電子材料與器件實驗

第一部分 基礎性實驗
實驗一 四探針法測量半導體電阻率
實驗二 橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率
實驗三 激光測定單晶硅的晶向
實驗四 熒光分光光度計測試半導體光致發(fā)光
實驗五 紫外一可見分光光度計測試光譜
實驗六 MOS結構的高頻電容一電壓特性測試
實驗七 半導體材料的霍爾系數(shù)和電阻率
實驗八 半導體材料的塞貝克系數(shù)測定
實驗九 光刻工藝
第二部分 提高性實驗
實驗十 肖特基二極管的伏安特性測量
實驗十一 電感耦合等離子體化學氣相沉積法制備硅基薄膜
實驗十二 射頻濺射法沉積氧化物薄膜
實驗十三 熱絲化學氣相沉積制備非晶碳基薄膜
實驗十四 場效應晶體管的性能測定
實驗十五 太陽能電池參數(shù)測定
第三部分 創(chuàng)新性實驗
實驗十六 靜電紡絲制備半導體納米材料
實驗十七 微弱電能信號的測量與收集
實驗十八 光化學電池型自供能紫外探測器
實驗十九 鋰離子電池的組裝與性能
實驗二十 超級電容器的性能測量
實驗二十一 納米氧化物半導體材料TiO3光催化性能
實驗二十二 氣敏傳感器的組裝與性能