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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)是芯片先進(jìn)制造工藝行業(yè)的專(zhuān)利分析報(bào)告。報(bào)告從該行業(yè)的專(zhuān)利（國(guó)內(nèi)、國(guó)外）申請(qǐng)、授權(quán)、申請(qǐng)人的已有專(zhuān)利狀態(tài)、其他先進(jìn)國(guó)家的專(zhuān)利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專(zhuān)利壁壘等方面入手，充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，展開(kāi)分析，并得出分析結(jié)果。本書(shū)是了解該行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測(cè)未來(lái)走向，幫助企業(yè)做好專(zhuān)利預(yù)警的必備工具書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　審查業(yè)務(wù)部的各報(bào)告課題組，及相關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)。每個(gè)課題組有20-30個(gè)人組成，分別進(jìn)行數(shù)據(jù)收集、整理、分析、制圖、審核、統(tǒng)稿。

圖書(shū)目錄

第1章研究概述
1.1研究背景
1.1.1技術(shù)概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對(duì)象和方法
1.2.1技術(shù)分解
1.2.2數(shù)據(jù)檢索
1.2.3查全率、查準(zhǔn)率評(píng)估
1.2.4相關(guān)事項(xiàng)約定
第2章芯片制造工藝專(zhuān)利現(xiàn)狀分析
2.1概述
2.1.1外延工藝簡(jiǎn)述
2.1.2光刻工藝簡(jiǎn)述
2.1.3刻蝕工藝簡(jiǎn)述
2.1.4摻雜工藝簡(jiǎn)述
2.1.5銅互連工藝簡(jiǎn)介
2.2全球?qū)＠暾?qǐng)狀況
2.2.1全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析
2.2.2全球主要申請(qǐng)人分析
2.2.3專(zhuān)利申請(qǐng)國(guó)別地區(qū)分布
2.3中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)狀況
2.3.1中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析
2.3.2中國(guó)主要申請(qǐng)人分析
2.3.3法律狀態(tài)分析
2.4小結(jié)與建議
第3章光刻技術(shù)專(zhuān)利現(xiàn)狀分析
3.1概述
3.2浸沒(méi)式光刻技術(shù)的專(zhuān)利分析
3.2.1全球?qū)＠暾?qǐng)狀況
3.2.2中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)狀況
3.3多重圖形光刻技術(shù)的專(zhuān)利分析
3.3.1全球?qū)＠暾?qǐng)狀況
3.3.2中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)狀況
3.4電子束光刻技術(shù)的專(zhuān)利現(xiàn)狀
3.4.1全球?qū)＠暾?qǐng)狀況
3.4.2中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)狀況
3.5小結(jié)與建議
第4章先進(jìn)邏輯器件結(jié)構(gòu)及其制造工藝專(zhuān)利現(xiàn)狀分析
4.1FinFET技術(shù)的專(zhuān)利現(xiàn)狀
4.1.1概述
4.1.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.1.3中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.1.4FinFET技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
4.2FDSOI技術(shù)的專(zhuān)利現(xiàn)狀
4.2.1概述
4.2.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.2.3中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.2.4FDSOI技術(shù)技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
4.3NWFET技術(shù)的專(zhuān)利現(xiàn)狀
4.3.1概述
4.3.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.3.3中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析
4.4小結(jié)與建議
第5章3D
NAND制造工藝的專(zhuān)利現(xiàn)狀分析
5.1概述
5.2全球?qū)＠暾?qǐng)態(tài)勢(shì)分析
5.2.1申請(qǐng)趨勢(shì)分析
5.2.2主要技術(shù)分布
5.2.3重要申請(qǐng)人分析
5.2.4重要發(fā)明人分析
5.3中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析
5.3.1申請(qǐng)趨勢(shì)分析
5.3.2主要申請(qǐng)人分析
5.4技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
5.4.1三星
5.4.2東芝
5.4.3海力士
5.5非實(shí)體生產(chǎn)公司專(zhuān)利布局
5.6小結(jié)與建議
第6章攻防分析
6.1旺宏與飛索
6.1.1旺宏專(zhuān)利狀況
6.1.2飛索專(zhuān)利狀況
6.1.3旺宏與飛索專(zhuān)利訴訟
6.1.4專(zhuān)利比對(duì)
6.1.5小結(jié)與建議
6.2海力士與東芝
6.2.1海力士專(zhuān)利狀況
6.2.2東芝專(zhuān)利狀況
6.2.3戰(zhàn)略聯(lián)盟
6.2.4海力士與東芝閃迪專(zhuān)利訴訟
6.2.5專(zhuān)利比對(duì)
6.2.6小結(jié)與建議
第7章結(jié)論
7.1主要結(jié)論
7.1.1晶圓處理工序及其關(guān)鍵步驟
7.1.2先進(jìn)邏輯器件及其制造工藝
7.1.33D
NAND存儲(chǔ)器件及其制造工藝
7.1.4攻防分析
7.2主要建議
7.2.1企業(yè)建議
7.2.2行業(yè)建議
附錄
圖索引
表索引