信號、電源完整性仿真設(shè)計與高速產(chǎn)品應(yīng)用實例

第1章 產(chǎn)品簡介\t
1．1 產(chǎn)品實物圖\t
1．2 產(chǎn)品背景\t
1．3 產(chǎn)品性能與應(yīng)用場景\t
1．4 產(chǎn)品主要參數(shù)\t
1．5 主要器件參數(shù)\t
1．6 產(chǎn)品功能框圖\t
1．7 電源模塊\t
1．8 時鐘部分\t
1．9 DDR3模塊\t
1．10 散熱設(shè)計\t
1．11 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖\t
1．12 產(chǎn)品其他參數(shù)\t
第2章 PCB材料\t
2．1 PCB的主要部件及分類\t
2．1．1 PCB的主要部件\t
2．1．2 PCB分類\t
2．2 基材介紹\t
2．3 高速板材選擇\t
第3章 PCB設(shè)計與制造\t
3．1 PCB設(shè)計要求\t
3．2 制板工藝要求\t
3．3 常用PCB光繪格式\t
3．4 拼板設(shè)計\t
3．5 基準點設(shè)計\t
3．6 PCB加工流程簡介\t
第4章 信號完整性仿真基礎(chǔ)\t
4．1 信號完整性問題\t
4．2 信號完整性問題產(chǎn)生原因\t
4．3 傳輸線\t
4．3．1 常見的微帶線與帶狀線\t
4．3．2 傳輸線的基本特性\t
4．3．3 共模與差模\t
4．4 反射\t
4．5 串擾\t
4．6 仿真的必要性\t
4．7 仿真模型\t
4．7．1 IBIS模型\t
4．7．2 HSPICE模型\t
4．7．3 IBIS-AMI模型\t
4．7．4 S參數(shù)\t
4．8 常用信號、電源完整性仿真軟件介紹\t
第5章 過孔仿真與設(shè)計\t
5．1 過孔介紹\t
5．2 過孔對高速信號的影響要素及分析\t
5．3 過孔優(yōu)化：3D_Via_Wizard過孔建模工具的使用\t
5．3．1 使用3D_Via_Wizard創(chuàng)建差分過孔模型\t
5．3．2 差分過孔仿真\t
5．4 產(chǎn)品單板高速差分信號過孔優(yōu)化仿真\t
5．5 背鉆工藝簡介\t
第6章 Sigrity仿真文件導入與通用設(shè)置\t
6．1 PCB導入\t
6．1．1 ODB++文件輸出\t
6．1．2 PCB文件格式轉(zhuǎn)換\t
6．1．3 SPD文件導入\t
6．2 SPD文件設(shè)置\t
6．3 仿真分析與結(jié)果輸出\t
6．3．1 仿真掃描頻率設(shè)置\t
6．3．2 結(jié)果輸出與保存\t
第7章 QSFP+信號仿真\t
7．1 QSFP+簡介\t
7．2 QSFP+規(guī)范\t
7．3 仿真網(wǎng)絡(luò)設(shè)置\t
7．4 QSFP+光模塊鏈路在ADS中的仿真\t
7．5 仿真結(jié)果分析\t
7．5．1 添加信號判斷標準\t
7．5．2 TX0與RX0差分信號回環(huán)仿真分析\t
7．6 PCB優(yōu)化設(shè)計比較與建議\t
7．6．1 焊盤隔層參考分析比較\t
7．6．2 高速差分不背鉆過孔分析比較\t
7．6．3 QSFP+布線通用要求\t
第8章 SATA信號仿真\t
8．1 SATA信號簡介\t
8．2 SATA信號規(guī)范\t
8．3 仿真網(wǎng)絡(luò)設(shè)置\t
8．4 SATA信號鏈路在SystemSI中的仿真\t
8．4．1 建立SystemSI仿真工程\t
8．4．2 創(chuàng)建仿真鏈路\t
8．4．3 添加仿真模型\t
8．4．4 設(shè)置鏈接屬性\t
8．4．5 設(shè)置仿真參數(shù)\t
8．4．6 仿真分析\t
8．5 結(jié)果分析與建議\t
第9章 DDRx仿真\t
9．1 DDRx簡介\t
9．2 項目介紹\t
9．3 DDR3前仿真\t
9．4 DDR3后仿真\t
9．4．1 仿真模型編輯\t
9．4．2 PCB的導入過程\t
9．4．3 仿真軟件通用設(shè)置\t
9．4．4 DDR3寫操作\t
9．4．5 DDR3讀操作\t
9．4．6 仿真結(jié)果分析\t
9．5 DDR3同步開關(guān)噪聲仿真\t
9．6 時序計算與仿真\t
9．7 DDR4信號介紹\t
第10章 PCIe信號仿真\t
10．1 PCIe簡介\t
10．2 PCIe規(guī)范\t
10．3 仿真參數(shù)設(shè)置\t
10．3．1 調(diào)用仿真文件\t
10．3．2 定義PCIe差分信號\t
10．3．3 設(shè)置PCIe網(wǎng)絡(luò)端口\t
10．3．4 仿真分析\t
10．3．5 S參數(shù)結(jié)果與輸出\t
10．4 PCIe鏈路在ADS中的仿真\t
10．4．1 建立ADS仿真工程\t
10．4．2 ADS中導入S參數(shù)文件\t
10．4．3 ADS頻域仿真\t
10．4．4 ADS時域仿真\t
10．4．5 通道的回環(huán)仿真\t
10．5 PCIe通用設(shè)計要求\t
第11章 電源完整性仿真\t
11．1　電源完整性\t
11．2　電源完整性仿真介紹\t
11．3　產(chǎn)品單板電源設(shè)計\t
11．4　產(chǎn)品單板AC仿真分析實例\t
11．4．1　PCB的AC仿真設(shè)置與分析\t
11．4．2　仿真結(jié)果分析\t
11．5　產(chǎn)品單板DC仿真分析實例\t
11．5．1　PCB的DC仿真設(shè)置與分析\t
11．5．2　DC仿真結(jié)果分析\t
11．6　PCB電源完整性設(shè)計關(guān)鍵點\t
第12章 電容概要\t
12．1 電容主要功能\t
12．2 電容分類\t
12．3 電容多維度比較\t
12．4 電容參數(shù)\t
12．5 電容等效模型\t
12．6 FANOUT\t
12．7 產(chǎn)品電容的擺放與FANOUT\t
12．8 SIP封裝電容\t
12．9 電容在設(shè)計中的選擇與注意事項\t
第13章 電容建模與測試\t
13．1 電容S參數(shù)模型測試夾具設(shè)計\t
13．2 電容S參數(shù)RLC擬合
13．3 電容S參數(shù)模型測試方式\t
13．4 電容S參數(shù)模型\t
13．5 電容RLC擬合提取過程\t
13．6 電容庫調(diào)用時的連接方式設(shè)定\t
13．7 常用電容等效R、L、C值及諧振表\t
第14章 PI仿真平臺電容模型高效處理\t
14．1 背景\t
14．2 處理ODB++文件小軟件工具使用\t
14．3 Sigrity調(diào)入處理過的ODB++文件\t
14．4 BOM處理技巧\t
14．5 License免費授權(quán)