模擬電路設(shè)計(jì)：分立與集成

定　價(jià)：￥119.00

作　者：	[美] 賽爾吉?dú)W·弗朗歌（Sergio Franco）著；雷鑑銘，余國(guó)義，鄒志革等譯
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	國(guó)外電子與電氣工程技術(shù)叢書(shū)
標(biāo)　簽：	>電工基礎(chǔ)理論 >電工技術(shù) >工業(yè)技術(shù)

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ISBN：	9787111577812	出版時(shí)間：	2017-09-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	533	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《國(guó)外電子與電氣工程技術(shù)叢書(shū)·模擬電路設(shè)計(jì)：分立與集成》以半導(dǎo)體物理理論為基礎(chǔ)，注重闡述模擬電路技術(shù)和BiCMOS技術(shù)，注重物理概念的詮釋，強(qiáng)調(diào)模擬電路的分立和和集成設(shè)計(jì)。全書(shū)主要內(nèi)容有：pn結(jié)二極管、雙極型晶體管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、模擬集成電路構(gòu)建、模擬集成電路、頻率和時(shí)間響應(yīng)、反饋、穩(wěn)定性和噪聲?！秶?guó)外電子與電氣工程技術(shù)叢書(shū)·模擬電路設(shè)計(jì)：分立與集成》適合作為電類專業(yè)本科生和相關(guān)專業(yè)的模擬電路教材。

作者簡(jiǎn)介

　　賽爾吉?dú)W·弗朗哥（Sergio Franco）出生在意大利，1980年開(kāi)始在美國(guó)舊金山州立大學(xué)電氣工程系授課，期間獲得了伊利諾伊大學(xué)香檳分校博士學(xué)位，成為該系榮譽(yù)教授。在就任現(xiàn)職之前，F(xiàn)ranco博士擁有廣泛的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在諸如固態(tài)物理學(xué)、模式識(shí)別、集成電路（IC）設(shè)計(jì)、醫(yī)學(xué)電子、日用電子和汽車電子等領(lǐng)域工作過(guò)，發(fā)表論文頗豐，F(xiàn)ranco博士還是《Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits》（McGraw-Hill Education，2014）和《Electric Ciruit Fundamentals》（Oxford University Press，1995）兩本教科書(shū)的作者。

圖書(shū)目錄

目　　錄
出版者的話
譯者序
前言
第1章　二極管和pn結(jié)1
　1.1　理想二極管2
　1.2　二極管的基本應(yīng)用7
　1.3　運(yùn)算放大器與二極管的應(yīng)用14
　1.4　半導(dǎo)體18
　1.5　平衡態(tài)的pn結(jié)23
　1.6　空間電荷區(qū)外接偏置的影響26
　1.7　pn結(jié)二極管方程28
　1.8　反向偏置的pn結(jié)32
　1.9　正向偏置二極管的特性34
　1.10　pn結(jié)二極管電路的直流分析37
　1.11　pn結(jié)二極管電路的交流分析43
　1.12　擊穿區(qū)工作狀態(tài)49
　1.13　直流電源54
　總結(jié)57
　附錄1A58
　參考文獻(xiàn)59
　習(xí)題59
第2章　雙極型晶體管73
　2.1　BJT的物理結(jié)構(gòu)75
　2.2　BJT的基本工作原理77
　2.3　BJT的i-v特性85
　2.4　工作區(qū)與BJT模型89
　2.5　作為放大器/開(kāi)關(guān)的BJT98
　2.6　BJT的小信號(hào)工作狀態(tài)102
　2.7　放大器的BJT偏置設(shè)計(jì)109
　2.8　基本雙極型電壓放大器114
　2.9　雙極型電壓和電流緩沖器121
　附錄2A129
　參考文獻(xiàn)131
　習(xí)題131
第3章　MOSFET146
　3.1　MOSFET的物理結(jié)構(gòu)147
　3.2　閾值電壓Vt149
　3.3　n溝道MOSFET的特性155
　3.4　MOSFET的i-v特性161
　3.5　MOSFET在阻性直流電路中的應(yīng)用169
　3.6　MOSFET作為放大器/開(kāi)關(guān)178
　3.7　MOSFET的小信號(hào)工作狀態(tài)183
　3.8　基本MOSFET電壓放大器188
　3.9　MOSFET電壓和電流緩沖器195
　3.10　CMOS反相器/放大器198
　附錄3A203
　參考文獻(xiàn)205
　習(xí)題205
第4章　模擬集成電路單元電路218
　4.1　集成電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)219
　4.2　BJT的特性和改進(jìn)模型224
　4.3　MOSFET特性及其改進(jìn)模型233
　4.4　達(dá)林頓、共源共柵和級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)242
　4.5　差分對(duì)252
　4.6　差分對(duì)的共模抑制比257
　4.7　差分對(duì)的輸入失調(diào)電壓/電流262
　4.8　電流鏡266
　4.9　帶有源負(fù)載的差分對(duì)273
　4.10　雙極型輸出級(jí)281
　4.11　CMOS輸出級(jí)286
　附錄4A289
　參考文獻(xiàn)290
　習(xí)題290
第5章　模擬集成電路311
　5.1　μA741運(yùn)算放大器311
　5.2　兩級(jí)CMOS運(yùn)算放大器319
　5.3　折疊式共源共柵CMOS運(yùn)算放大器324
　5.4　電壓比較器327
　5.5　電流和電壓基準(zhǔn)332
　5.6　電流模集成電路340
　5.7　全差分運(yùn)算放大器346
　5.8　開(kāi)關(guān)電容電路351
　附錄5A359
　參考文獻(xiàn)360
　習(xí)題360
第6章　頻率和時(shí)間響應(yīng)368
　6.1　高頻BJT模型369
　6.2　高頻MOSFET模型374
　6.3　共射/共源放大器頻率響應(yīng)377
　6.4　差分放大器的頻率響應(yīng)384
　6.5　雙極型電壓和電流緩沖器388
　6.6　MOS電壓和電流緩沖器393
　6.7　開(kāi)路時(shí)間常數(shù)分析397
　6.8　共源共柵放大器的頻率響應(yīng)403
　6.9　運(yùn)算放大器頻率和瞬態(tài)響應(yīng)407
　6.10　二極管開(kāi)關(guān)瞬態(tài)414
　6.11　BJT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)417
　6.12　CMOS門電路和電壓比較器瞬態(tài)響應(yīng)423
　附錄6A431
　參考文獻(xiàn)435
　習(xí)題436
第7章　反饋、穩(wěn)定性和噪聲446
　7.1　負(fù)反饋基礎(chǔ)447
　7.2　反饋對(duì)失真、噪聲、帶寬的影響451
　7.3　反饋結(jié)構(gòu)和閉環(huán)I/O電阻457
　7.4　實(shí)際結(jié)構(gòu)和負(fù)載效應(yīng)462
　7.5　反饋比分析478
　7.6　布萊克曼阻抗公式和注入方法486
　7.7　負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性490
　7.8　主極點(diǎn)補(bǔ)償497
　7.9　單片運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償501
　7.10　噪聲510
　參考文獻(xiàn)521
　習(xí)題521