納米材料的X射線分析（第二版）

第1章晶體幾何學(xué)基礎(chǔ)001
1.1晶體點(diǎn)陣/001
1.1.1點(diǎn)陣概念/001
1.1.2晶胞、晶系/003
1.1.3點(diǎn)陣類型/003
1.2晶體的宏觀對(duì)稱性和點(diǎn)群/005
1.2.1宏觀對(duì)稱元素和宏觀對(duì)稱操作/005
1.2.2宏觀對(duì)稱性和點(diǎn)群/008
1.3晶體的微觀對(duì)稱性和空間群/011
1.3.1微觀對(duì)稱要素與對(duì)稱操作/011
1.3.2230種空間群/012
1.4倒易點(diǎn)陣/013
1.4.1倒易點(diǎn)陣概念的引入/013
1.4.2正點(diǎn)陣與倒易點(diǎn)陣間的幾何關(guān)系/015
1.4.3晶帶、晶帶定律/016
1.5晶體的結(jié)合類型/017
1.5.1離子結(jié)合/017
1.5.2共價(jià)結(jié)合/019
1.5.3金屬結(jié)合/019
1.5.4分子結(jié)合/020
1.5.5氫鍵結(jié)合/020
1.5.6混合鍵晶體/020
參考文獻(xiàn)/021

第2章X射線衍射理論基礎(chǔ)022
2.1X射線及X射線譜/022
2.1.1X射線的本質(zhì)/022
2.1.2X射線譜/022
2.2射線與物質(zhì)的交互作用/026
2.2.1X射線的吸收/026
2.2.2激發(fā)效應(yīng)/027
2.2.3X射線的折射/027
2.2.4X射線的反射/027
2.2.5物質(zhì)對(duì)X射線的散射和衍射/028
2.3衍射線的方向/029
2.3.1勞厄方程/029
2.3.2布拉格定律/031
2.4多晶體衍射強(qiáng)度的運(yùn)動(dòng)學(xué)理論/035
2.4.1單個(gè)電子散射強(qiáng)度/035
2.4.2單個(gè)原子散射強(qiáng)度/036
2.4.3單個(gè)晶胞散射強(qiáng)度/037
2.4.4實(shí)際小晶粒積分衍射強(qiáng)度/039
2.4.5實(shí)際多晶體衍射強(qiáng)度/040
2.5X射線衍射及相關(guān)的研究方法/044
參考文獻(xiàn)/0452

第3章X射線衍射實(shí)驗(yàn)裝置046
3.1X射線衍射儀原理和實(shí)驗(yàn)技術(shù)/047
3.1.1一般特點(diǎn)/047
3.1.2光學(xué)原理/049
3.1.3衍射儀的準(zhǔn)直和角度校準(zhǔn)/050
3.1.4衍射儀參數(shù)的選擇/050
3.1.5晶體單色器/050
3.2X射線源/052
3.2.1普通X射線源/052
3.2.2同步輻射光源/054
3.3X射線探測(cè)器和記錄系統(tǒng)/060
3.3.1蓋格計(jì)數(shù)器、正比計(jì)數(shù)器和閃爍計(jì)數(shù)器/060
3.3.2能量探測(cè)器/063
3.3.3面探測(cè)器/064
3.3.4陣列探測(cè)器/065
3.3.5記錄系統(tǒng)的發(fā)展/066
3.4工作模式及附件/066
3.4.1粉末衍射儀的工作模式/067
3.4.2X射線粉末衍射儀中的附件/070
參考文獻(xiàn)/073

第4章多晶X射線衍射實(shí)驗(yàn)方法074
4.1測(cè)角儀/074
4.2狹縫系統(tǒng)及幾何光學(xué)/077
4.3樣品制備/078
4.3.1粉末的要求和制備/079
4.3.2填樣寬度和深度/080
4.3.3樣品的放置位置/083
4.3.4樣品顆粒粗細(xì)對(duì)數(shù)據(jù)的影響/083
4.4粉末衍射數(shù)據(jù)的獲取/084
4.4.1波長(zhǎng)的選擇/084
4.4.2單色化/085
4.4.3功率設(shè)定/085
4.4.4步進(jìn)掃描/086
4.4.5連續(xù)掃描/086
4.4.6掃描范圍/087
4.5實(shí)驗(yàn)方法和數(shù)據(jù)處理方法對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響/087
4.6X射線的安全與防護(hù)/088
參考文獻(xiàn)/089

第5章物相定性分析091
5.1物相定性原理和ICDD數(shù)據(jù)庫(kù)/091
5.1.1物相定性分析的原理和方法/091
5.1.2粉末衍射卡組(PDF)及其索引/092
5.1.3PDF數(shù)據(jù)庫(kù)/96
5.2定性分析的步驟/100
5.2.1實(shí)驗(yàn)獲得待檢測(cè)物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)/100
5.2.2數(shù)據(jù)觀測(cè)與分析/101
5.2.3檢索和匹配/101
5.2.4最后判斷/101
5.2.5具體示例/102
5.3定性分析的計(jì)算機(jī)檢索/104
5.3.1PCPDFWIN定性相分析系統(tǒng)的應(yīng)用/104
5.3.2Jade 定性相分析系統(tǒng)的應(yīng)用/109
5.3.3人工檢索和計(jì)算機(jī)檢索的比較/115
5.4復(fù)相分析和無(wú)卡相分析/1165
5.4.1復(fù)相分析/118
5.4.2無(wú)卡相分析/120
5.5物相定性分析中應(yīng)注意的問題/122
參考文獻(xiàn)/124

第6章物相定量分析125
6.1多晶物相定量分析原理/125
6.1.1單相試樣衍射強(qiáng)度的表達(dá)式/126
6.1.2多重性因數(shù)/126
6.1.3結(jié)構(gòu)因數(shù)/126
6.1.4溫度因數(shù)/127
6.1.5吸收因數(shù)/128
6.1.6衍射體積/128
6.1.7多相試樣的衍射強(qiáng)度/129
6.2采用標(biāo)樣的定量相分析方法/130
6.2.1內(nèi)標(biāo)法/131
6.2.2增量法/134
6.2.3外標(biāo)法/142
6.2.4基體效應(yīng)消除法（K值法）/147
6.2.5標(biāo)樣方法的實(shí)驗(yàn)比較/151
6.3無(wú)標(biāo)樣的定量相分析方法/152
6.3.1直接比較法/152
6.3.2絕熱法/154
6.3.3Zevin的無(wú)標(biāo)樣法及其改進(jìn)/156
6.3.4無(wú)標(biāo)樣法的實(shí)驗(yàn)比較/164
6.4定量分析的最新進(jìn)展和注意的問題/165
6.4.1定量分析的最新進(jìn)展/165
6.4.2Rietveld定量分析/167
6.4.3X射線物相定量分析中應(yīng)注意的問題/169
參考文獻(xiàn)/170

第7章指標(biāo)化和晶胞參數(shù)的測(cè)定171
7.1多晶衍射圖的指標(biāo)化/171
7.1.1 已知精確晶胞參數(shù)時(shí)衍射線的指標(biāo)化/171
7.1.2已知粗略晶胞參數(shù)時(shí)衍射線的指標(biāo)化/171
7.1.3指標(biāo)立方晶系衍射圖的sin2θ比值法/172
7.1.4指標(biāo)四方和六方晶系衍射圖的圖解法/172
7.1.5指標(biāo)未知晶系衍射圖的嘗試法/175
7.1.6指標(biāo)未知晶系衍射圖的伊藤法(Ito)/175
7.2晶胞參數(shù)的精確測(cè)定/177
7.2.1德拜-謝樂照相法/179
7.2.2聚焦相機(jī)法/183
7.2.3衍射儀法/184
參考文獻(xiàn)/184

第8章納米材料微結(jié)構(gòu)的X射線表征185
8.1譜線線形的卷積關(guān)系/185
8.2微晶寬化與微應(yīng)力寬化效應(yīng)/186
8.2.1微晶寬化效應(yīng)——謝樂公式/186
8.2.2微應(yīng)力引起的寬化/188
8.3分離微晶和微應(yīng)力寬化效應(yīng)的各種方法/188
8.3.1Fourier級(jí)數(shù)法/188
8.3.2方差分解法/190
8.3.3近似函數(shù)法/191
8.3.4前述幾種方法的比較/191
8.4堆垛層錯(cuò)引起的寬化效應(yīng)/192
8.4.1密堆六方的堆垛層錯(cuò)效應(yīng)/192
8.4.2面心立方的堆垛層錯(cuò)效應(yīng)/192
8.4.3體心立方的堆垛層錯(cuò)效應(yīng)/193
8.4.4分離密堆六方ZnO中微晶-層錯(cuò)寬化效應(yīng)的Langford方法/194
8.5分離多重寬化效應(yīng)的最小二乘法/195
8.5.1分離微晶-微應(yīng)力寬化效應(yīng)的最小二乘法/195
8.5.2分離微晶-層錯(cuò)寬化效應(yīng)的最小二乘法/196
8.5.3分離微應(yīng)力-層錯(cuò)二重寬化效應(yīng)的最小二乘法/197
8.5.4分離微晶-微應(yīng)力-層錯(cuò)三重寬化效應(yīng)的最小二乘法/198
8.5.5計(jì)算程序的結(jié)構(gòu)/200
8.6應(yīng)用舉例/201
8.6.1MmB5儲(chǔ)氫合金微結(jié)構(gòu)的研究/202
8.6.2納米NiO的制備和微結(jié)構(gòu)的表征/204
8.6.3納米Ni粉的制備和微結(jié)構(gòu)的表征/205
8.6.4V-Ti合金在儲(chǔ)放氫過程中的微結(jié)構(gòu)研究/207
8.6.5β-Ni(OH)2中微結(jié)構(gòu)的研究/209
8.6.6納米ZnO微結(jié)構(gòu)的研究/218
8.6.7Mg-Al合金的微結(jié)構(gòu)研究/220
8.6.8石墨堆垛無(wú)序度的研究/222
8.6.9應(yīng)用小結(jié)/227
參考文獻(xiàn)/228

第9章Rietveld結(jié)構(gòu)精修原理與方法230
9.1Rietveld方法的發(fā)展史/231
9.2Rietveld方法的基本原理/232
9.2.1Rietveld方法的算法/233
9.2.2Rietveid方法結(jié)果的評(píng)價(jià)/234
9.3Rietveld方法中衍射峰的線形分析/235
9.3.1峰形函數(shù)分析方法/235
9.3.2峰形函數(shù)擬合/235
9.3.3微結(jié)構(gòu)分析/237
9.4Rietveld分析中的校正/238
9.4.1擇優(yōu)取向校正/238
9.4.2微吸收校正/239
9.4.3背底修正/240
9.5Rietveld方法的晶體結(jié)構(gòu)分析/240
9.6Rietveld方法的相定量分析/241
9.7Rietveld方法的指標(biāo)化和相分析/242
9.8Rietveld分析的實(shí)驗(yàn)方案/243
9.8.1儀器的選擇/243
9.8.2波長(zhǎng)和衍射數(shù)據(jù)范圍選擇/243
9.8.3步進(jìn)方式選擇/244
9.9Rietveld精修的步驟和策略/245
參考文獻(xiàn)/247

第10章粒度分布和分形結(jié)構(gòu)的小角散射測(cè)定250
10.1小角X射線散射理論簡(jiǎn)介/250
10.1.1一個(gè)電子的散射/250
10.1.2兩個(gè)電子的散射/251
10.1.3多電子系統(tǒng)的散射/252
10.1.4多粒子系統(tǒng)的小角X射線散射/253
10.2小角Ｘ射線散射實(shí)驗(yàn)裝置/255
10.2.1三狹縫系統(tǒng)/255
10.2.2針狀狹縫系統(tǒng)/256
10.2.3錐形狹縫系統(tǒng)/256
10.2.4Kratky狹縫系統(tǒng)/257
10.2.5多重晶反射系統(tǒng)/257
10.2.6同步輻射SAXS裝置/257
10.2.7小角X射線散射的實(shí)驗(yàn)配置/258
10.3小角散射的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和方法/258
10.3.1試樣制備技術(shù)/258
10.3.2光路的校準(zhǔn)/259
10.3.3散射數(shù)據(jù)的前處理/259
10.4異常小角X射線散射和二維小角X射線散射/260
10.4.1異常小角X射線散射/260
10.4.2二維小角X射線散射/262
10.5納米材料顆粒大小及其分布的測(cè)定/263
10.5.1一些常用的計(jì)算方法/263
10.5.2小角散射與其他方法的比較/264
10.6納米材料分形結(jié)構(gòu)研究/265
10.6.1分形/265
10.6.2來(lái)自質(zhì)量和表面尺冪度體的小角散射/267
10.6.3散射強(qiáng)度與尺冪度體維度的關(guān)系/268
參考文獻(xiàn)/269

第11章化學(xué)組分和原子價(jià)態(tài)的X射線分析270
11.1X射線發(fā)射譜/270
11.1.1激發(fā)Ｘ射線/270
11.1.2X射線發(fā)射譜化學(xué)分析/272
11.1.3X射線發(fā)射譜的精細(xì)結(jié)構(gòu)/273
11.2X射線吸收譜/274
11.2.1吸收限/274
11.2.2用X射線吸收譜的化學(xué)定性定量分析/275
11.3俄歇電子能譜/275
11.3.1俄歇電子的能量和強(qiáng)度/276
11.3.2用俄歇電子譜的元素定性定量分析/277
11.3.3用俄歇譜的化學(xué)價(jià)態(tài)研究/278
11.4光電子能譜/278
11.4.1光電子譜的能量和強(qiáng)度/278
11.4.2X射線光電子能譜化學(xué)分析/280
11.4.3價(jià)態(tài)研究/280
11.4.4價(jià)態(tài)研究實(shí)例/282
11.5軟X射線磁圓二色譜/283
11.5.1X射線磁圓二色的基本原理/283
11.5.2軟X射線磁圓二色譜實(shí)例/284
參考文獻(xiàn)/286

第12章納米薄膜和一維超晶格材料的X射線分析287
12.1概述/287
12.2薄膜分析中常用的X射線方法/288
12.2.1低角度X射線散射和衍射/288
12.2.2掠入射X射線衍射/288
12.2.3粉末衍射儀和薄膜衍射儀/289
12.2.4雙晶衍射儀和多重晶衍射儀/289
12.3原子尺度薄膜的研究/290
12.4納米薄膜和多層膜的研究/291
12.4.1膜的厚度測(cè)定/291
12.4.2厚度漲落的研究/295
12.4.3薄膜組分測(cè)定/298
12.4.4薄膜的相分析和相變/299
12.4.5薄膜晶粒大小和嵌鑲塊大小的測(cè)定/300
12.4.6單晶膜完整性的觀測(cè)/301
12.5薄膜材料中的應(yīng)力測(cè)定/302
12.5.1單晶薄膜的應(yīng)變和彎曲度的測(cè)定/302
12.5.2多晶膜的應(yīng)力測(cè)定/304
12.5.3納米薄膜材料應(yīng)力測(cè)定的特征/307
12.6一維超晶格材料的Ｘ射線分析/307
12.6.1非晶超點(diǎn)陣的研究/308
12.6.2多晶超點(diǎn)陣的研究/309
12.6.3單晶超點(diǎn)陣的研究/312
12.7超點(diǎn)陣界面粗糙度的X射線散射理論/318
12.7.1一般介紹/318
12.7.2來(lái)自不同粗糙界面的散射/322
12.8不完整性和應(yīng)變的衍射空間或倒易空間圖研究/323
12.8.1衍射空間繪制/323
12.8.2倒易空間測(cè)繪/323
參考文獻(xiàn)/326

第13章介孔材料的X射線表征327
13.1介孔材料的分類/327
13.2介孔材料的X射線表征/328
13.2.1X射線表征的特點(diǎn)和實(shí)驗(yàn)要求/328
13.2.2孔結(jié)構(gòu)參數(shù)的計(jì)算/329
13.3介孔氧化硅材料的X射線表征/329
13.3.1二維六方結(jié)構(gòu)/329
13.3.2立方孔道結(jié)構(gòu)/332
13.3.3三維六方-立方共生結(jié)構(gòu)/334
13.4金屬氧化物介孔材料的X射線表征/336
13.4.1金屬氧化物介孔材料的結(jié)構(gòu)特征/336
13.4.2氧化鈦介孔材料/336
13.4.3介孔氧化鐵的X射線表征/337
13.4.4介孔Co3O4和Cr2O3的X射線表征/339
13.4.5介孔NiO的X射線表征/339
13.4.6介孔MnO2的X射線表征/341
13.4.7介孔稀土氧化物的X射線表征/341
13.5介孔碳材料的X射線表征/342
13.6介孔聚合物和高分子材料的X射線表征/346
13.6.1以介孔氧化硅為模板制備的高分子介孔材料/346
13.6.2以Pluronic F127為模板制備的高分子介孔材料/347
13.7介孔材料的分形結(jié)構(gòu)SAXS研究/349
參考文獻(xiàn)/351