)模集成電路保證
2．5 對(duì)比分析
2．6 本章小結(jié)
第3章 宇航大規(guī)模集成電路保證技術(shù)體系
3．1 大規(guī)模集成電路保證的內(nèi)涵
3．2 保證的主要內(nèi)容
3．3 保證的流程與結(jié)果評(píng)價(jià)
3．4 保證技術(shù)體系
3．5 本章小結(jié)
第4章 定制集成電路過(guò)程保證
4．1 概述
4．2 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀
4．3 定制集成電路研發(fā)和保證
4．4 定制集成電路過(guò)程保證
4．5 相關(guān)技術(shù)
4．6 本章小結(jié)
第5章 鑒定
5．1 鑒定的內(nèi)涵
5．2 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀
5．3 集成電路可靠性預(yù)計(jì)模型及參數(shù)
5．4 鑒定的流程和方法
5．5 相關(guān)技術(shù)
5．6 本章小結(jié)
第6章 封裝可靠性評(píng)價(jià)
6．1 概述
6．2 封裝可靠性評(píng)價(jià)的概念
6．3 大規(guī)模集成電路典型封裝和工藝
6．4 封裝可靠性評(píng)價(jià)流程
6．5 相關(guān)技術(shù)
6．6 典型封裝可靠性評(píng)價(jià)案例
6．7 本章小結(jié)
第7章 失效分析、破壞性物理分析和結(jié)構(gòu)分析
7．1 概述
7．2 失效分析技術(shù)
7．3 破壞性物理分析技術(shù)
7．4 結(jié)構(gòu)分析技術(shù)
7．5 本章小結(jié)
第8章 應(yīng)用驗(yàn)證
8．1 概述
8．2 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀及趨勢(shì)
8．3 應(yīng)用驗(yàn)證與產(chǎn)品成熟度
8．4 應(yīng)用驗(yàn)證的實(shí)施
8．5 應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)
8．6 本章小結(jié)
第9章 大規(guī)模集成電路抗輻射保證
9．1 概述
9．2 空間輻射環(huán)境
9．3 大規(guī)模集成電路輻射效應(yīng)
9．4 宇航大規(guī)模電路抗輻射保證要求
9．5 宇航大規(guī)模集成電路抗輻射需求分析
9．6 電離總劑量輻照試驗(yàn)
9．7 位移輻照試驗(yàn)
9．8 單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)
9．9 大規(guī)模集成電路應(yīng)用加固技術(shù)
9．10 本章小結(jié)
第10章 測(cè)試
10．1 概述
10．2 測(cè)試技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
10．3 測(cè)試的實(shí)施流程
10．4 相關(guān)技術(shù)
10．5 本章小結(jié)
第11章 商用器件保證
11．1 概述
11．2 商用器件宇航應(yīng)用的需求和現(xiàn)狀
11．3 商用器件的特點(diǎn)和風(fēng)險(xiǎn)
11．4 商用器件宇航應(yīng)用的保證方法
11．5 相關(guān)技術(shù)
11．6 典型案例：NAND FLASH存儲(chǔ)器篩選和鑒定
11．7 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)