嵌入式系統(tǒng)中的輻射效應(yīng)

譯者序
原書前言
第１章　空間輻射環(huán)境１
?。?１　空間輻射效應(yīng)１
　?。?１.１　空間輻射環(huán)境：范艾倫帶、太陽(yáng)耀斑、太陽(yáng)風(fēng)和宇宙射線１
　　１.１.２　劑量效應(yīng)：產(chǎn)生原因、對(duì)電子器件的影響、輻射強(qiáng)度４
　?。?１.３　位移效應(yīng)：產(chǎn)生原因、對(duì)電子器件的效應(yīng)、輻射強(qiáng)度５
　?。?１.４　重離子效應(yīng)：產(chǎn)生原因、對(duì)電子器件的效應(yīng)、輻射強(qiáng)度５
　?。?１.５　質(zhì)子效應(yīng)：產(chǎn)生原因（直接或間接）、對(duì)電子器件的效應(yīng)、輻射強(qiáng)度６
?。?２　其他效應(yīng)７ 　
?。?２.１　原子氧：來(lái)源和效應(yīng)７
　?。?２.２　太陽(yáng)紫外線：來(lái)源和效應(yīng)７
　?。?２.３　微流星體：來(lái)源和效應(yīng)８
　　１.２.４　軌道碎片：來(lái)源和效應(yīng)８
　參考文獻(xiàn)９
第２章　微電子器件的輻射效應(yīng)１０
?。?１　引言１０ 　
?。?１.１　長(zhǎng)期效應(yīng)１０
　?。?１.２　瞬態(tài)效應(yīng)１１
　２.２?。停希悠骷保?　
　２.２.１　閾值電壓漂移１２
　?。?２.２　退化效應(yīng)１４
　　２.２.３　亞閾斜率１５
　?。?２.４　ＭＯＳＦＥＴ的泄漏電流１５
?。?３　雙極型器件１７ 　　
２.３.１　簡(jiǎn)介１７ 　
　２.３.２　電流成分１７ 　
　２.３.３　射－基間耗盡區(qū)的復(fù)合效應(yīng)１８
　?。?３.４　中立基區(qū)的復(fù)合效應(yīng)１８ 　
　２.３.５　電流增益１９
?。?４　單粒子效應(yīng)２０ 　
?。?４.１　引言２０ 　
?。?４.２　仿真方法２１
　　２.４.３　器件級(jí)效應(yīng)２２
第３章　電子器件的飛行異常２６
第４章　多層級(jí)故障效應(yīng)評(píng)估６１
第５章　模擬和混合信號(hào)電路的輻射效應(yīng)７９
第６章　單粒子翻轉(zhuǎn)的脈沖激光測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)１０６
第７章?。粒樱桑秒娐返脑O(shè)計(jì)加固方法１２５
第８章　可編程電路的錯(cuò)誤容差１４０
第９章　用于加固設(shè)計(jì)的自動(dòng)化工具１５８
第１０章?。樱牛藕涂倓┝吭囼?yàn)測(cè)試設(shè)備１７7
第１１章　數(shù)字架構(gòu)的錯(cuò)誤率預(yù)計(jì)：測(cè)試方法學(xué)和工具２０４
第１２章　基于ＳＥＥＭ 軟件的激光ＳＥＴ測(cè)試和分析２２6