集成電路版圖設(shè)計(jì)（第2版）

定　價(jià)：￥42.00

作　者：	陸學(xué)斌著
出版社：	北京大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	高等院校電氣信息類專業(yè)
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787301296912	出版時(shí)間：	2018-09-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	268	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　集成電路版圖是設(shè)計(jì)與集成電路工藝之間必不可少的環(huán)節(jié)。本書(shū)從半導(dǎo)體器件的理論基礎(chǔ)入手，在講授集成電路制造工藝的基礎(chǔ)上，循序漸進(jìn)地介紹了集成電路版圖設(shè)計(jì)的基本原理與方法。以介紹集成電路版圖設(shè)計(jì)為主的本書(shū)，主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件和集成電路工藝的基本知識(shí)，集成電路常用器件的版圖設(shè)計(jì)方法，流行版圖設(shè)計(jì)軟件的使用方法，版圖驗(yàn)證的流程以及集成電路版圖實(shí)例等。《集成電路版圖設(shè)計(jì)（第2版）》適合作為高等院校微電子技術(shù)專業(yè)和集成電路設(shè)計(jì)專業(yè)版圖設(shè)計(jì)課程的教材，也可作為集成電路版圖設(shè)計(jì)者的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　陸學(xué)斌，哈爾濱理工大學(xué)軟件學(xué)院副教授，長(zhǎng)期教授集成電路設(shè)計(jì)、集成系統(tǒng)系、微電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)等課程，主編了《集成電路版圖設(shè)計(jì)》教材并在市場(chǎng)上成功推廣。

圖書(shū)目錄

目錄

第1章半導(dǎo)體器件理論基礎(chǔ) 1
1.1 半導(dǎo)體的電學(xué)特性 2
1.1.1 晶格結(jié)構(gòu)與能帶 2
1.1.2 電子與空穴 4
1.1.3 半導(dǎo)體中的雜質(zhì) 6
1.1.4 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 9
1.2 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)與特性 10
1.2.1 PN結(jié)的結(jié)構(gòu) 10
1.2.2 PN結(jié)的電壓電流特性 11
1.2.3 PN結(jié)的電容 14
1.3 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 14
1.3.1 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)與
工作原理 15
1.3.2 MOS管的電流電壓特性 19
1.3.3 MOS管的電容 20
1.4 雙極型晶體管 22
1.4.1 雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)與
工作原理 23
1.4.2 雙極型晶體管的電流傳輸 24
1.4.3 雙極型晶體管的基本
性能參數(shù) 26
本章小結(jié) 27
第2章集成電路制造工藝 28
2.1 硅片制備 29
2.1.1 單晶硅制備 30
2.1.2 硅片的分類 32
2.2 外延工藝 32
2.2.1 概述 32
2.2.2 外延工藝的分類與用途 33
2.3 氧化工藝 34
2.3.1 二氧化硅薄膜概述 35
2.3.2 硅的熱氧化 37
2.4 摻雜工藝 39
2.4.1 擴(kuò)散 39
2.4.2 離子注入 41
2.5 薄膜制備工藝 45
2.5.1 化學(xué)氣相淀積 45
2.5.2 物理氣相淀積 46
2.6 光刻技術(shù) 47
2.6.1 光刻工藝流程 47
2.6.2 光刻膠 50
2.7 刻蝕工藝 50
2.8 CMOS集成電路基本工藝流程 51
本章小結(jié) 53
第3章操作系統(tǒng)與Cadence軟件 55
3.1 UNIX操作系統(tǒng) 56
3.1.1 UNIX操作系統(tǒng)簡(jiǎn)介 56
3.1.2 UNIX常用操作 56
3.1.3 UNIX文件系統(tǒng) 57
3.1.4 UNIX文件系統(tǒng)常用工具 58
3.2 Linux操作系統(tǒng) 60
3.3 虛擬機(jī) 73
3.4 Cadence軟件 81
3.4.1 Cadence軟件概述 81
3.4.2 電路圖的建立 82
3.4.3 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 92
3.4.4 版圖編輯大師 94
3.4.5 版圖的建立與編輯 105
3.4.6 版圖驗(yàn)證 114
3.4.7 Dracula DRC 116
3.4.8 Dracula LVS 122
本章小結(jié) 128
第4章電阻 130
4.1 概述 131
4.2 電阻率和方塊電阻 131
4.3 電阻的分類與版圖 132
4.3.1 多晶硅電阻 133
4.3.2 阱電阻 136
4.3.3 有源區(qū)電阻 136
4.3.4 金屬電阻 137
4.4 電阻設(shè)計(jì)依據(jù) 138
4.4.1 電阻變化 138
4.4.2 實(shí)際電阻分析 139
4.4.3 電阻設(shè)計(jì)依據(jù) 140
4.5 電阻匹配規(guī)則 141
本章小結(jié) 144
第5章電容和電感 145
5.1 電容 146
5.1.1 概述 146
5.1.2 電容的分類 148
5.1.3 電容的寄生效應(yīng) 152
5.1.4 電容匹配規(guī)則 153
5.2 電感 155
5.2.1 概述 156
5.2.2 電感的分類 157
5.2.3 電感的寄生效應(yīng) 158
5.2.4 電感設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 158
本章小結(jié) 159
第6章二極管與外圍器件 161
6.1 二極管 162
6.1.1 二極管的分類 162
6.1.2 ESD保護(hù) 165
6.1.3 二極管匹配規(guī)則 168
6.2 外圍器件 169
6.2.1 壓焊塊(PAD) 170
6.2.2 連線 173
本章小結(jié) 176
第7章雙極型晶體管 178
7.1 概述 179
7.2 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 179
7.3 雙極型晶體管的分類與版圖 180
7.3.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝NPN管 180
7.3.2 標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝襯底
PNP管 183
7.3.3 標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝橫向
PNP管 184
7.3.4 BiCMOS工藝晶體管 185
7.4 雙極型晶體管版圖匹配規(guī)則 187
7.4.1 雙極型晶體管版圖基本
設(shè)計(jì)規(guī)則 187
7.4.2 縱向晶體管設(shè)計(jì)規(guī)則 187
7.4.3 橫向晶體管設(shè)計(jì)規(guī)則 189
本章小結(jié) 189
第8章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 191
8.1 概述 192
8.2 MOS管的版圖 193
8.3 MOS晶體管版圖設(shè)計(jì)技巧 199
8.3.1 源漏共用 199
8.3.2 特殊尺寸MOS管 204
8.3.3 襯底連接與阱連接 208
8.3.4 天線效應(yīng) 210
8.4 棍棒圖 211
8.5 MOS管的匹配規(guī)則 213
本章小結(jié) 218
第9章集成電路版圖設(shè)計(jì)實(shí)例 220
9.1 常用版圖設(shè)計(jì)技巧 221
9.2 數(shù)字版圖設(shè)計(jì)實(shí)例 222
9.2.1 反相器 223
9.2.2 與非門和或非門 225
9.2.3 傳輸門 227
9.2.4 三態(tài)反相器 228
9.2.5 多路選擇器 228
9.2.6 D觸發(fā)器 229
9.2.7 二分頻器 230
9.2.8 一位全加器 231
9.3 版圖設(shè)計(jì)前注意事項(xiàng) 232
9.4 版圖設(shè)計(jì)中注意事項(xiàng) 234
9.5 靜電保護(hù)電路版圖設(shè)計(jì)實(shí)例 234
9.5.1 輸入輸出PAD靜電保護(hù) 234
9.5.2 限流電阻的畫(huà)法 237
9.5.3 電源靜電保護(hù) 237
9.5.4 二級(jí)保護(hù) 238
9.6 運(yùn)算放大器版圖設(shè)計(jì)實(shí)例 240
9.6.1 運(yùn)放組件布局 240
9.6.2 輸入差分對(duì)版圖設(shè)計(jì) 241
9.6.3 偏置電流源版圖設(shè)計(jì) 244
9.6.4 有源負(fù)載管版圖設(shè)計(jì) 245

9.6.5 運(yùn)算放大器總體版圖 246
9.7 帶隙基準(zhǔn)源版圖設(shè)計(jì)實(shí)例 247
9.7.1 寄生PNP雙極型晶體管
版圖設(shè)計(jì) 247
9.7.2 對(duì)稱電阻版圖設(shè)計(jì) 249
9.7.3 帶隙基準(zhǔn)源總體版圖 251
9.8 芯片總體設(shè)計(jì) 252
9.8.1 噪聲考慮 252
9.8.2 布局 253
本章小結(jié) 254
參考文獻(xiàn) 255