半導(dǎo)體薄膜技術(shù)基礎(chǔ)

第1章 緒論\t1
本章小結(jié)\t5
習(xí)題\t6
第2章 硅單晶材料學(xué)\t7
2．1 硅及其化合物的基本性質(zhì)\t7
2．2 硅的晶體結(jié)構(gòu)\t13
2．3 硅的生長(zhǎng)加工方法\t16
2．4 硅材料與器件的關(guān)系\t19
本章小結(jié)\t21
習(xí)題\t22
第3章 薄膜基礎(chǔ)知識(shí)\t23
3．1 薄膜的定義及應(yīng)用\t23
3．2 薄膜結(jié)構(gòu)、缺陷及基本性質(zhì)\t26
3．2．1 薄膜的基本結(jié)構(gòu)及缺陷\t26
3．2．2 薄膜的基本性質(zhì)\t29
3．3 薄膜襯底材料的一般知識(shí)\t34
3．3．1 玻璃襯底\t34
3．3．2 陶瓷襯底\t35
3．3．3 單晶體襯底\t36
3．3．4 襯底清洗\t37
3．4 薄膜的性能檢測(cè)簡(jiǎn)介\t40
3．4．1 薄膜的厚度檢測(cè)\t40
3．4．2 薄膜的可靠性\t43
本章小結(jié)\t44
習(xí)題\t44
第4章 氧化技術(shù)\t46
4．1 二氧化硅（SiO2）薄膜簡(jiǎn)介\t47
4．2 氧化技術(shù)原理\t49
4．2．1 熱氧化技術(shù)的基本原理\t50
4．2．2 水汽氧化\t51
4．2．3 濕氧氧化工藝原理\t52
4．2．4 三種熱氧化工藝方法的優(yōu)缺點(diǎn)\t53
4．3 氧化工藝的一般過程\t54
4．4 氧化膜質(zhì)量評(píng)價(jià)\t58
4．4．1 SiO2薄膜表面觀察法\t58
4．4．2 SiO2薄膜厚度的測(cè)量\t58
4．5 熱氧化過程中存在的一般問題分析\t61
4．5．1 氧化層厚度不均勻\t61
4．5．2 氧化層表面的斑點(diǎn)\t61
4．5．3 氧化層的針孔\t62
4．5．4 SiO2氧化層中的鈉離子污染\t62
本章小結(jié)\t62
習(xí)題\t63
第5章 濺射技術(shù)\t64
5．1 離子濺射的基本原理\t64
5．1．1 濺射現(xiàn)象\t64
5．1．2 濺射產(chǎn)額及其影響因素\t65
5．1．3 選擇濺射現(xiàn)象\t70
5．1．4 濺射鍍膜工藝\t70
5．2 濺射工藝設(shè)備\t72
5．2．1 直流濺射臺(tái)\t74
5．2．2 射頻濺射臺(tái)\t77
5．2．3 磁控濺射\t79
5．3 濺射工藝應(yīng)用及工藝實(shí)例\t80
本章小結(jié)\t83
習(xí)題\t83
第6章 真空蒸鍍技術(shù)\t84
6．1 真空蒸鍍技術(shù)簡(jiǎn)介\t84
6．2 真空蒸鍍工藝的相關(guān)參數(shù)\t86
6．2．1 工藝真空\t86
6．2．2 飽和蒸氣壓\t88
6．2．3 蒸發(fā)速率和沉積速率\t88
6．3 真空蒸鍍?cè)碶t89
6．4 真空蒸鍍?cè)O(shè)備\t90
6．4．1 熱阻加熱式蒸鍍機(jī)（蒸發(fā)機(jī)）\t92
6．4．2 電子束蒸發(fā)臺(tái)\t94
本章小結(jié)\t96
習(xí)題\t97
第7章 CVD技術(shù)\t98
7．1 CVD技術(shù)簡(jiǎn)介\t98
7．2 常用CVD技術(shù)簡(jiǎn)介\t99
7．3 低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD）\t103
7．4 PECVD\t107
7．5 CVD系統(tǒng)的模型及基本理論\t115
7．6 CVD工藝系統(tǒng)簡(jiǎn)介\t117
7．6．1 CVD的氣體源系統(tǒng)\t118
7．6．2 CVD的質(zhì)量流量控制系統(tǒng)\t118
7．6．3 CVD反應(yīng)腔室內(nèi)的熱源\t119
本章小結(jié)\t119
習(xí)題\t119
第8章 其他半導(dǎo)體薄膜加工技術(shù)簡(jiǎn)介\t121
8．1 外延技術(shù)\t121
8．1．1 分子束外延\t121
8．1．2 液相外延（LPE）\t123
8．1．3 氣相外延（VPE）\t124
8．1．4 選擇外延（SEG）\t125
8．2 離子束沉積和離子鍍\t126
8．3 電鍍技術(shù)\t128
8．4 化學(xué)鍍\t131
8．5 旋涂技術(shù)\t131
8．6 溶膠-凝膠法\t133
本章小結(jié)\t134
習(xí)題\t134
參考文獻(xiàn)\t134